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문제 정의

  • 컴퓨터 시뮬레이션 기법의 입장에서는 계산 시간의 한계로 인해 전통적으로는 속도 공간에 대한평균값을 취하는 방식의 유체 시뮬레이션을 많이 사용하였으나 근래에 와서는 컴퓨터 기술의 발전에 힘입어 입자의 속도분포를 고려할 수 있는 시뮬레이션 기법도 역시 발전되었다[23]. 본 원고에서는 이러한 대기압 플라즈마 장치에 대한 기초적인 소개와 플라즈마 시뮬레이션 방법에 대한 설명을 하고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
플라즈마 내에는 어떠한 현상이 발생하는가? 물질의 4번째 상태인 플라즈마 내에는 강한 에너지를 가지는 하전입자와 이들과 원자와의 충돌에 의해 발생된 여기종에서 혹은 하전입자의 가속에 의해서 방출되는 radiation 등의 다양한 현상이 있으므로 산업적으로 플라즈마를 이용해서 물질을 가공하는 기술이 오랫동안 개발되어 왔다. 플라즈마와 물질의 상호작용을 이용한 응용 분야는 그림 1에 보이는 바와 같이 반도체 식각, 박막 증착, 나노물질의 합성 등등의 다양한 분야를 포함한다.
플라즈마란? 물질의 4번째 상태인 플라즈마 내에는 강한 에너지를 가지는 하전입자와 이들과 원자와의 충돌에 의해 발생된 여기종에서 혹은 하전입자의 가속에 의해서 방출되는 radiation 등의 다양한 현상이 있으므로 산업적으로 플라즈마를 이용해서 물질을 가공하는 기술이 오랫동안 개발되어 왔다. 플라즈마와 물질의 상호작용을 이용한 응용 분야는 그림 1에 보이는 바와 같이 반도체 식각, 박막 증착, 나노물질의 합성 등등의 다양한 분야를 포함한다.
대기압 비평형 저온 플라즈마의 의미는 무엇인가? 물질 가공에 사용되는 플라즈마 기술은 근래에 와서 플라즈마와 물질의 상호작용을 응용하는 연구 범위가 금속, 유전체를 거쳐 고분자, 유기물로 발전되고 있고, 나아가서 1996년부터는 생체에 미치는 효과를 연구하는 데까지 이르고 있는데[1,2], 이를 위해서 최근에 가장 널리 사용되는 장치가 대기압 비평형 저온 플라즈마[3,4]이다. 이때 대기압은 구동되는 압력조건이 진공 장치를 필요로 하지 않는다는 것을 의미하며, 비평형은 전자와 중성기체 및 이온의 온도가 서로 다르다는 것을 의미하고, 저온이라 함은 전자 온도가 수 만 도 정도의 영역에 있음을 의미한다. 일상적으로 접하기 어려운 이 정도의 온도가 저온으로 여겨지는 이유는 핵융합 장치 혹은 다른 고온 플라즈마의 온도가 수 억 도에 이르는 것에 비해서 상대적으로 저온이라는 의미이다.
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참고문헌 (25)

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  2. M. G. Kong, G. Kroesen, G. Morfill, T. Nosenko, T. Shimizu, J. van Dijk, and J. L. Zimmermann, New J. Phys. 11,115012 (2009). 

  3. A. Fridman, A. Chirokov, and A. Gutsol, J. Phys. D: Appl. Phys. 38 R1 (2005). 

  4. E. E. Kunhardt, IEEE Trans. Plasma Sci. 28, 189 (2000). 

  5. C. D. Pintassilgo, K. Kutasi, and J. Loureiro, Plasma Sources Sci. Technol. 16, S115 (2007). 

  6. A. N. Bhoj and M. J. Kushner, J. Phys. D: Appl. Phys. 39, 1594 (2006). 

  7. R. Dorai and M. J. Kushner, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 666 (2003). 

  8. H. W. Lee, G. Y. Park, Y. S. Seo, Y. H. Im, S. B. Shim, and H. J. Lee, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 053001 (2001). 

  9. M. Laroussi, IEEE Trans. Plasma Sci. 24, 1188 (1996). 

  10. N. Hayashi N, S. Tsutsui, T. Tomari and W. Guan, IEEE Trans. Plasma Sci. 36, 1302 (2008). 

  11. F. Iza, G. J. Kim, S. M. Lee, J. K. Lee, J. L. Walsh, Y. T. Zhang, and M. G. Kong, Plasma Process. Polym. 5, 322 (2008). 

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  14. E. Stoffels, I. E. Kieft, R. E. J. Sladek, L. J. M. van den Bedem, E. P. van der Laan, and M. Steinbuch, Plasma Sources Sci. Technol. 15, S169 (2006). 

  15. H. J. Lee, C. H. Shon, Y. S. Kim, S. Kim, G. C. Kim, and M. G. Kong, New J. Phys. 11, 115026 (2009). 

  16. E. Stoffels, I. E. Kieft, and R. E. J. Sladek, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2908 (2003). 

  17. G. Fridman, M. Peddinghaus, H. Ayan, A. Fridman, M. Balasubramanian, A. Gutsol, A. Brooks, and G. Friedman, Plasma Chem. Plasma Process. 26, 425 (2006). 

  18. S. U. Kalghatgi, G. Fridman, M. Cooper, G. Nagaraj, M. Peddinghaus, M. Balasubramanian, V. N. Vasilets, A. F. Gutsol, A. Fridman and G. Friedman, IEEE Trans. Plasma Sci. 35, 1559 (2007). 

  19. J. Raiser and M. J. Zenker, Phys. D: Appl. Phys. 39, 3520 (2006). 

  20. G. Lloyd, G. Friedman, S. Jafri, G. Schultz, A. Fridman, and K. Harding, Plasma Process. Polym. 7 194 (2010). 

  21. G. J. Kim, W. Kim, K. T. Kim, and J. K. Lee, Appl. Phys. Lett 96, 021502 (2010). 

  22. G. Fridman, A. Shereshevsky, M. M. Jost, A. D. Brooks, A. Fridman, A. Gutsol, V. Vasilets, and G. Friedman, Plasma Chem. Plasma Process. 27, 163 (2007). 

  23. H. C. Kim, F. Iza, S. S. Yang, M. Radmilovic-Radjenovic, and J. K. Lee, J. Phys. D: Appl. Phys. 38, R283 (2005). 

  24. M. J. Kushner, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 194013 (2009). 

  25. C. K. Birdsall and A. B. Langdon, Plasma Physics via Computer Simulation, CRC Press, 2004. 

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