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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.12, 2015년, pp.808 - 812
김현기 (인천대학교 전기공학과 광전에너지소자연구실) , 김홍식 (인천대학교 전기공학과 광전에너지소자연구실) , (인천대학교 전기공학과 광전에너지소자연구실) , 김준동 (인천대학교 전기공학과 광전에너지소자연구실)
Highly optical transparent photoelectric devices were realized by using a transparent metal-oxide semiconductor heterojunction of p-type NiO and n-type ZnO. A functional template of ITO nanowires (NWs) was applied to this transparent heterojunction device to enlarge the light-reactive surface. The I...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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금속 산화물 반도체가 다양한 분야에서 활발한 연구가 진행되는 이유는? | 금속과 산소의 이온결합으로 이루어지는 금속 산화물 반도체 (metal-oxide semiconductor)는 전기전도 성이 우수하고 가시광영역의 투과성이 높기 때문에, 다양한 분야에서 활발한 연구가 진행 중이다. 대부분의 산화물 반도체는 높은 전자 이동도 (>10 ㎠/Vs)를 나타내기 때문에 전자 이동도를 높이기 위한 별도의 도핑 공정을 필요로 하지 않아 공정비용 상승의 문제가 없으며, 우수한 균일도로 대면적 구현이 가능한 장점을 지닌다 [1,2]. | |
산화물 반도체로 투명 소자 제작이 가능한 이유는? | 대부분의 산화물 반도체는 높은 전자 이동도 (>10 ㎠/Vs)를 나타내기 때문에 전자 이동도를 높이기 위한 별도의 도핑 공정을 필요로 하지 않아 공정비용 상승의 문제가 없으며, 우수한 균일도로 대면적 구현이 가능한 장점을 지닌다 [1,2]. 게다가 3 eV 이상의 넓은 밴드갭을 가지기 때문에 가시광의 흡수가 거의 일어나지 않아 투명 소자 제작이 가능하다 [3]. 이러한 산화물 반도체 중에 가장 대표적인 물질인 ZnO (zinc oxide)는 높은 전기 전도도와 넓은 밴드갭 에너지 (~3. | |
산화물 반도체가 높은 전자 이동도를 나타내기 때문에 가지는 장점은? | 금속과 산소의 이온결합으로 이루어지는 금속 산화물 반도체 (metal-oxide semiconductor)는 전기전도 성이 우수하고 가시광영역의 투과성이 높기 때문에, 다양한 분야에서 활발한 연구가 진행 중이다. 대부분의 산화물 반도체는 높은 전자 이동도 (>10 ㎠/Vs)를 나타내기 때문에 전자 이동도를 높이기 위한 별도의 도핑 공정을 필요로 하지 않아 공정비용 상승의 문제가 없으며, 우수한 균일도로 대면적 구현이 가능한 장점을 지닌다 [1,2]. 게다가 3 eV 이상의 넓은 밴드갭을 가지기 때문에 가시광의 흡수가 거의 일어나지 않아 투명 소자 제작이 가능하다 [3]. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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