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NTIS 바로가기한국가시화정보학회지= Journal of the Korean society of visualization, v.13 no.3, 2015년, pp.24 - 28
강승환 (성균관대학교 대학원 기계공학과) , 이승호 (성균관대학교 대학원 기계공학과) , 김병훈 (삼성전자 메모리사업부 D기술팀) , 고한서 (성균관대학교 기계공학부)
The temperature of the wafer batch in the furnace was calculated and its visualized temperature field was analyzed. The main heat transfer mechanisms from the heater wall to the wafers were radiation and conduction, and the finite difference method was used to analyze the complex heat transfer inclu...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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반도체 생산 공정에서 박막의 두께는 무엇에 의해 달라지는가? | 반도체 생산 공정에서 웨이퍼의 온도가 다를 경우 박막의 두께가 달라진다. 그래서 웨이퍼의 온도를 일정하게 유지시키는 온도 컨트롤이 중요하다. | |
저압 화학 기상 증착법은 무엇인가? | 반도체 생산 공정에서 웨이퍼(Wafer) 위에 박막을 증착하는 방법 중 하나로 저압 화학 기상 증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition; LPCVD)을 사용한다. LPCVD는 웨이퍼를 고온으로 가열한 후, 저압인 환경에서 반응 가스를 주입하고 웨이퍼 위에서 반응을 일으켜 박막을 증착시키는 방법이다. 이 때 웨이퍼는 배치(Batch)의 형태로 쌓여 반응로(Furnace) 내 튜브(Tube)안에 위치하며, 열은 웨이퍼 배치의 측면에서 공급된다. | |
반도체는 어떻게 생산되는가? | 현재 나날이 발전하고 있는 반도체의 중요성과 더불어 반도체 생산 기술 또한 그 중요성이 커지고 있다. 반도체는 실리콘 웨이퍼 위에 박막을 입히고 패턴을 그려 메모리 나 여타 전자부품의 형태로 생산된다. 반도체 생산 공정에서 웨이퍼(Wafer) 위에 박막을 증착하는 방법 중 하나로 저압 화학 기상 증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition; LPCVD)을 사용한다. |
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