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한국가시화정보학회지= Journal of the Korean society of visualization, v.14 no.2, 2016년, pp.25 - 30
강승환 (Graduate School, Department of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University) , 김병훈 (Samsung Electronics, Memory Business) , 공병환 (Samsung Electronics, Memory Business) , 이재원 (Graduate School, Department of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University) , 고한서 (School of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University)
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The wafer temperature and its uniformity inside the LPCVD chamber were analyzed. The temperature uniformity at the end of the wafer load depends on the heat-insulating cap. The finite difference method was used to investigate the radiation and conduction heat transfer mechanisms, and the temperature...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 저압 화학 기상 증착법은 어떻게 박막을 증착하는가? | 저압 화학 기상 증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition; LPCVD)은 반도체 생산 공정에서 웨이퍼(Wafer) 위에 박막을 증착하는 방법 중 하나로서, 반도체 대량 생산 공정에서 사용되고 있다. 이 방법은 챔버(chamber) 내부에 웨이퍼를 쌓고, 고온과 진공에 가까운 저압의 환경에서 반응가스를 주입하여 실리콘 웨이퍼 위에 박막을 증착시키는 방법이다. 이 때 웨이퍼 로드(Load)는 측면에서부터 가열되기 때문에 웨이퍼 내의 온도는 바깥이 높고 안쪽이 낮은, 움푹 파인 형태의 온도 프로파일(Profile)을 가지고 상승하며, 정상상태에 이르러서도 주변 경계 조건에 의해 상단과 하단의 웨이퍼의 온도는 고르지 않은 상태로 유지된다. | |
| 저압 화학 기상 증착법은 어떠한 방법 중 하나인가? | 저압 화학 기상 증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition; LPCVD)은 반도체 생산 공정에서 웨이퍼(Wafer) 위에 박막을 증착하는 방법 중 하나로서, 반도체 대량 생산 공정에서 사용되고 있다. 이 방법은 챔버(chamber) 내부에 웨이퍼를 쌓고, 고온과 진공에 가까운 저압의 환경에서 반응가스를 주입하여 실리콘 웨이퍼 위에 박막을 증착시키는 방법이다. | |
| 웨이퍼의 온도는 무엇에 영향을 끼치는 요소인가? | 이 때 웨이퍼 로드(Load)는 측면에서부터 가열되기 때문에 웨이퍼 내의 온도는 바깥이 높고 안쪽이 낮은, 움푹 파인 형태의 온도 프로파일(Profile)을 가지고 상승하며, 정상상태에 이르러서도 주변 경계 조건에 의해 상단과 하단의 웨이퍼의 온도는 고르지 않은 상태로 유지된다. 웨이퍼의 온도는 박막 성장 및 두께에 영향을 끼치는 요소이므로 웨이퍼 로드의 일정한 온도장을 만드는 것이 반도체 산업에서 중요한 이슈이며 이에 따른 많은 연구가 이어지고 있다. |
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