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SRAF를 적용한 극자외선 노광기술용 위상 변위 마스크의 반사도에 따른 이미징 특성 연구
Evaluation of Imaging Performance of Phase Shift Mask Depending on Reflectivity with Sub-resolution Assist Feature in EUV Lithography 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.14 no.3, 2015년, pp.1 - 5  

장용주 (한양대학교 공과대학 나노반도체공학과) ,  김정식 (한양대학교 공과대학 나노반도체공학과) ,  홍성철 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) ,  조한구 (한양대학교 나노과학기술연구소) ,  안진호 (한양대학교 공과대학 나노반도체공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In photolithography process, resolution enhancement techniques such as optical proximity correction (OPC) and phase shift mask (PSM) have been applied to improve resolution. Especially, sub-resolution assist feature (SRAF) is one of the most important OPC to enhance image quality including depth of ...

주제어

#EUV lithography   #phase shift mask   #SRAF   #process window   #optical proximity correction  

AI 본문요약
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문제 정의

  • 하지만 위상 변위 마스크에 SRAF를 적용 시 회절광의 세기가 변화하여 이미징 특성에 영향을 줄 수 있기 때문에 SRAF를 적용한 마스크에 대한 최적화 과정이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 시뮬레이션을 통해 SRAF 구조에서 위상 변위 마스크의 반사도에 따른 이미징 특성과 공정 허용도를 측정 및 비교하는 실험을 진행하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
위상 변위 마스크는 어떤 마스크 구조인가? 극자외선 노광기술에서도 고립 패턴에 대한 해상력 및 공정 허용도 확보를 위해 위상 변위 마스크와 함께 SRAF의 적용이 고려되고 있다[5]. 위상 변위 마스크는 흡수 영역과 반사 영역에서 나오는 빛들 사이에 180°위상차를 가지게 하여 더 높은 해상력을 확보할 수 있는 마스크 구조이다[6-7].
미해상 어시스트 패턴이란? 미해상 어시스트 패턴 (sub-resolution assist feature, SRAF)은 전사되지 않는 미세 패턴을 이용하여 웨이퍼 상에 전사되는 패턴의 치수를 보정해주는 OPC 방법이 다. 이는 bias OPC에 비해 넓은 공정 허용도 (process window)를 가져갈 수 있어 기존의 KrF, ArF 노광 기술에서 중요한 OPC기법으로 적용되어 왔다[4].
미해상 어시스트 패턴의 특징은? 미해상 어시스트 패턴 (sub-resolution assist feature, SRAF)은 전사되지 않는 미세 패턴을 이용하여 웨이퍼 상에 전사되는 패턴의 치수를 보정해주는 OPC 방법이 다. 이는 bias OPC에 비해 넓은 공정 허용도 (process window)를 가져갈 수 있어 기존의 KrF, ArF 노광 기술에서 중요한 OPC기법으로 적용되어 왔다[4]. 극자외선 노광기술에서도 고립 패턴에 대한 해상력 및 공정 허용도 확보를 위해 위상 변위 마스크와 함께 SRAF의 적용이 고려되고 있다[5].
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참고문헌 (15)

  1. ITRS organization, "International technology roadmap for semiconductors 2013 edition : Lithography summary", 2013, from http://www.itrs.net 

  2. C. Constancias, M. Richard, D. Joyeux, J. Chiaroni, R. Blanc, J.Y. Robic, E. Quesnel and V. Muffato., "Phase shift mask for EUV lithography", Proc. of SPIE, Vol. 6151, pp. 1-4, (2006). 

  3. C. H. Clifford, Y. Zou, A. Latypov, O. Kritsun, T. Wallow, H. J. Levinson, F. Jiang, D. Civay, K. Standiford, R. Schlief, L. Sun, O. R. Wood, S. Raghunathan, P. Mangat, H. Peng Koh, C. Higgins, J. Schefske. and M. Singh., "EUV OPC for the 20nm node and beyond", Proc. of SPIE, Vol. 8322, pp. 1-14, (2012). 

  4. M. Burkhardt, G. McIntyre, R. Schlief and L. Sun., "Clear sub-resolution assist features for EUV", Proc. of SPIE, Vol. 9048, pp. 1-7, (2014). 

  5. F. Jiang, M. Burkhardt, A. Raghunathan, A. Torres, R. Gupta, and J. Word., "Implementation of assist features in EUV lithography", Proc. of SPIE, Vol. 9422, pp. 1-10, (2015). 

  6. N. Davydova, E. van Setten, R. de Kruif, D. Oorschot, M. Dusa, C. Wagner, J. Jiang, W. Liu, H. Y. Kang, H. Liu, P. Spies, N. Wiese and M. Waiblinger., "Imaging performance improvements by EUV mask stack optimization", Proc. of SPIE, Vol. 7985, pp. 1-4, (2011). 

  7. A. Erdmann and P. Evanschitzky., "Imaging characteristics of binary and phase shift masks for EUV projection lithography", Proc. of SPIE, Vol. 8550, pp. 1-10, (2012). 

  8. S. Lee, I. Lee, J. Doh, J. U. Lee, S. Hong and J. Ahn., "Improved imaging properties of thin attenuated phase shift masks for extreme ultraviolet lithography", J. Vac. Sci. Technol. B 31(2) 021606, pp. 1-6, (2013). 

  9. S. Hsu, R. Howell, J. Jia, H. Y. Liu, K. Gronlund, S. Hansen., and J. Zimmermann, "EUV resolution enhancement techniques (RETs) for k1 0.4 and below ", Proc. of SPIE, Vol. 9422, pp. 1-16, (2015). 

  10. J. S. Kim, S. Hong, J. U. Lee, S. M. Lee, and J. Ahn., "Attenuated phase-shift mask for mitigation of photon shot noise effect in contact hole pattern for extreme ultraviolet lithography", Appl. Phys. Express, Vol. 7, pp. 1-4, (2014). 

  11. S. Hong, S. Jeong, J. U. Lee, S. M. Lee, and J. Ahn., "Stochastic patterning simulation using attenuated phase-shift mask for extreme ultraviolet lithography", Appl. Phys. Express, Vol. 6, pp. 1-4, (2013). 

  12. C. B. Tan, K. K. Koh, D. Zhang and Y. M. Foong., "Sub-resolution assist feature (SRAF) printing prediction using logistic regression", Proc. of SPIE, Vol. 9426, pp. 1-6, (2015). 

  13. M. Coles, Y. S. Choi , K. Yang, C. Parker and A. Self., "Automated method of detecting SRAF and sidelobe printing with automated CD-SEM recipes", Proc. of SPIE, Vol. 6924, pp. 1-11, (2008). 

  14. R. Viswanathan, J. T. Azpiroz and P. Selvam., "Process optimization through model based SRAF printing prediction", Proc. of SPIE, Vol. 8326, pp. 1-10, (2013). 

  15. C. Burgel, M. Sczyrba and G. R. Cantrell., "A systematic approach to the determination of SRAF capabilities in high end mask manufacturing", Proc. of SPIE , Vol. 7823, pp. 1-11, (2010). 

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