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NTIS 바로가기Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers = 전자공학회논문지, v.52 no.2, 2015년, pp.83 - 88
전연화 (울산대학교 전기공학부) , 김현철 (울산대학교 전기공학부)
In this paper,
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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MEMS 가속도 센서는 무엇을 기반으로 개발되고 있는가? | 일반적인 MEMS 가속도 센서는 압저항, 용량성 및 압전 효과를 기반으로 개발되고 있다[1]. 그 중에서도 압저항 효과는 여러 종류의 센서에서 널리 쓰이는 변환 효과로서, 실리콘의 우수한 기계적 성질과 함께 이용되며 압저항형 가속도 센서는 반도체 집적회로 공정으로 제작이 가능하다. | |
압저항형 가속도 센서는 어떤 방식으로 가속도를 측정하는가? | 압저항형 가속도 센서는 외부 인가 가속도에 비례하여 스프링 변형이 발생하고 그 변형에 의한 스트레스로 인한 압저항 물질의 mobility 차이를 이용하여 저항 변화를 검출하고 가속도를 측정하는 방식이다. 고정된 관성 질량의 크기와 스프링 구조의 설계에 따라 감도 및 옵셋 특성 등 센서 특성이 달라진다. | |
MEMS 가속도 센서는 무슨 장점으로 개발이 활발하게 이루어지고 있는가? | 그 중에서도 압저항 효과는 여러 종류의 센서에서 널리 쓰이는 변환 효과로서, 실리콘의 우수한 기계적 성질과 함께 이용되며 압저항형 가속도 센서는 반도체 집적회로 공정으로 제작이 가능하다. 선형성과 주파수 특성이 좋고, dc가속도의 측정이 가능한 장점이 있어서 MEMS 기술로 압저항형 가속도 센서 개발이 활발하게 이루어지고 있다[2~4]. |
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