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NTIS 바로가기비파괴검사학회지 = Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing, v.35 no.3, 2015년, pp.200 - 205
김선진 (충남대학교 분석과학기술대학원) , 이계승 (한국기초과학지원연구원 광분석장비개발팀) , 허환 (한국기초과학지원연구원 광분석장비개발팀) , 이학선 (한국전자통신연구원 정보통신부품소재연구소) , 배현철 (한국전자통신연구원 정보통신부품소재연구소) , 최광성 (한국전자통신연구원 정보통신부품소재연구소) , 김기석 (서울대학교 바이오시스템.소재학부) , 김건희 (한국기초과학지원연구원 광분석장비개발팀)
An ultra-precise infrared microscope consisting of a high-resolution infrared objective lens and infrared sensors is utilized successfully to obtain location information on the plane and depth of local heat sources causing defects in a semiconductor device. In this study, multi-layer semiconductor c...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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위상잠금 열영상 분석기법은 시편에 무엇을 인가하고, 무엇을 조사하는가? | 위상잠금 열영상 분석기법은 외부에서 시간에 따라 크기와 방향이 주기적으로 변하는 에너지를 시편에 인가하거나 시편 내부에서 주기적인 능동적 광열원을 발생시켜 표면에서 방사되는 연속적인 조화함수를 조사한다. 이 열적신호의 조화함수는 적외선 카메라로 검출하게 되고 동시에 시편에 인가한 주기적인 신호와 비교하여 이미지로 영상처리를 한다. | |
현대의 컴팩트 반도체 소자들은 정확한 품질검사를 위해 어떤 장비가 요구되고 있는가? | 현대의 컴팩트 반도체 소자들은 정확한 품질검사를 위해 비파괴, 고분해능의 검사 장비가 요구되고 있다. 검사 장비 중 고분해능 적외선 대물렌즈와 적외선 센서로 구성된 초정밀 열영상 현미경은 반도체 내부의 결함에서 발생되는 국소적 열원의 위치와 깊이 정보를 얻는데 유용하게 활용되고 있다. | |
미약한 신호 검출이 어려웠던 열에 의해 방사된 적외선에 대해 최근에는 어떤 분야를 중심으로 응용이 이루어지고있는가? | 열에 의해 방사된 적외선은 대기에 의한 산란과 흡 작용이 크기 때문에 미약한 신호를 검출하기가 쉽진 않았다. 하지만 최근 적외선 센서의큰 발전으로 비파괴검사 분야를 중심으로 많은 응용이 이루어지고 있다[1,2]. , 특히 위상잠금 열영상 기법은 주위 환경에 의한 잡음 영향을 효과적으로 제거하면서 비파괴적으로 능동의 광열원을 위치 추적해줄 수 있어 반도체 내부결함에 의한 국소적 열원을 찾는 패키지 반도체 검사 장비에 많이 활용된다[3,4]. |
Y. J. Cho, "An exploratory study on the optimized test conditions of the lock-in thermography technique," Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing, Vol. 31, No. 2, pp. 157-164 (2011)
C. Schmidt, F. Altmann, R. Schlangen and H. Deslandes, "Non-destructive defect depth determination at fully packaged and stacked die devices using lock-in thermography," 17th IEEE International Symposium on Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), July 5-9, Singapore, pp. 1-5 (2010)
R. Schlangen, H. Deslandes, T. Lundquist, C. Schmidt, F. Altmann, K. Yuc, A. Andreasyan and S. Li, "Dynamic lock-in thermography for operation mode-dependent thermally active fault localization," Microelectronics Reliability, Vol. 50, pp. 1454-1458 (2010)
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