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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.10, 2015년, pp.658 - 664
최진웅 (인제대학교 나노융합공학과) , 모영세 (인제대학교 나노융합공학과) , 송한정 (인제대학교 나노융합공학과)
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This paper presents an electrical feature analysis of hysteresis curves in memristor differential and intergral control circuit. After making macro model of the memristor device, electric characteristics of the model such as time analysis, frequency dependent DC I-V curves were performed by PSPICE s...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 멤리스터란? | 멤리스터(memristor)는 기본적인 회로소자인 저항 R, 커패시터 C, 인덕터 L과 함께 최근에 발견된 4번째 소자로 많은 주목을 받고 있다. 종래의 수동소자인 저항과는 달리 전압 변화의 방향에 따라 히스테리시스성의 저항특성을 보이는 소자로 그 응용 가능성이 날로 높아지고 있다. | |
| 멤리스턴스는 자속과 전하의 관계에서 어떻게 정의될 수 있는가? | 이러한 멤리스터 소자는 1971년에 레온 추아가, 그 존재 가능성을 처음으로 예측한 바 있다 [1]. 추아는 멤리스터의 전기적 특성을 이론적으로 규명하였고, 멤리스턴스memristance) 기호 M을 사용하여 자속과 전하의 관계를 dφ = Mdq라 정의하였다. 최근에, 휴릿팩 커드(HP)의 연구자들이 외부 바이어스에 의한 이온 이동으로 멤리스터 특성이 얻어지는 소자에 관한 논문을 발표하게 되면서 비로소 나노 와이어 형태의 멤리스터 소자가 구현되었다 [2]. | |
| 멤리스터를 반도체 메모리나 신경망의 시냅스 회로에 대한 응용에 이용하기 위하여 어떤 연구가 선행되어야 하는가? | 현재 멤리스터 연구는 주로 멤리스터의 제조 방법에 관련 소재차원의 연구가 활발히 진행되고 있으며, 최근에는 소자의 전기적 특성에 대한 연구도 많이 이루어지고 있고, 이러한 멤리스터를 반도체 메모리나 신경망의 시냅스 회로에 대한 응용 가능성이 많이 제기되고 있다 [3]. 그러나 이러한 응용을 위해서는, 멤리스터 소자의 고유한 특성인 히스테리시스의 기본 해석 및 응용 기초 연구가 선행되어야 한다 [4]. |
L. O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory, 18, 5 (1971).
D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature, 453 (2008).
Ch. K. Volos, I. M. Kyprianidis, and I. N. Stouboulos, International Conference on Digital Signal Processing (2011).
L. O. Chua and S. M Kang, Proc. of the IEEE, 64, 2 (1976). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/PROC.1976.10092]
W. H. Hayt and J. A. Buck, Engineering Electromagnetics, 9th ed. (McGrawHill)
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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