다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.29 no.1, 2016년, pp.1 - 5
김태용 (성균관대학교 정보통신대학) , 장경수 (성균관대학교 정보통신대학) , (성균관대학교 정보통신대학) , (성균관대학교 정보통신대학) , 이소진 (성균관대학교 정보통신대학) , 강승민 (성균관대학교 정보통신대학) , (성균관대학교 정보통신대학) , 이윤정 (성균관대학교 정보통신대학) , 이준신 (성균관대학교 정보통신대학)
AI-Helper
The ultimate aims of display market is transparent or flexible. Researches have been carried out for various applications. It has been possible to reduced the process steps and get good electrical properties for semiconductors with large optical bandgaps. Oxide semiconductors have been established a...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 산화물 반도체의 특징은? | 산화물 반도체는 아주 특별한 비정질 물질로서 기존의 실리콘 물질에 대하여 완전히 새로운 물질로서 실리콘이라는 물질이 연구되어 온 기간보다 상대적으로 아주 단기간에 반도체 물질로 새로운 영역의 문을 열어 우수한 전기적 특성을 보여주며, 디스플레이의 핵심 소자인 박막트랜지스터에 사용이 가능한 물질로 아주 인상적이며 미래가 밝은 재료이다. 이 산화물 반도체의 산업화에 가장 큰 이점은 낮은 온도에서 박막 형성과 화합물임에도 불구하고 매우 부드러운 표면과 비정질 물질이기 때문에 전기적 특성이 박막 구성 배열에 의존하지 않기 때문에 전기적 특성이 우수한 편이다. | |
| 단일 박막트랜지스터의 신뢰성을 향상하기 위한 질소 도핑의 원리는 무엇인가? | 단일 박막트랜지스터의 신뢰성에 대해서는 질소를 도핑하면 안정성 향상이 가능하다. 질소 도핑의 경우 채널층인 a-InGaZnO 박막에 도핑하여 박막 내의 질소 passivation 효과를 볼 수 있으며, 질소를 도핑하는 이유는 질소의 경우 이온 반지름이 N2-, N3- 경우 0.129, 0.132 nm이며 산소는 O2- 0.126 nm이기 때문에 이온 반지름이 매우 비슷하여 두 가지 원소의 빈자리 즉 산소 공핍 지역에 질소가 들어가기가 쉬우며 실제 질소가 수용체로서의 형태로 이용되며 산화물의 치명적인 단점인 산소 공핍지역을 질소가 채워 주기 때문에 박막의 결합력 또한 향상이 가능하다. 질소의 도핑 유량에 따른 gate bias stress에 대한 결과를 그림 4에 나타내었다 [12]. | |
| AOS(비정질 산화물 반도체)의 장점은? | 또한 비정질 산화물 반도체 (AOS)는 광학적으로 투명함이 매우 높고, 높은 전자 이동도 및 비정질 미세 구조로 다결정 반도체 이동성의 제한적인 부분을 사전에 방지할 수 있으며 매끄러운 표면으로 인해 표면전하의 축적의 양이 작기 때문에 우수한 박막 표면을 얻을 수 있다. 이러한 비정질 산화물 반도체를 이용하여 박막 트랜지스터를 제작할 시에 산업에서 요구하는 전자 이동도와 소자의 안정성에 대해 더 우수한 특성을 제작하기 위해서 많은 추가적인 처리 혹은 물질 개발에 연구가 활발히 진행 중이다 [1]. |
E. Fortunato, P. Barquinha, and R. Martins, Adv. Mater., 24, 2945 (2012). [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/adma.201103228]
H. A. Klasens and H. Koelmans, Solid-State Electron., 7, 701 (1964). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(64)90057-7]
M.W.J. Prins, K. O. Grosse-Holz, G. Muller, J.F.M Cillessen, J. B. Giesbers, R. P. Weening, and R. M. Wolf, Appl. Phys. Lett., 68, 3650 (1996). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.115759]
C. H. Seager, D. C. McIntyre, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, Appl. Phys. Lett., 68, 2660 (1996). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.116273]
A. Aoki and H. Sasakura, Jpn. J. Appl. Phys., 9, 582 (1970). [DOI: http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.9.582]
K. S. Jang, J. Raja, T. Y. Kim, S. M. Kang, S. J. Lee, N.T.C. Phu, T. T. Trinh, Y. J. Lee, and J. S. Yi, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 28, 351 (2015).
T. Arai, Inf. Display, 20, 156 (2012). [DOI: http://dx.doi.org/10.1889/JSID20.3.156]
K. Remashan, D. K. Hwang, S. J. Park, and J. H. Jang, IEEE Trans. Electron Dev., 55, 2736 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2008.2003021]
Y. H. Kang, Adv. Electron. Mater., 1, 1400006 (2015).
S. W. Tsao, T. C. Chang, S. Y. Huang, M. C. Chen, S. C. Shen, C. T. Tsai, Y. J. Kuo, Y. C. Chen, and W. C. Wu, Solid-state Electron., 54, 1497 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2010.08.001]
Y. F. Lu, H. Q. Ni, Z. H. Mai, and Z. M. Ren, J. Appl. Phys., 88, 498 (2000). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.373685]
P. T. Liu, Y. T. Chou, L. F. Teng, F. H. Li, and H. P. Shieh, Appl. Phys. Lett., 98, 052102 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3551537]
J. Raja, K. S. Jang, N. Balaji, W. J. Choi, T. T. Trinh, and J. S. Yi, Appl. Phys. Lett., 102, 083505 (2013). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4793535]
H. Y. Huang, Device Research Conference (IEEE, Santa Barbara, USA, 2014) p. 161.
J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, and S. I. Kim, Appl. Phys. Lett., 90, 262106 (2007). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2753107]
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.