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NTIS 바로가기한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.49 no.1, 2016년, pp.98 - 103
김수곤 (나노융합기술원) , 박병옥 (경북대학교 신소재공학부) , 이준형 (경북대학교 신소재공학부) , 김정주 (경북대학교 신소재공학부) , 허영우 (경북대학교 신소재공학부)
The dry etching characteristics of SnO thin films were investigated using inductively coupled plasma (ICP) in Ar,
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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투명 박막 트랜지스터의 재료로 사용되는 투명 반도체 산화물은 어떤 종류가 있는가? | 투명 박막 트랜지스터의 재료로 많이 이용되는 투명 반도체 산화물로는 In-Ga-Zn-O (IGZO), In-SnZn-O (ITZO), In-Sn-O (ITO), ZnO등이 있으며[1-4], 이 재료들로 제작되는 투명 산화물 반도체는 Bandgap과 Optical Window등에서 특성적으로 우수한 성능을 보이면서 실제 제품화까지 진행되고 있다. 하지만, 이 재료들은 대부분 n형 특성을 띄고 있으며 p형 특성을 갖는 재료는 일부의 재료만이 있다고 알려져 있으며 아직도 더 많은 연구가 필요한 시점이다. | |
투명 반도체 산화물 중 높은 Hole Mobility와 저온 공정의 제조 조건을 가진 재료는? | P형 반도체가 될 수 있는 투명 반도체 산화물은 Cu2O, CuO, SnO, NiO, CrCu2O2등 이라고 알려져 있다[5-11]. 이 재료 중 SnO의 경우 높은 Hole Mobility와 저온 공정의 제조 조건 등으로 유망한 재료로 예상된다. | |
SnO 박막에 대한 식각 특성을 평가한 결과, 식각 능력에 영향을 미치는 주 인자는 무엇인가? | SnO 박막의 식각 특성은 기존 Silicon Process의 SiO2에 비하여 떨어지는 경향을 보여 주었다. 또한 식각 능력에 영향을 미치는 주 인자는 Bias Power로 나타나는데 이는 Etchant의 가속성에 의한 물리적 식각이 식각 속도에 영향을 크게 미치고 있음을 알 수 있다. 특히, 일정 이상의 물리적 식각이 영향을 미치지 않는 일정 구간은 화학적 식각의 영향으로 식각 반응이 약하게 진행되며 있는 것으로 나타났다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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