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육방정 질화붕소 나노입자 합성 및 열전도성 복합체 응용
Synthesis of Hexagonal Boron Nitride Nanocrystals and Their Application to Thermally Conductive Composites 원문보기

한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.23 no.6, 2016년, pp.414 - 419  

정재용 (재료연구소 분말) ,  김양도 (부산대학교 재료공학과) ,  신평우 (창원대학교 신소재공학부) ,  김영국 (재료연구소 분말)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Much attention has been paid to thermally conductive materials for efficient heat dissipation of electronic devices to maintain their functionality and to support lifetime span. Hexagonal boron nitride (h-BN), which has a high thermal conductivity, is one of the most suitable materials for thermally...

주제어

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문제 정의

  • H3BO3와 C3H6N6를 증류수에 녹여 만든 C3H6N6·H3BO3의 열분해 및 결정화 특성을 조사하여 결정화도가 높은육방정 질화붕소 나노입자를 합성하고자 하였다.
  • 더불어 본 연구에서는 희토류 원소인 Eu를 도입하여 h-BN의 상생성에 대해 분석하고자 하였다. Eu는 입방정 BN또는 BN 나노튜브에 첨가되어 가시광 영역의 형광을 일으키는 것이 보고되어 있으며, Eu는 질화물 형광체에서와유사하게 질소분위기에서는 Eu2+의 형태로 존재할 것으로예상되며 이러한 이종 첨가제 도입에 따른 소량의 결함 형성이 상생성에 영향을 끼칠 것으로 예상하였다[13, 18, 19].
  • 일예로 최근에는 질화 붕소 내에 희토류 원소들을 첨가하여, 형광특성을 향상시키려는 연구가 수행되고 있으나, 아직 결정성 향상을 위한 분석은 진행되지 않고 있다[13]. 본 연구에서는 열 전도도가 뛰어나고 결정성이 우수한 h-BN을 합성하기 위하여 저가 원료소재인 붕산(boric acid)과 멜라민(melamine)을 증류수에 녹여 전구체를 만들고 온도 변화에 따른 h-BN의 결정성 변화를 관찰하였다. 더불어 이종원소로 Eu을 첨가하여 h-BN의 입성장 및 결정성에 미치는 영향을 분석하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
육방정 질화붕소가 절연 충전재, 방열타일, 내화물 등 구조용 세라믹스 뿐만 아니라 고휘도 LED 등 다량의 열을발산하는 전자소자의 방열기판 및 열전도 소재로 활용되는 이유는? 이러한 문제를 해결하기 위하여 높은 열전도도를 가지는 열전도성소재가 요구되며 산화 알루미늄(aluminum oxide; Al2O3),산화마그네슘(magnesium oxide; MgO), 질화알루미늄(aluminium nitride; AlN)이나 육방정 질화붕소(hexagonal boron nitride; h-BN) 등이 주로 사용되고 있다[4, 5]. 특히 h-BN은 고온에서의 안정성, 강한 경도, 산에 뛰어난 내식성, 약 5.5 eV의 넓은 밴드갭(band gap), 높은 전기절연성을 가질 뿐만 아니라 흑연과 유사한 층상구조를 가지고있으며, 층방향으로 300 W/mK 이상의 높은 열전도성을가지는 장점이 있어 절연 충전재, 방열타일, 내화물 등 구조용 세라믹스 뿐만 아니라 고휘도 LED 등 다량의 열을발산하는 전자소자의 방열기판 및 열전도 소재로 활용되고 있다[6]. 또한 고열전도성 분말을 필러로 함유하고 있는 열전도성 복합체는 유연성을 가지면서도 높은 열전도도를 나타내므로 복잡한 형상을 가지는 전자부품의 계면에서의 열저항을 줄이기 위한 용도로 사용되고 있다[7-9].
전자기기 작동 중 발생하는 열이 지속적으로 증가할 경우 발생하는 문제는? 전자기기의 소형화 및 고기능화 등을 목적으로 기기 내부에 발열 소자들이 밀집되어 효율적으로 냉각하는 방법이 최근 요구되고 있다. 전자기기 작동 중 발생하는 열이지속적으로 증가하게 되면 치명적인 열 손상 및 기기의사용 수명이 줄어 드는 문제점이 발생한다[1-3]. 이러한 문제를 해결하기 위하여 높은 열전도도를 가지는 열전도성소재가 요구되며 산화 알루미늄(aluminum oxide; Al2O3),산화마그네슘(magnesium oxide; MgO), 질화알루미늄(aluminium nitride; AlN)이나 육방정 질화붕소(hexagonal boron nitride; h-BN) 등이 주로 사용되고 있다[4, 5].
전자기기의 발열을 효율적으로 냉각하기 위해 사용되는 높은 열전도도를 가지는 열전도성소재는? 전자기기 작동 중 발생하는 열이지속적으로 증가하게 되면 치명적인 열 손상 및 기기의사용 수명이 줄어 드는 문제점이 발생한다[1-3]. 이러한 문제를 해결하기 위하여 높은 열전도도를 가지는 열전도성소재가 요구되며 산화 알루미늄(aluminum oxide; Al2O3),산화마그네슘(magnesium oxide; MgO), 질화알루미늄(aluminium nitride; AlN)이나 육방정 질화붕소(hexagonal boron nitride; h-BN) 등이 주로 사용되고 있다[4, 5]. 특히 h-BN은 고온에서의 안정성, 강한 경도, 산에 뛰어난 내식성, 약 5.
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참고문헌 (22)

  1. S. Y. Wu, Y. L. Huang, C. C. M. Ma, S. M. Yuen, C. C. Teng and S. Y. Yang: Compos. A, 42 (2011) 1573. 

  2. Y. Nagai, and G. C. Lai: J. Ceram. Soc. Jpn., 105 (1997) 197. 

  3. P. A. Hochstein: United States, US 5857767 (1999). 

  4. M. T. Huang and H. Ishida: J. Polym. Sci. B Polym. Phys., 37 (1999) 2360. 

  5. G. A. Slack, R. A. Tanzilli, R. O. Pohl and J. W. Vandersande: J. Phys. Chem. Solids, 48 (1987) 641. 

  6. H. Zeng, C. Zhi, Z. Zhang, X. Wei, X. Wang, W. Guo, Y. Bando and D. Golberg: Nano Lett., 10 (2010) 5049. 

  7. T. Terao, Y. Bando, M. Mitome, K. Kurashima, C. Y. Zhi, C. C. Tang and D. Golberg: Physica E Low Dimens. Syst. Nanostruct., 40 (2008) 2551. 

  8. G. Postole, A. Gervasini, C. Guimon, A. Auroux and B. Bonnetot: J. Phys. Chem. B, 110 (2006) 12572. 

  9. T. H. Chiang and T. E. Hsieh: J. Inorg. Organomet. Polym. Mater., 16 (2006) 175. 

  10. T. M. Tritt: Thermal Conductivity, Kluwer Academic Publishers, New York (2004) 114. 

  11. Y. Qiu, J. Yu, J. Rafique, J. Yin, X. Bai and E. Wang: J. Phys. Chem. C Nanomater. Interfaces, 113 (2009) 11228. 

  12. S. Alkoy, C. Toy, T. Gonul and A. Tekin: J. Eur. Ceram. Soc., 17 (1997) 1415. 

  13. H. Chen, Y. Chen, C. P. Li, H. Zhang, J. S. Williams, Y. Liu, Z. Liu and S. P. Ringer: Adv. Mater., 19 (2007) 1845. 

  14. J. Zhong, Y. Feng, H. Wang and D. Hu: Ceram. Process. Res., 14 (2013) 269. 

  15. A. Roy, A. Choudhurry and C. N. R. Rao: J. Mol. Struct., 613 (2002) 61. 

  16. L. H. Dreger, V. V. Dadape and J. L. Margrave: J. Phys. Chem., 66 (1962) 1556. 

  17. M. I. Baratron, L. Boulanger, M. Cauchetier, V. Lorenzelli, M. Luce, T. Merle, P. Quintard and Y. H. Zhou: J. Eur. Ceram. Soc., 13 (1994) 371. 

  18. E. M. Shishonok, S. V. Leonchik and J. W. Steeds: Inorg. Mater., 44 (2008) 490. 

  19. Q. L. Liu, F. F. Xu and T. Tanaka: Appl. Phys. Lett., 81 (2002) 3948. 

  20. W. Zhou, S. Qi, Q. An, H. Zhao and N. Liu: Mater. Res. Bull., 42 (2007) 1863. 

  21. H. Ishida and S. Rimdusit: Thermochim. Acta, 320 (1998) 177. 

  22. G. W. Lee, M. Park, J. Kim, J. I. Lee and H. G. Yoon: Compos. A, 37 (2006) 727. 

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