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NTIS 바로가기주관연구기관 | 세종대학교 산학협력단 Sejone university |
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연구책임자 | 김건 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-06 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201700013668 |
과제고유번호 | 1345236012 |
사업명 | 이공학개인기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2017-11-18 |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201700013668 |
- 육각형 질화붕소(h-BN)에 질소 원자 3개와 붕소 원자 1개가 빠져 삼각형 구멍을 이루는 VB+3N과 질소 원자 1개와 붕소 원자 3개가 빠져 생기는 VN+3B의 효과를 비교함.
- VB+3N와 VN+3B처럼 최소 크기의 삼각형 구멍이 생기는 경우에는 페르미 준위 근처에 localized defect state이 나타나지 않음.
- VB+3N와는 페르미 준위보다 2 eV 이상 위에 하나의 localized defect
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