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NTIS 바로가기조명·전기설비 = The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers, v.30 no.2, 2016년, pp.17 - 26
양창헌 (메이플세미컨덕터(주) 연구소) , 강예환 (메이플세미컨덕터(주)) , 이정훈 (메이플세미컨덕터(주)) , 정은식 (메이플세미컨덕터(주))
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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4H-SiC의 특징은? | 4H-SiC는 높은 전자 이동성과 넓은 밴드갭 특징으로 파워소자 장치 제조에 선호된다. 그러나 기판공정 기술의 어려움으로 인해 2001년이 되어서야 SiC Schottky Diode를 처음으로 상용화 시킬 수 있었다. | |
고온 고전압용 SiC 연구에서 문제점인 벌크 이동도 대비 낮은 채널 이동도를 해결하기 위한 과제는 무엇인가? | 이로 인한 채널 내부의 전하량 감소가 저항을 크게 하는 원인이 되고 결국 SiC 소자의 특성을 저하시키는 원인이 된다. 이를 해결하기 위하여 계면의 결함 준위를 줄이는 기술과 높은 품질의 게이트산화막 성장기술, 고온이온주입 기술 등이 해결되어야 될 과제이다(그림 14). 이 뿐만 아니라, 전기자동차 송․배전시스템을 위해서는 고전압 대전류의 전력반도체 개발이 병행되어야 한다. | |
전력소자로써 SiC의 장점은? | 전력반도체는 일반적으로 전원장치라 하며 대부분이 전력변환을 위한 스위칭 소자로 사용되고 있는데 최근 Si(silicon) 계열의 전력반도체 소자의 특성이 이론적 한계치에 다다르면서, Si의 한계를 뛰어넘는 고전압, 저저항, 고주파 및 고온 같은 극한 상황에서 작동할 수 있는 전력소자에 대한 요구가 커지고, 이에 만족하는 새로운 물질인 SiC(silicon carbide)가 이슈화 되었다. SiC는 Si에 비해 뛰어난 물성적 특성을 갖고 있어 성능 측면에서 뿐만 아니라, 전력변환 장치의 크기를 획기적으로 줄일 수 있다. 특히 소자가 직접적으로 고온 환경에서 동작이 가능하면 신뢰성 있는 정확한 측정 및 제어가 가능할 뿐만 아니라, 시스템 소형 및 경량화 실현, 빠른 응답특성 등 결과적으로 효율향상 등의 여러 장점을 얻을 수 있기 때문에 현재까지 소자의 연구가 활발히 진행되고 있다. |
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