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조합 합성 시스템의 미세유체반응기를 이용한 CdSe 양자점 합성 및 분석
Synthesis and analysis CdSe Quantum dot with a Microfluidic Reactor Using a Combinatorial Synthesis System 원문보기

한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.23 no.2, 2016년, pp.143 - 148  

홍명환 (고등기술연구원 신소재공정센터) ,  이덕희 (고등기술연구원 신소재공정센터) ,  강이승 (고등기술연구원 신소재공정센터) ,  이찬기 (고등기술연구원 신소재공정센터) ,  김범성 (한국생산기술연구원 희소금속산업기술센터) ,  김남훈 ((주)앰트)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

A microfluidic reactor with computer-controlled programmable isocratic pumps and online detectors is employed as a combinatorial synthesis system to synthesize and analyze materials for fabricating CdSe quantum dots for various applications. Four reaction condition parameters, namely, the reaction t...

주제어

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제안 방법

  • 반응시간, 전구체내 Cd와 Se 이온 농도 및 비율을 조절하여 실험을 진행하였다. 또한, UVvis 흡광도 분석 및  photoluminescence(PL) 분석을 통하여 공정조건에 따른 양자점의 사이즈, 합성 수율, 발광 파장 등의 특성 변화를 알아보기 위하여 합성과 동시에 실시간으로 UV-vis 흡광도와 PL을 측정하였다.
  • 본 실험에 앞서 조합 합성 시스템의 재현성을 평가하고자 50 mM 농도의 Se와 Cd 이온의 비율이 1:1인 전구체를 이용하여 250°C에서 10 초, 15초, 30초의 3가지 조건으로 4차례 실험을 하여 그림 2에 UV-vis 흡광도 결과를 나타내었다. 그림 2에서 볼 수 있듯이 흡광 파장이 차이를 보이나 반응시간 10초에서는 2 nm, 15초에서는 6 nm, 30초에서는 4 nm로 그 차이가 매우 작아 양자점 합성의 재현성이 확보 된 것으로 판단 할 수 있었다.
  • 본 연구에서는 미세유체반응기가 포함된 컴퓨터에 의해 제어되는 조합 합성 시스템을 이용하여 프로그래밍된 여러 조건의 CdSe 양자점을 합성하였으며 본 시스템을 이용 하여 쉽게 많은 조건의 CdSe 양자점을 합성, 분석 할 수 있었다. UV-vis absorbance와 PL 측정을 통하여 합성 조건 변화에 따른 양자점의 크기 및 특성 변화를 관찰 할 수 있었으며 전구체 내 이온 농도의 증가에 따라 합성되는 양자점의 크기가 커지고 합성 수율이 높아지는 반면 양자효율이 낮아지는 것을 확인 할 수 있었다.
  • 본 연구에서는 컴퓨터에 의해 제어되는 한번에 다양한 조건이 실험 가능한 조합 합성 시스템을 이용하여 CdSe 양자점을 합성하였다. 반응시간, 전구체내 Cd와 Se 이온 농도 및 비율을 조절하여 실험을 진행하였다.
  • 수집된 흡광도를 이용하여 합성된 CdSe 양자점의 입자 크기 및 합성 수율을 계산하였다. CdSe의 양자점의 크기는 Yu et al.
  • , 99%)을 프로그램 된 유속으로 Mixer에 의해 혼합 된 후 미세유체반응기로 투입하게 되며 전기로에 의해 반응온도로 가열되고 있는 내경 200 μm, 외경 350 μm, 길이 160 cm의 실리카 미세관을 이용한 원형의 미세유체반응기를 통과하며 반응기 내에서 양자점이 합성된다. 합성 된 CdSe 양자점은 정량펌프에 의해 공급되는 헥산과 혼합 후 장비에 장착이 된 UV-vis 분광계를 이용하여 광 흡수도를 실시간으로 모니터링 하였으며 배출관에 설치된 UV 광원 및 분광계를 이용하여 PL을 실시간으로 모니터링 하였다. 각 정량, 정속 펌프는 컴퓨터로 주입 속도 및 시간이 조절되며 주입 속도 및 시간은 프로그래밍이 가능하여 여러 조건의 실험이 단시간에 가능하다.
  • 각 정량, 정속 펌프는 컴퓨터로 주입 속도 및 시간이 조절되며 주입 속도 및 시간은 프로그래밍이 가능하여 여러 조건의 실험이 단시간에 가능하다. 합성조건에 따른 양자점 특성 변화를 관찰하고자 반응 시간 5조건, 전구체 내 Cd와 Se 이온의 농도 3조건, 전구체 내 Cd와 Se 이온 비율 3조건, 반응 온도 2조건, 총 90조건의 실험을 진행하였으며 표 1에 그 실험 조건을 나타내었다. 전구체 내 Cd와 Se 이온의 농도 및 비율과 반응 시간은 펌프를 통한 전구체, ODE, amine의 투입 속도를 조절하여 제어하였다.

대상 데이터

  • CdSe 합성 실험을 위하여 Cd와 Se 전구체를 제조하였다. 우선, Cd 전구체는 500 ml의 3-neck 플라스크에 cadmium acetate dehydrate (Cd(CH3COO)2·2H2O, Sigma- Aldrich Corp.
  • 1 mol/l이다. Cd와 Se 전구체 제조 후 Cd와 Se의 몰 비로 1:5, 1:1, 5:1로 혼합하여 세 종류의 CdSe 전구체를 준비하였다.
  • 본 연구에서는 한국희소금속산업기술센터에 구축되어 있는 조합 합성 시스템을 이용하여 CdSe 양자점을 합성하였으며 그림 1에 본 실험에 사용된 합성 시스템의 개략도를 나타내었다. 그림 1에서 볼 수 있듯이, 합성 시스템은 총 4개의 정량, 정속 펌프, 전기로에 의해 가열되는 미세유체반응기, 실시간 분광분석기로 이루어져 있다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
0차원의 반도체 나노결정의 특징은? 양자점이라고 불리는 0차원의 반도체 나노결정은 입자의 크기가 엑시톤 보어 반경보다 작아 양자 구속 효과 (Quantum confinement effect)에 의한 비연속적인 에너지 준위를 가지며 물질의 전기적·광학적 특성이 벌크 형태에서 나타나는 특성에 비해 크게 변하게 된다[1-5]. 양자점은 입자의 크기에 따라서 밴드갭 조절이 가능하며 입자 크기가 작아질수록 밴드 갭의 크기가 커져 짧은 파장의 빛을 발광한다.
0차원의 반도체 나노결정이 LED, 태양전지, 레이저 등의 많은 분야에서 연구가 진행되는 이유는? 양자점은 입자의 크기에 따라서 밴드갭 조절이 가능하며 입자 크기가 작아질수록 밴드 갭의 크기가 커져 짧은 파장의 빛을 발광한다. 또한, 좁은 발광 파장의 폭을 가지며 높은 발광 효율 등 장점으로 인하여 현재 LED[5-9]나 태양전지[10-11], 레이저[12-14], 생물학적 표지물질[15-17] 등 많은 분야에서 양자점을 이용한 연구가 진행되고 있다[18-19].
양자점을 합성하는 가장 일반적인 방법은? 이러한 양자점을 합성하는데 있어 현재 가장 일반적인 방법은 배치 반응 시스템을 이용하여 양자점 전구체의 고온 주입법(hot-injection) 또는 가열을 통하여 합성하는 것이다. 하지만 이러한 배치 반응 시스템에서는 반응 온도 및 시간의 미세한 조절이 어렵기 때문에 크기가 일정한 높은 결정도의 양자점을 합성하기 어렵다[20].
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참고문헌 (24)

  1. K. Kim, H. Lee, J. Ahn and S. Jeong: Appl. Phys. Lett., 101 (2012) 073107. 

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  4. D. J. Norris, A. Sacra, C. B. Murray and M. G. Bawendi: Phys. Rev. Lett., 72 (1994) 2612. 

  5. L. Qian, Y. Zheng, J. Xue, and P. H. Holloway: Nat. Photonics, 5 (2011) 543. 

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  7. K. Kim, J. Y. Woo, S. Jeong and C.-S. Han: Adv. Mater., 23 (2011) 911. 

  8. H. V. Demir, S. Nizamoglu, T. Erdem, E. Mutlugun, N. Gaponik and A. Eychmuller: Nano Today, 6 (2011) 632. 

  9. E. Jang, S. Jun, H. Jang, J. Lim, B. Kim and Y. Kim: Adv. Mater., 22 (2010) 3076. 

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  12. A. V. Malko, Y.-S. Park, S. Sampat, C. Galland, J. Vela, Y. Chen, J. A. Hollingsworth, V. I. Klimov and H. Htoon: Nano Lett., 11 (2011) 5213. 

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  14. E. R. Smith, J. M. Luther and J. C. Johnson: Nano Lett., 11 (2011) 4923. 

  15. P. M. Allen, W. Liu, V. P. Chauhan, J. Lee, A. Y. Ting, D. Fukumura, R. K. Jain and M. G. Bawendi: J. Am. Chem. Soc., 132 (2009) 470. 

  16. L. M. Maestro, E. M. Rodriguez, F. S. Rodriguez, M. C. I. Cruz, A. Juarranz, R. Naccache, F. Vetrone, D. Jaque, J. A. Capobianco and J. G. Sole: Nano Lett., 10 (2010) 5109. 

  17. F. Pinaud, D. King, H.-P. Moore and S. Weiss: J. Am. Chem. Soc., 126 (2004) 6115. 

  18. A. K. Gooding, D. E. Gomez and P. Mulvaney: ACS Nano, 2 (2008) 669. 

  19. W. K. Bae, K. Char, H. Hur and S. Lee: Chem. Mater., 20 (2008) 531. 

  20. B. J. Beberwyck and A. P. Alivisatos: J. Am. Chem. Soc., 134 (2012) 19977. 

  21. C. G. Lee, Y. Nakamura, H. Nakamura, M. Uehara and H. Maeda: Epitoanyag, 3-4 (2011) 52. 

  22. A. M. Nightingale and J. C. de Mello: J. Mater. Chem., 20 (2010) 8454. 

  23. H. Nakamura, A. Tashiro, Y. Yamaguchi, M. Miyazaki, T. Watari, H. Shimizua and H. Maeda: Lab Chip, 4 (2004) 237. 

  24. W. W. Yu, L. Qu, W. Guo and X. Peng: Chem. Mater., 15 (2003) 2854. 

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