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반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.15 no.2, 2016년, pp.6 - 10
박인용 (충남대학교 물리학과) , 이장재 (충남대학교 물리학과) , 김시준 (충남대학교 물리학과) , 이바다 (충남대학교 물리학과) , 김광기 (충남대학교 물리학과) , 염희중 (충남대학교 물리학과) , 유신재 (충남대학교 물리학과)
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In RF plasma processing, when the plasma is generated, there is the difference of impedance between RF generator and plasma source. Its difference is normally reduced by using the matcher and the RF power is transferred efficiently from the power generator to the plasma source. The generated plasma ...
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| RF 플라즈마의 장점은 무엇인가? | DC 플라즈마는 유전체 공정에 사용하기엔 방전에 어려움이 있고 마이크로파 플라즈마는 시스템을 만들기 위한 제작이 까다롭다. 이러한 단점들을 갖고 있는 다른 플라즈마와는 달리,RF 플라즈마는 유전체 공정에도 사용할 수 있고 시스템을 만들기 위한 제작도 마이크로파보다는 비교적 쉽기에 대부분의 공정에서는 RF 플라즈마가 상대적으로 많이 사용된다[2-4]. | |
| RF 플라즈마 사용에 있어 발생하는 문제를 해결하기 위해 어떤 방법을 사용하는가? | 이렇게 퍼져 있는 소스 임피던스는 매처가 매칭해줄 수 있는 범위를 넘어설 수도 있기 때문에 매처를 사용하는 RF 플라즈마사용에 다소 제한점이 존재하게 된다. 이러한 문제를해결하기 위해 RF 전달 시스템의 형태나 방법에 따른플라즈마의 전력전달 효율을 분석하거나[8,9], 챔버의 임피던스를 정밀하게 측정하여 정합부분을 개선하거나 [10], 또는 다른 부속장치를 사용[11-13]하여 소스 임피던스의 변화를 줄이는 등 여러 방법들이 시도되고 있다. 하지만 이러한 연구결과가 제시한 방법들은 시스템자체를 알고 방법들이 복잡하기 때문에 사용자의 입장에서는 소스 임피던스를 원하는 값으로 조절하는 데 다소 어려움이 있다. | |
| 플라즈마 원의 종류로 무엇이 있는가? | 현재 반도체 공정에 쓰이는 저온 플라즈마는 공정조건과 용도에 맞게 다양한 플라즈마 원이 활용되며, 대표적인 플라즈마 원으로는 DC, RF, 마이크로파를 이용한 플라즈마 원이 있다[1-4]. DC 플라즈마는 유전체 공정에 사용하기엔 방전에 어려움이 있고 마이크로파 플라즈마는 시스템을 만들기 위한 제작이 까다롭다. |
Alfred T.H.Chuang, Bojan O. Boskovic, John Robertson, "Freestanding Carbon Nanowalls by Microwave Plasma-enhanced Chemical Vapour Deposition", Diamond & Related Materials, Vol. 15, pp. 1103-1106, (2006).
Dong Sun Kim, "Characterization and deposition of ZnO thin films by Reactive Magnetron Sputtering using Inductively-Coupled Plasma", Journal of the Semiconductor & Display Technology, Vol. 10, No.2, pp.89-89 (2011)
J. Hopwood, "Review of Inductively coupled Plasmas for Plasma Processing", Plasma Sources Sci. Technol. Vol. 1, pp. 109-116, (1992).
E. F. Jaeger, L. A. Berry, J. S. Tolliver, and D. B. Batchelor, "Power Deposition in High-Density Inductively Coupled Plasma Tools for Semiconductor Processing", Phys. Plasmas., Vol. 2, pp. 2597-2604 (1995)
David M. Pozar, Microwave engineering, 2nd ed. John Wiley & Sons., Inc., pp. 56-67, (2012).
V. A. Godyak, R. B. Piejak and B. M. Alexandrovich, "Electrical characteristics and electron heating mechanism of an inductively coupled argon discharge", Plasma Sources Sci. Technol., Vol. 3, pp. 169-176, (1994).
V. A. Godyak, R. B. Piejak and B. M. Alexandrovich, "Electrical characteristics of parallel-plate RF discharges in argon", Plasma Sci. IEEE Trans., Vol. 19, pp. 660-676, (1991).
V. Brouk and R. Heckman, "Stabilizing RF Generator and Plasma Interactions", 2004 SVC, Proc. of 47th Ann. Tech. Conf., pp. 49-54 (2004).
Z. F. Ding, G. Y. Yuan, W. Gao and J. C. Sun, "Effects of impedance matching Network on the Discharge Mode Transitions in a Radio-Frequency Inductively Coupled Plasma", Phys. Plasmas, Vol. 15, 063506 (2008)
Sul Yong Tai, Lee Eui Yong, and Park Sung Jin, "Measurement Technology of Chamber Impedance for RF Matching", Journal of the Korean Society of Semiconductor Equipment Technology, Vol. 2, No. 4, pp. 13-17, (2003)
Marwan H.Khater and Lawrence J. Overzet, "Stabilizing inductively coupled plasma source impedance and plasma uniformity using a Faraday shield", Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol. 19, pp. 785-792 (2001)
Z. Chen, "Impedance Matching for One Atmosphere Uniform Glow Discharge Plasma(OAUGDP) Reactors", Plasma Sci. IEEE Trans., Vol. 30, No. 5, pp. 1922-1930, (2002).
Yaoxi Wu and M.A.Lieberman, "A Traveling Wave-driven, Inductively Coupled Large Area Plasma Source.", Appl. Phys. Lett., Vol. 72, pp. 777-779 (1998).
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