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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.15 no.1, 2016년, pp.6 - 11
김지은 (한양대학교 자연과학대학 나노융합과학과) , 김정환 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) , 홍성철 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) , 조한구 (한양대학교 나노과학기술연구소) , 안진호 (한양대학교 공과대학 신소재공학과)
For high volume manufacturing using extreme ultraviolet (EUV) lithography, mask protection from contamination during lithography process must be solved, and EUV pellicle is the strongest solution. Based on the technical requirements of EUV pellicle, EUV pellicle should have large membrane area (주제어
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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극자외선 노광 기술의 특성은 무엇인가? | 극자외선 노광 기술 (EUV lithography, EUVL)은 가장 유력한 차세대 노광기술로서, 기존 ArF 노광 기술에 사용되는 파장보다 14배 짧아진 파장을 사용하기 때문에 해상력을 향상시킬 수 있지만, 이와 동시에 대부분의 물질에 흡수가 잘 되는 특성을 갖게 되며 기존 노광공정과 대비하여 노광공정 중 발생하는 마스크 오염 방지의 필요성이 크게 대두되었다[1-3]. 펠리클은 오염물질로부터 마스크를 보호하여 마스크 수명을 증가시키고, 오염물질이 펠리클에 흡착되었을 경우 오염물질로 인한 패턴 이미지의 초점을 웨이퍼 위 감광제면에서 벗어나게 만든다[4-6]. | |
펠리클의 장점은 무엇인가? | 극자외선 노광 기술 (EUV lithography, EUVL)은 가장 유력한 차세대 노광기술로서, 기존 ArF 노광 기술에 사용되는 파장보다 14배 짧아진 파장을 사용하기 때문에 해상력을 향상시킬 수 있지만, 이와 동시에 대부분의 물질에 흡수가 잘 되는 특성을 갖게 되며 기존 노광공정과 대비하여 노광공정 중 발생하는 마스크 오염 방지의 필요성이 크게 대두되었다[1-3]. 펠리클은 오염물질로부터 마스크를 보호하여 마스크 수명을 증가시키고, 오염물질이 펠리클에 흡착되었을 경우 오염물질로 인한 패턴 이미지의 초점을 웨이퍼 위 감광제면에서 벗어나게 만든다[4-6]. 이와 같이 펠리클은 오염물질로 인한 공정 수율 감소를 막아주므로 극자외선 노광 공정 양산에도 적용이 고려되고 있다[7]. | |
시간에 따라 동일한 각속도를 갖는다면 원형운동을 하는 샘플은 회전축 중심방향으로 작용하는 구심가속도만 받게 되는 이유는? | 식 2와 같이 원 운동하는 샘플의 총 가속도는 샘플에 가해지는 가속도들의 벡터 합이며, 이를 방향에 따라 구분하면 구심가속도( 방향)와 접선가속도( 방향) 의 벡터 합으로 나타낼 수 있다. 구심가속도 크기는 회전축과의 거리와 각속도 제곱 값 간의 곱으로 표현할수 있으며, 방향은 원의 중심방향으로 작용한다. 접선가속도 크기는 회전축에서의 거리와 시간에 따른 각속도 변화 값 간의 곱으로 정의된다. 그러므로 시간에 따라 동일한 각속도를 갖는다면 원형운동을 하는 샘플은 회전축 중심방향으로 작용하는 구심가속도만 받게 된다. |
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