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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.15 no.3, 2016년, pp.1 - 5
김정식 (한양대학교 공과대학 나노반도체공학과) , 홍성철 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) , 장용주 (한양대학교 공과대학 나노반도체공학과) , 안진호 (한양대학교 공과대학 나노반도체공학과)
In order to apply sub-resolution assist feature (SRAF) in extreme ultraviolet lithography, the maximum non-printing SRAF width and lithography process margin needs to be improved. Through simulation, we confirmed that the maximum SRAF width of 6% attenuated phase shift mask (PSM) is large compared t...
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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일반적으로 SRAF의 선폭은 주 패턴의 선폭에 비해 어느정도의 크기를 유지하는가? | 그럼에도 불구하고 패턴이 미세화됨에 따라 극자외선 노광공정에서 고립 패턴들의 초점심도가 100 nm 이하를 가져 SRAF 적용의 필요성이 대두되고 있다. [4]일반적으로 SRAF의 선폭은 주 패턴의 선폭에 비하여 50~70%의 크기를 유지하여 주 패턴과 일정 공간을 유지한다. 이 SRAF 폭이 클수록 고립 패턴의 초점심도가 증가하며 제작이 용이하지만 SRAF 부분에서 흡수되는 빛의 세기가 증가하여 웨이퍼에 전사될 가능성 또한 증가하게 된다. | |
sub-resolution assist feature 혹은 scattering bar의 역할은? | 5 nm의1 파장을 사용하는 극자외선 노광공정(Extreme Ultra Violet Lithography, EUVL)에서도 sub-resolution assist feature(SRAF) 혹은 scattering bar의 적용이 고려되고 있다.[1,2] 이는 근접효과보정(optical proximity correction, OPC) 기술 중 하나로 고립 패턴(isolated pattern)의 전사패턴 크기 (critical dimension, CD)를 교정해주는 동시에 초점심도 (depth of focus, DOF)를 증가시킨다. [3] SRAF를 적용하는 것은 마스크 상에 새로운 패턴을 그리는 것으로, 마스크 패턴의 선폭을 조절하는 bias OPC 보다는 마스크 제작 공정이 더욱 복잡해진다. | |
마스크 패턴의 선폭을 조절하는 bias OPC보다 마스크 제작 공정이 더욱 복잡한 SRAF를 적용이 필요성이 대두되는 이유는? | [3] SRAF를 적용하는 것은 마스크 상에 새로운 패턴을 그리는 것으로, 마스크 패턴의 선폭을 조절하는 bias OPC 보다는 마스크 제작 공정이 더욱 복잡해진다. 그럼에도 불구하고 패턴이 미세화됨에 따라 극자외선 노광공정에서 고립 패턴들의 초점심도가 100 nm 이하를 가져 SRAF 적용의 필요성이 대두되고 있다. [4]일반적으로 SRAF의 선폭은 주 패턴의 선폭에 비하여 50~70%의 크기를 유지하여 주 패턴과 일정 공간을 유지한다. |
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