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다중(multiple) TSV-to-TSV의 임피던스 해석
The Impedance Analysis of Multiple TSV-to-TSV 원문보기

Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers = 전자공학회논문지, v.53 no.7 = no.464, 2016년, pp.131 - 137  

이시현 (동서울대학교 정보통신과)

초록
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본 논문에서는 기존의 2D IC의 성능을 개선하고 3D IC의 집적도와 전기적인 특성을 개선하기 위한 목적으로 연구되고 있는 TSV (Through Silicon Via)의 임피던스를 해석하였다. 향후 Full-chip 3D IC 시스템 설계에서 TSV는 매우 중요한 기술이며, 높은 집적도와 광대역폭 시스템 설계를 위해서 TSV에 대한 전기적인 특성에 관한 연구가 매우 중요하다. 따라서 본 연구에서는 Full-chip 3D IC를 설계하기 위한 목적으로 다중 TSV-to-TSV에서 거리와 주파수에 따른 TSV의 임피던스 영향을 해석하였다. 또한 이 연구 결과는 Full-chip 3D IC를 제조하기 위한 반도체 공정과 설계 툴에 적용할 수 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we analyze the impedance analysis of vertical interconnection through-silicon vias (TSV) that is being studied for the purpose of improving the degree of integration and an electric feature in 3D IC. Also, it is to improve the performance and the degree of integration of the three-dim...

주제어

#3 Dimensional Integrated Circuit (3D IC)   #Through Silicon Via (TSV)   #Impedance  

AI 본문요약
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제안 방법

  • Also, the results of this study can be applied as parameters of the process and the design environment for designing and manufacturing a full-chip 3D IC.
  • In this paper, on the basis of a result of the paper [2] and [3] for the purpose of applying the full-chip 3D IC design, we analyzed the impedance effect among the TSVs according to input frequency and analyzed impedance of the TSV-to-TSV in a multiple TSVto-TSVs in order to use as parameter of 3D IC design.
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참고문헌 (9)

  1. Sung Kyu Lim, Design for High Performance, Low Power, and Reliable 3D Integrated Circuit, Springer Press, 2013, ch. 1. 

  2. Taigon Song et al. Lim. Analysis of TSV-to-TSV Coupling with High-Impedance Termination in 3D ICs. IEEE, 2011. 

  3. Taigon Song, Chang Liu, Yarui Peng, and Sung Kyu Lim, Full-Chip Multiple TSV-to-TSV Coupling Extraction and Optimization in 3D ICs. DAC'13, May 29-June 07 2013. 

  4. Yu-Jen Chang, Hao-Hsiang Chuang, Yi-Chang Lu, Yih-Peng Chiou, and Tzong-Lin Wu, Novel Crosstalk Modeling for Through-Silicon Vias (TSV) ON 3-D IC: Experimental Validation and Application to Faraday Cago Design, IEEE, 2012. 

  5. Jonghyun Cho et al. Active circuit to through silicon via (TSV) noise coupling. In IEEE Electrical Performance of Electronic Packaging and Systems, 2009. 

  6. Kihyun Yoon et al. Modeling and analysis of coupling between TSVs, metal, and RDL interconnects in TSV-based 3D IC with silicon interposer. In Proc. IEEE Electronics Packaging Technology Conf., 2009. 

  7. B. Curran, I. Ndip, S. Guttovski, and H. Reichl. The impacts of dimensions and return current path geometry on coupling in single-ended Through Silicon Vias. In IEEE Electronic Components and Technology Conference, 2009. 

  8. L. Cadix et al. Integration and frequency dependent electrical modeling of Through Silicon Vias (TSV) for high density 3D ICs. In International Interconnect Technology Conference, 2010. 

  9. Kim, Joohee, High-frequency Scalable Modeling of a Through Silicon Via (TSV) and Proposal of a Failure Detection Method of 3D ICs, Ph.D Dissertation, KAIST, 2013. 

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