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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.16 no.2, 2017년, pp.94 - 97
(아주대학교 정보통신대학 전자공학과) , 최재원 (아주대학교 정보통신대학 전자공학과) , 전원진 (아주대학교 정보통신대학 전자공학과) , 조중열 (아주대학교 정보통신대학 전자공학과)
Amorphous Si has been used for data processing circuits in flat panel displays. However, low mobility of the amorphous Si is a limiting factor for the data transmission speed. Metal oxides such as ZnO have been studied to replace the amorphous Si. ZnO is a wide bandgap (3.3 eV) semiconductor with hi...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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InGaZnO의 특징은? | 평판 디스플레이(flat panel display)의 신호처리 회로에는 비정질 실리콘 박막이 많이 사용되고 있는데, 최근 비정질 실리콘의 한계를 극복하기 위하여 ZnO, InGaZnO 등 금속산화물 반도체가 많이 연구되고 있다. InGaZnO의 전자이동도는 우수하지만 인듐의 가격이 비싸고 세가지의 금속이 들어가기 때문에 성장조건이 복잡하다는 문제가 있다 [1]. 이에 비하여 ZnO는 박막 성장과정이 단순하고 생산원가가 저렴하다는 것이 큰 장점이다 [2]. | |
ZnO의 장점은? | InGaZnO의 전자이동도는 우수하지만 인듐의 가격이 비싸고 세가지의 금속이 들어가기 때문에 성장조건이 복잡하다는 문제가 있다 [1]. 이에 비하여 ZnO는 박막 성장과정이 단순하고 생산원가가 저렴하다는 것이 큰 장점이다 [2]. 스퍼터링으로 ZnO 박막을 성장시킬 때 ZnO 세라믹 타겟과 Zn 금속 타겟 두가지가 사용 가능한데, 세라믹 타겟은 금속 타겟에비하여 가격이 비싸고 대면적 타겟을 만드는 것이 어렵다. | |
ZnO는 박막성장후에 어닐과정을 진행시키는 이유는? | 어닐 과정을 거치기 전에는 전류는 크지만 off 특성이 나쁘다. 어닐 과정을 거치면서 off 특성을 악화시키는 결함이 제거된 것으로 생각된다. |
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