[논문]Current Modeling for Accumulation Mode GaN Schottky Barrier MOSFET for Integrated UV Sensors

Park, Won-June; Hahm, Sung-Ho

doi:10.5369/jsst.2017.26.2.79

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Journal of sensor science and technology = 센서학회지, v.26 no.2, 2017년, pp.79 - 84

Park, Won-June (School of Electronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University) , Hahm, Sung-Ho (School of Electronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University)

Abstract ▼ AI-Helper

The drain current of the SB MOSFET was analytically modeled by an equation composed of thermionic emission and tunneling with consideration of the image force lowering. The depletion region electron concentration was used to model the channel electron concentration for the tunneling current. The Schottky barrier width is dependent on the channel electron concentration. The drain current is changed by the gate oxide thickness and Schottky barrier height, but it is hardly changed by the doping concentration. For a GaN SB MOSFET with ITO source and drain electrodes, the calculated threshold voltage was 3.5 V which was similar to the measured value of 3.75 V and the calculated drain current was 1.2 times higher than the measured.

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In this work, the drain current of the SB MOSFET was modeled mathematically by considering thermionic emission and tunneling components was calculated for accumulation mode. The electron concentration was substituted by the channel electron concentration for modeling the thickness of depletion layer below the schottky contact, because the barrier width is changed by it.

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