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문제 정의

  • 소자로 평가되고 있다. 본 장에서는 탄화규소 소재의 특성과 탄화규소를 이용한 전력반도체소자에 대해 소개하고자 한다.
  • 탄화규소를 이용한 전력반도체 소자는 탄화규소가 가지는 뛰어난 전기적, 열적 특성으로 인해 전기 및 전자기기의 에너지 효율 향상이라는 최근의 추세에 적합한 소자로 대두되고 있다. 본고에서는 탄화규소를 이용한 전력반도체 소자의 기술과 관련 시 장에 대해 소개하고자 한다.
  • 탄화규소 IGBT는 MOSFET과 마찬가지로 실리콘 IGBT 의 공정을 그대로 적용할 수 있고, MOSFET과 BJT가 가지는 단점을 극복할 수 있기 때문에 대용량 시스템에 적용이 가능할 것으로 평가되는 소자이다. 하지만, IGBT에서 필요로하는 p-형 탄화규소 기판의 제조가 어렵고, 고농도의 구현이 힘들기 때문에 아직까지는 소자의 양산보다는 관련 소재의 특성 개선을 위한 연구가 주로 이루어지고 있다.
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참고문헌 (10)

  1. Saleh Kargarrazi et al., "A monolithic SiC drive circuit for SiC power BJTs," Proc. 27th ISPSD, 2015. 

  2. Kamel Madjour, "Silicon Carbide market update - From discrete devices to modules," PCIM Europe 2014. 

  3. Yole SiC Market report, Yole, 2014. 

  4. Siddarth Sundaresan et al., "10kV SiC BJT - static, switching and reliability characteristics," Proc. 25th ISPSD, 2013. 

  5. The World Market for SiC & GaN Power Semiconductor Report, IMS Research, 2013. 

  6. Subhashish Bhattacharya, "15kV SiC IGBT modules for grid scale power conversion," ARPA-E ADEPT Program, 2010. 

  7. Jose Millan, "A new generation of power semiconductor devices," SAAEI 2009. 

  8. Jeffrey B. Casady, "Recent advancements in SiC power devices & the impact of normally-off JFETs on PV inverter platforms," IRM 2009. 

  9. A. R. Hefiner, R. Singh, J. Lai, D. W. Berning, S. Bouche, C. Chapuy, "SiC power diodes provide breakthrough performance for a wide range of applications," IEEE Trans. PE., Vol. 16, No. 2, pp. 273-280, Mar. 2001. 

  10. Qingchun Zhang, Mrinal Das, Joe Sumakeris, Robert Callanan, and Anant Agarwal, "12-kV p-Channel IGBTs with low on-resistance in 4H-SiC," IEEE Trans. EDL., Vol 29, No. 9, pp. 1027-1029, Sep. 2008. 

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