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NTIS 바로가기정보과학회논문지 = Journal of KIISE, v.44 no.11, 2017년, pp.1130 - 1137
박지성 (서울대학교 컴퓨터공학부) , 이성진 (대구경북과학기술원 정보통신융합전공) , 김지홍 (서울대학교 컴퓨터공학부)
The multi-leveling technique that stores multiple bits in a single memory cell has significantly improved the density of NAND flash memory along with shrinking processes. However, because of the side effects of the multi-leveling technique, the average write performance of MLC NAND flash memory is d...
C. Kim et al., "A 21 nm High Performance 64 Gb MLC NAND Flash Memory with 400 MB/s Asynchronous Toggle DDR Interface," Proc. IEEE International Solid-Sate Circuits Conference, 2013.
J. Park et al., "Improving Performance and Lifetime of NAND Storage Systems Using Relaxed Program Sequence," Proc. Design Automation Conference, 2016.
Y.-M. Chang et al., "Achieving SLC Performance with MLC Flash Memory," Proc. Design Automation Conference, 2015.
K.-T. Park et al., "A Zeroing Cell-to-Cell Interference Page Architecture with Temporary LSB Storing and Parallel MSB Program Scheme for MLC NAND Flash Memories," IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 43, No. 4, pp. 919-928, Apr. 2008.
Fio benchmark. [Online]. Available: http://freecode.com/projects/fio (accessed 2017, Feb. 10)
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