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NTIS 바로가기한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.21 no.9, 2017년, pp.1627 - 1634
전종석 (Department of Electronic Engineering, Incheon National University) , 조성호 (Department of Electronic Engineering, Incheon National University) , 최혜지 (Department of Electronic Engineering, Incheon National University) , 박종태 (Department of Electronic Engineering, Incheon National University)
In this work, a junctionless transistor with different film thickness of amorphous InGaZnO has been fabricated and it's instability has been analyzed with different film thickness under positive and negative gate stress as well as light illumination. It was found that the threshold voltage shift and...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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무접합 트랜지스터의 소자 설계 변수에는 무엇이 있는가? | 무접합 트랜지스터의 주된 동작 원리는 게이트에 전압이 인가되지 않는 OFF 상태에서는 채널 전자가 완전히 공핍이 되고 게이트에 문턱전압보다 높은 전압이 인가된 ON 상태에서는 전자에 의한 채널이 형성되는 것이다. 무접합 트랜지스터의 주요 소자 설계 변수로는 박막의 두께, 게이트 일함수, 산화층 두께, 유전상수가 높은 게이트 산화층 물질 등이다 [7, 8]. 박막의 두께가 얇을수록 소자의 OFF 특성이 우수하므로 소자 설계가 용이하다. | |
InGaZnO (a-IGZO) 박막 트랜지스터의 특징은? | 산화물 반도체인 비정질 InGaZnO (a-IGZO) 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistors: TFTs)는 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 높은 전자 이동도와 구동전류 대 누설전류 ( ION /IOFF ) 비율 등의 우수한 전기적 특성 외에 넓은 면적의 박막 증착이 용이하므로 차세대 디스플레이 소자로 평가받고 있다. 일반적으로 a-IGZO TFTs의 소스 및 드레인 전극 재료는 접촉저항이 적은 금속을 사용하고 있으나 빛의 투과성이 낮으므로 ITO (Indium Thin Oxide)와 IGZO 박막을 사용하는 연구가 진행되고 있다 [1-3]. | |
채널 박막 두께가 얇을수록 문턱전압의 변화가 큰 이유는? | 채널 박막 두께가 얇을수록 PBS, PBIS 및 NBIS에서 문턱전압의 변화가 큰 것을 알 수 있었으며 그 원인을 2가지로 설명하였다. 첫째는 박막이 얇을수록 캐리어 트랩핑 시간이 짧아 전자나 홀이 빨리 활성화된다는 것이다. 둘째는 채널 박막의 두께가 얇을수록 박막의 뒷부분에서 채널의 수직 전계가 증가하여 전자나 홀을 많이 축적할 수 있기 때문이다. PBIS에서 보다 NBIS에서 문턱전압 변화가 큰 것을 알수 있었다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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