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NTIS 바로가기한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.21 no.10, 2017년, pp.1827 - 1832
오데레사 (Department of Semicnoductor Engineering, Cheongju University)
To observe the characteristics to be a resistive memory of
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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대량 고집적화에도 충분히 보장할 수 있는 ReRAM의 특징은? | 특히나 ReRAM은 DRAM이나 NAND Flash를 대처할 수 있을 것이라는 기대감이 되어지는 메모리소자이기도 하다. 빠른 읽기/쓰기가 가능하고 전압이 끊어져도 정보가 유지되는 비휘발성 특성과 저전압에서 동작한다는 특징은 매우 매력적인 것으로 대량 고집적화에도 충분히 보장할 수 있는 것으로 보고되고 있다[3,4]. 비정질 IGZO는 ZnO 기반의 산화물반도체로서 산소공공에 의한 전도성이 우수하고 투명하고 휘어질 수 있는 특징으로 인하여 차세대 반도체 소자로 주목받고 있는 물질이다. | |
SRAM은 무엇인가? | 최근에 산화물반도체의 쓰임이 다양해지면서 메모리소자에 적용하려는 연구가 많아지고 있다[1,2]. 반도체소자의 크기가 작아지는 것은 물론 비휘발성 (non volatile)의 특성을 가지면서 빠르고 용량이 큰 메모리 SRAM (static random access memory) 에 대한 연구가 이루어지고 있다. 이러한 특성을 갖는 메모리를 ReRAM (resistive random access memory)이 있는데 산화물을 사용하여 저항을 변화시켜가면서 스위칭이 일어나게 하는 메모리소자이다. | |
V2O5는 어떤 특징으로 어디에 쓰이는가? | 대부분의 산화물반도체는 n형반도체 특징을 나타내는 반면에 SnO2는 p형 반도체 특징을 갖는다. V2O5는 온도에 대한 반응이 민감하여 스마트 윈도우에 쓰인다. 전도성이 우수한 산화물 반도체를 메모리에 적용할 수 있는데, 특히 IGZO를 이용한 멀티 레벨 저장력을 가진 저항성 메모리장치(RRAM resistive random access memory)는 네 개의 다른 저항 상태가 전압펄스 또는 규정 전류(compliance current)에 의해 얻어지며, 프로그램/지우기 내구성(endurance)과 리텐션 (retention-저장한 정보를 얼마나 오래도록 유지할 수 있는지를 시간으로 측정)의 우수한 특성은 멀티레벨 비휘발성 메모리 기술의 응용에 이용될 수 있을 것으로 기대되고 있다. |
T. Oh, "Tunneling Condition at High Schottky Barrier and Ambipolar Transfer Characteristics in Zinc Oxide Semiconductor Thin Film Transistor," Materials Research Bulletin, vol. 77, pp.1-7, May 2016.
R. I. Revilla, X. J. Li, Y. L. Yang, C. Wang, "Large electric field enhanced hardness effect in a $SiO_2$ film," Scientific Reports, vol. 4, 4523, Mar. 2014.
J. C. K. Lam, M. Y. M. Huang, T. H. Ng, M. K. B. Dawood, F. Zhang, A. Du, H. Sun, Z. Shen, and Z. Mai1, "Evidence of ultra-low-k dielectric material degradation and nanostructure alteration of the Cu/ultra-low-k interconnects in time-dependent dielectric breakdown failure," Applied Physics Letters, vol. 102, 022908, Jan. 2013.
T. Oh, "Tunneling Phenomenon of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Film Transistors for Flexible Display," Electronic Materials Letters, vol. 11, pp. 853-861, Sep. 2015.
J. Robertson, R. M. Wallace, "High-K materials and metal gates for CMOS applications," Materials Science and Engineering R, vol. 88, pp.1-41, Nov. 2015.
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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