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[국내논문] RF 가열용 S-대역 반도체 전력 발진기
S-Band Solid State Power Oscillator for RF Heating 원문보기

韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.29 no.2, 2018년, pp.99 - 108  

장광호 (광운대학교 전파공학과) ,  김보기 (광운대학교 전파공학과) ,  최진주 (광운대학교 전파공학과) ,  최흥식 (LG전자) ,  심성훈 (LG전자)

초록
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본 논문은 마그네트론 대체를 위한 반도체 전력 발진기 모듈 설계에 관련된 내용을 기술하였다. 300급 LDMOS 단일 전력 증폭기의 특성을 확인하였고 두 개를 결합하여 모듈을 구성하였다. 결합된 모듈에 delay-line feedback loop을 구성하고 위상 천이기를 이용하여 위상을 조절하여 발진기를 구동시켰다. 발진기 모듈 측정 결과 주파수 2.327 GHz에서 출력 800 W, 효율 58 %로 측정되었다. 이 결과는 시뮬레이션 결과와 유사한 특성을 보여준다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper presents a design study of a solid state power oscillator to replace the conventional magnetron. The operational conditions of a single-stage 300 W LDMOS power amplifier were fully characterized. The power module consisted of two amplifiers connected in parallel. A delay-line feedback loo...

Keyword

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문제 정의

  • 본 논문에서는 높은 출력 전력을 갖는 반도체 전력 발진기에 대한 연구를 수행하였다. 300 W급 LDMOS 두 개를 결합하여 고출력 발진기를 설계하였고 특성을 확인하였다.
  • 본 논문은 마그네트론 대체를 위한 고출력 전력 발진기 모듈에 대해서 기술하였다. Ampleon 300 W급 LDMOS소자인 BLC2425M8LS300P을 이용하여 설계하였다.

가설 설정

  • 그러기 위해서는 열해석이 반드시 필요로 한다. 기본적인 조건은 바닥은 구리로 하고 트랜지스터는 0.1 mm 두께로 납땜이 되어 있고 외부 온도는 25℃라고 가정한다. 그리고 열 전력은 효율 40 %를 가정하여 각각 750 W 열 전력을 발산한다고 가정하였다.
  • 1 mm 두께로 납땜이 되어 있고 외부 온도는 25℃라고 가정한다. 그리고 열 전력은 효율 40 %를 가정하여 각각 750 W 열 전력을 발산한다고 가정하였다. 먼저 그림 7(a)의 결과를 확인하면 FAN으로 열을 낮추는 것은 한계가 있다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
현재 통신 시스템이나 산업 시스템에 적용되고 있는 발진기와 증폭기는 어떻게 구분되는가? 현재 통신 시스템이나 산업 시스템에 적용되고 있는 발진기와 증폭기는 크게 진공관(vacuum tube) 기술을 이용한 것과 반도체 기술을 이용한 것으로 구분된다. 통상적으로 높은 출력이 요구되는 시스템에는 진행파관(Tra- veling-Wave Tube: TWT)을 비롯한 가정용 전자레인지의 마그네트론 등의 진공관 기술이 근간을 이루고 있다.
반도체 기술을 이용한 발진기와 증폭기에서 발생하는 문제점은 무엇인가? 반도체 소자를 사용할 경우 동작 전압이 낮은 장점을 가지고 있다. 하지만 반도체 소자를 이용한 전력원은 최종 출력단 증폭기에서 높은 출력을 얻기 위해서 소출력 발진기와 같은 RF 신호원과 구동을 위한 여러 단의 증폭기가 필요하다[1]. 최종 출력단의 고출력 전력 증폭기를 비롯한 각 구동단의 효율 특성을 개선시킨다고 해도, 전체 시스템 효율은 구동단의 수가 늘어날수록 떨어지게 된다. 시스템효율 특성이 안 좋을수록 열로 소모되는 전력은 증가하게 되고, 시스템 온도가 증가하게 되어 반도체 소자들의 성능이 열하된다. 따라서 추가적인 냉각 비용과 시스템 크기가 증가하는 문제점이 있다[2]~[4]. 이러한 문제는 높은 출력 전력과 효율 특성을 갖는 RF 발진기 시스템에 적용한다면 해결이 가능하다.
진공관 형태의 발진기와 증폭기의 단점은 무엇인가? 통상적으로 높은 출력이 요구되는 시스템에는 진행파관(Tra- veling-Wave Tube: TWT)을 비롯한 가정용 전자레인지의 마그네트론 등의 진공관 기술이 근간을 이루고 있다. 하지만 진공관 형태의 발진기와 증폭기는 크기가 크고, 수kV의 동작 전압이 필요하기 때문에 별도의 승압 장치가 필요하게 되어 전체 시스템 부피가 상당히 커지는 단점이 있다.
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참고문헌 (12)

  1. 최진주, 김상훈, 신석우, 김형종, (2013), “전력 발진기”, 특허등록 10-1283850. 

  2. 10.1109/MWSYM.2009.5165994 W. J. Hwang, S. W. Shin, G. W. Choi, H. J. Kim, and J. J. Choi, “High-efficiency power oscillator using harmonic-tuned matching network,” in 2009 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, Boston, Jun. 2009, pp. 1505-1508. 10.1109/MWSYM.2009.5165994, 19533579 

  3. A. Gitsevich, D. Kirkatrick, and L. Dymond, “Solid-state high power RF oscillator,” in 2001 IEEE MTT-S International Microwave Sympsoium Digest, Phoenix, 2001, vol. 3, pp. 1423-1426. 

  4. 10.1109/TMTT.2006.882406 S. Jeon, A. Suarez, and D. B. Rutledge, “Nonlinear design technique for high-power switching-mode oscillator,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 54, no. 10, pp. 3630-3640, Oct. 2006. 10.1109/TMTT.2006.882406 

  5. 10.1109/TMTT.2006.874872 P. Colantonio, F. Giannini, R. Giofre, E. Limiti, A. Serino, and M. Peroni, et al., “A C-band high-efficiency second-harmonic-tuned hybrid power amplifier in GaN technology,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 54, no. 6, pp. 2713-2722, Jun. 2006. 10.1109/TMTT.2006.874872 

  6. 10.1002/9780470512098 A. Grebennikov, RF and Microwave Transistor Oscillator Design, John Wiley & Sons, 2007. 10.1002/9780470512098 

  7. 10.1109/22.721171 M. Regis, O. Lopis, and J. Graffeuil, “Nonlinear modeling and design of bipolar transistor ultra low phase-noise dielectric-resonator oscillator,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 46, no. 10, pp. 1589-1593, Oct. 1998. 10.1109/22.721171 

  8. 10.1109/JSSC.1981.1051542 J. Ebert, M. K. Kazimierczuk, “Class-E high-efficiency tuned power oscillator,” IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 16, no. 2. pp. 62-66, Apr. 1981. 10.1109/JSSC.1981.1051542 

  9. 10.1109/TCSI.2005.849127 M. K. Kazimierczuk, V. G. Krizhanovski, J. V. Rassokhina, and D. V. Chernov, “Class-E MOSFET tuned power oscillator design procedure,” IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol. 52, no. 6, pp. 1138-1147, Jun. 2005. 10.1109/TCSI.2005.849127 

  10. H. Hase, H. Sekiya, J. Lu, and T. Yahagi, “Novel design procedure for MOSFET class E oscillator,” in Circuits and Systems, 2004. MWSCAS '04. The 2004 47th Midwest Symposium on, Hiroshima, Jul. 2004, pp. I33-I36. 

  11. Ampleon, Data sheet for BLC2425M8LS300P LDMOS, Jun. 2016. Available: http://www.ampleon.com. 

  12. V. Crnadak, “VHF Gysel 3 dB power divider/combiner,” in Proceedings of 4th International Conference on Electrical, Electronics and Computing Engineering, IcETRAN 2017, Kladovo, Jun. 2017, pp. MTI1.7.1-4. 

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