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용액공정으로 제작한 ZnO/Ag/ZnO 다층구조의 광학적 특성 연구
Optical Properties of All Solution processed ZnO/Ag/ZnO Multilayers 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.25 no.4, 2018년, pp.119 - 122  

이형인 (경기대학교 신소재공학과) ,  김지완 (경기대학교 신소재공학과)

초록
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본 논문은 용액공정으로 제작한 ZnO/Ag/ZnO 다층구조투과도에 대해 연구하였다. 다양한 두께의 ZnO/Ag/ZnO 다층구조를 스핀코팅을 이용해 제작하였고 광학적 특성을 측정하였다. ZnO는 졸겔법으로 제작하였고 Ag는 Ag 용액을 이용해 스핀코팅으로 증착하였다. 최적화된 Ag 두께를 찾기 위해 Ag 용액의 농도, 스핀코팅의 회전속도를 조절하고 두께와 면저항을 측정하였다. ZnO/Ag/ZnO 다층구조의 투과도는 가시광 영역에서 최대 63%까지 증가하였다. 적외선 영역에서 ZnO/Ag/ZnO 다층구조의 투과도는 Ag 용액의 농도가 2.5wt%일 때 투과도가 35%까지 감소하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Various ZnO/Ag/ZnO multilayers were fabricated and their optical properties were investigated. Top and bottom ZnO layers were formed by sol-gel method and mid-metal layers were deposited by spin coating. To find suitable deposition condition of Ag, we measure thickness and sheet resistance of Ag mon...

주제어

표/그림 (5)

AI 본문요약
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문제 정의

  • 8) ZnO 기반의 OMO 다층구조의 투과도는 금속층의 두께를 조절하여 600nm에서 80% 까지 나타내었고 면 저항은 10Ω/sq이하로 감소하였다.10,11) 일반적으로 OMO 다층구조는 진공 공정을 이용한 RF 스퍼터링으로 제작하지만, 본 논문에서는 용액공정을 기반으로 한 다양한 ZnO/Ag/ZnO 다층구조를 제작하여 광학적 특성을 연구 하였다. 본 연구에서 OMO 다층구조의 산화물층은 ZnO 를 사용하였으며 졸겔법을 이용해 제작하였다.
  • 본 논문에서는 용액공정을 이용한 ZnO/Ag/ZnO 다층구조를 제작하여 광학적 특성을 확인하였다. ZnO는 졸겔법을 이용하였고 Ag 용액을 스핀 코팅하여 Ag층을 증착하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
ZnO의 매장량과 전자이동도 및 가시광 영역에서 투과성은 어떠한가? 3,4) 하지만 인듐 (Indium)의 매장량이 제한되어 있어 높은 가격을 가지기 때문에 이를 대체하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다. ZnO는 매장량이 풍부하기 때문에 저렴하며 전자이동도가 높고 (~2000 cm2/(V·s) at 80K) 가시광 영역 (390~700nm)에서 투과성이 우수하기 때문에 관련 연구가 활발히 진행되고 있다.5-8) ZnO는 굴절률이 비교적 높기 (n~2.
OMO 다층구조의 투과도는 무엇에 영향을 받는가? 0) 때문에 굴절률이 낮은 금속 박막과 결합하여 TCO를 만드는 것이 적합하다.9) 가시광선 및 적외선 (Infrared, IR) 영역에서 Oxide/Metal/Oxide (OMO) 다층구조의 투과도는 산화물층보다 중간의 금속층의 두께에 영향을 받는다. 금속층의 두께를 고정시키고 산화물층의 두께를 20nm에서 50nm로 변화시킬 때 투과도에 큰 변화는 보이지 않았다.
Indium Tin Oxide는 어떤 특성을 가지고 있는가? 지난 20년간 평판 디스플레이와 광전소자 분야에서 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO)의 사용에 대해 많은 연구가 진행되고 있다.1-3) Indium Tin Oxide (ITO)는 TCO로 가장 많이 사용되는 물질로 높은 투과도와 높은 전기전도성을 지니고 있다. 뿐만 아니라 Organic Light Emitting Diodes에서 효과적으로 정공을 주입하기 위한 에너지 레벨을 지니고 있다.3,4) 하지만 인듐 (Indium)의 매장량이 제한되어 있어 높은 가격을 가지기 때문에 이를 대체하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다.
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