최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기한국윤활학회지 = Tribology and lubricants, v.34 no.3, 2018년, pp.115 - 122
이현섭 (동명대학교 기계공학부)
Chemical mechanical polishing (CMP) is a hybrid processing method in which the surface of a wafer is planarized by chemical and mechanical material removal. Since mechanical material removal in CMP is caused by the rolling or sliding of abrasive particles, interfacial friction during processing grea...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
CMP공정은 어떤 공정에서 활용되는가? | 화학기계적 연마(chemical mechanical polishing; CMP) 공정은 반도체 제조공정의 하나로 반도체용 기판 (substrate)으로 널리 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼 (silicon wafer)의 제조에서 표면거칠기 확보에서부터 소자의 분리(shallow trench isolation; STI), 층간 절연막(inter layer dielectric; ILD)의 형성, 금속배선 형성을 위한 상감법(damascene) 및 이중 상감법(dual damascene) 까지 널리 활용되고 있는 기술이다[1-3]. | |
CMP 공정에서 힘 센서의 단점은? | 웨이퍼에 작용하는 마찰력을 측정하기 위해 회전하는 연마패드의 접선방향에 힘 센서를 포함하는 지그(jig)를 위치시키는 방법과 연마헤드와 장비의 체결부 사이에 센서를 장착하는 방법이 있다. 본 방식은 센서의 장착이 간단하지만, 기판에 작용하는 접선방향의 힘만 측정되는 단점이 있다. 또한, 반도체 공정에 적용되는 양산장비에 적용하는데 한계가 있다. | |
CMP 공정이 화학기계적 평탄화라고 불리는 이유는? | CMP 공정은 그 이름이 내포하는 바와 같이 화학적, 기계적인 재료제거 방식이 융합된 연마가공 기술을 의미하며 반도체 제조에서는 박막 증착(deposition) 이후 발생하는 미세한 요철을 제거하는 목적에 주로 활용하 기 때문에 “화학기계적 연마”라는 용어 대신 “화학기계 적 평탄화(chemical mechanical planarization)”로 불리기도 한다. |
Ko, B. G., Yoo, H. C., Park, J. G., "Effects of pattern density on CMP removal rate and uniformity", J. Kor, Phys. Soc., Vol. 39, pp. S318-S321, 2001.
Lee, H., Park, Y., Lee, S., Jeong, H., "Effect of wafer size on material removal rate and its distribution in chemical mechanical polishing of silicon dioxide film", J. Mech. Sci. Technol., Vol. 27, No. 10, pp. 2911-2916, 2013.
Nanz, G., Camilletti, L. E., "Modeling of chemical-mechanical polishing: A review", IEEE Trans. Semicon. Manufact., Vol. 8, No. 4, pp. 382-389, 1995.
Lee, H. S., Jeong, H. D., "Chemical and mechanical balance in polishing of electronic materials for defect-free surfaces," CIRP Ann. Manufact. Technol., Vol. 58, pp. 485-490, 2009.
Lee, H., Lee, D., Jeong, H., "Mechanical aspects of the chemical mechanical polishing process: A review", Int. J. Precis. Eng. Manufact., Vol. 17, No. 4, pp. 525-536, 2016.
Hayashi, S., Koga, T., Goorsky, M. S., "Chemical mechanical polishing of GaN", J. Electrochem. Soc., Vol. 155, No. 2, pp. H113-H116, 2008.
Lu, H., Obeng, Y., Richardson, K. A., "Applicability of dynamic mechanical analysis for CMP polyurethane pad studies", Mater. Charact., Vol. 49, Issue 2, pp. 177-186, 2002.
Park, B., Lee, H., Kim, H., Seo, H., Kim, G., Jeong, H., "Characteristics of friction affecting CMP results", J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., Vol. 17, No. 10, pp. 1041-1048, 2004.
Bahr, M., Sampurno, Y., Han, R., Phillipossian, A., "Improvements in stribeck curves for copper and tungsten chemical mechanical planarization on soft pads", ECS J. Solid State Sci. Technol., Vol. 6, No. 5, pp. P290-P295, 2017.
Lee, H. S., Park, B. Y., Park, S. M., Kim, H. J., Jeong, H. D., "The characteristics of frictional behavior in CMP Using an integrated monitoring system", Key Eng. Mater., Vol. 339, pp. 152-157, 2007.
Scarfo, A. M., Manno, V. P., Rogers, C. B., Anjur, S. P., Moinpour, M., "In situ measurement of pressure and friction during CMP of Contoured Wafers", J. Electrochem. Soc., Vol. 152, No. 6, pp. G477-G481, 2005.
Kim, G., Kim, H., Park, B., Park, K., Jeong, H., "Effect of abrasive particles on frictional force and abrasion in Chemical Mechanical Polishing (CMP)," J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., Vol. 17, No. 10, pp. 1049-1055, 2004.
Kim, H. J., A Study on the Interfacial Characteristics and Its Effect on Material Removal in CMP, Doctoral Thesis, Department of Mechanical Engineering, Pusan National University, Korea, 2004.
Choi, W., Abiade, J., Lee, S. M., Singh, R. K., "Effects of slurry particles on silicon dioxide CMP", J. Electrochem. Soc., Vol. 151, No. 8, pp. G512-G522, 2004.
Luo, J., Dornfeld, D. A., "Effects of abrasive size distribution in chemical mechanical planarization: modeling and verification", IEEE Trans. Semicon. Manufact., Vol. 16, No. 3, pp. 469-476.
Lee, H. S., Jeong, H. D., Dornfeld, D. A., "Semi-empirical material removal rate distribution model for $SiO_2$ Chemical Mechanical Polishing (CMP) processes", Precis. Eng., Vol. 37, pp. 483-490, 2013.
Lee, H., Lee, S., "Investigation of pad wear in CMP with swing-arm conditioning and uniformity of material removal," Precis. Eng., Vol. 49, pp. 85-91, 2017.
Park, K., Jeong, H., "Investigation of pad surface topography distribution for material removal uniformity in CMP process", J. Electrochem. Soc., Vol. 155, No. 8, pp. H595-H602, 2008.
Johnson, K. L., Contact Mechanics, Cambridge University Press, Cambridge, 1985.
Qin, K., Moudgil, B., Park, C. W., "A chemical mechanical polishing model incorporating both the chemical and mechanical effects", Thin Solid Films, Vol. 446, pp. 277-286, 2004.
Jeong, H., Lee, H., Choi, S., Lee, Y., Jeong, H., "Prediction of real contact area from microtopography on CMP pad", J. Adv. Mech. Des. Sys. Manufact., Vol. 6, No. 1, pp. 113-120, 2012.
Yeruva, S. B., Park, C.-W., Rabinovich, Y. I., Moudgil, B. M., "Impact of Pad-Wafer contact area in chemical mechanical polishing", J. Electrochem. Soc., Vol. 156, No. 10, pp. D408-D412, 2009.
Kim, H. J., Yang, J. C., Yoon, B. U., Lee, H. D., Kim, T., "Nano-Scale stick-slip friction model for the chatter scratch generated by chemical mechanical polishing process", J. Nanosci. Nanotechnol., Vol. 12, pp. 5683-5686, 2012.
Lee, H., Park, B., Seo, H., Park, K., Jeong, H., "A Study on the Characteristics of Stick-Slip Friction in CMP," J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., Vol. 18, No. 4, pp. 313-320, 2005.
Jung, S., Sung, I. H., "Observation on the relationship between surface defects and stick-slip friction in chemical-mechanical polishing", Proc. of the KSTLE, Jeju, Korea, September, 2012.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.