최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.28 no.4, 2018년, pp.159 - 165
이희애 (한양대학교 신소재공학과) , 박재화 (한양대학교 신소재공학과) , 이주형 (한양대학교 신소재공학과) , 박철우 (한양대학교 신소재공학과) , 강효상 (한양대학교 신소재공학과) , 인준형 (한양대학교 신소재공학과) , 심광보 (한양대학교 신소재공학과)
The demand on use of GaN single crystal substrates for high efficient and environment - friended high power electronic semiconductor has be increased. The industrial business trend on GaN substrate along with its research activities has been reviewed through the recent scientific and technical in fo...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
Si 반도체 기반의 전력반도체의 대안으로 개발되고 있는 것은? | 최근 40여년 동안 Si 반도체 기반의 전력반도체를 주로 사용하고 있지만[5], 상대적으로 느린 전자이동속도, 10 nm 이하로 가공하기 힘든 점, 2 GHz 이상의 고주파를 가하면 반도체 성질을 잃어 휴대전화 같은 이동통신 기기에 사용할 수 없는 점 등 물성적인 한계에 부딪히게 되었다. 따라서, Si 반도체 기반의 전력반도체를 대체할 것으로 기대하고 개발되고 있는 것이 SiC, GaN 등과 같은 우수한 물성을 갖고 있는 wide band gap 반도체이며, 이미 미국, 유럽, 일본의 경우 이러한 화합물 반도체 기반 소자 연구가 활발히 진행 중이다[2]. | |
Si 반도체 기반의 전력반도체가 갖는 단점은? | 최근 40여년 동안 Si 반도체 기반의 전력반도체를 주로 사용하고 있지만[5], 상대적으로 느린 전자이동속도, 10 nm 이하로 가공하기 힘든 점, 2 GHz 이상의 고주파를 가하면 반도체 성질을 잃어 휴대전화 같은 이동통신 기기에 사용할 수 없는 점 등 물성적인 한계에 부딪히게 되었다. 따라서, Si 반도체 기반의 전력반도체를 대체할 것으로 기대하고 개발되고 있는 것이 SiC, GaN 등과 같은 우수한 물성을 갖고 있는 wide band gap 반도체이며, 이미 미국, 유럽, 일본의 경우 이러한 화합물 반도체 기반 소자 연구가 활발히 진행 중이다[2]. | |
GaN 기판은 어느 분야에 응용되고 있는가? | GaN 기판의 응용분야는 크게 세 가지로 고출력 LED,laser diode(LD), 그리고 power device가 있다. 고출력 LED로서 건축조명, 신호등, 자동차 백라이트, 휴대폰 등에 사용되고, LD로서 블루레이, 프로젝션, 산업 및 의료용으로, 그리고 power device로서 power supply, 자동차,냉장고, 디지털기기 등 전력변환이 필요한 모든 부품 및 소자에 응용이 될 수 있다[7, 10]. |
J.K. Mun, "GaN power device domestic and international R & D trends and future prospects", Ceramist 16 (2013) 53.
H.M. Woo, J.Y. Ahn, M.J. Lee and J.D. La, "Application of next generation power semiconductor SiC and GaN", The Proceedings of KIEE 63 (2014) 24.
M. Cho, "Technology trend of next generation power device SiC/GaN" (KISTI, Daejeon, 2012) p. 1.
H.S. Chun and I.S. Yang, "Market and technology development trends of power IC", Electronics and Telecommunications Trends 28 (2013) 206.
Tech Web, "What is silicon carbide?", http://micro.rohm.com/en/techweb/knowledge/sic/s-sic/02-s-sic/3669/ (accessed June 4, 2017).
J.B. Kim, "The issues and the technology trends of LED", Electronics and Telecommunications Trends 24 (2009) 61.
B.J. Yoon, "GaN, Challenge to supremacy of the next generation power semiconductor", Electronic Science, Special Feature (2012) 60.
J.H. Park, H.A. Lee, J.H. Lee, C.W. Park, J.H. Lee, H.S. Kang, H.M. Kim, S.H. Kang, S.Y. Bang, S.K. Lee and K.B. Shim, "Crystal characteristics of bulk GaN single crystal grown by HVPE method with the increase of thickness", J. Ceram. Proc. Res. 18 (2017) 93.
Yole developpement, "Bulk & Free-Standing GaN", 2013 ed. (Yole developpement, Villeurbanne, 2013) p. 29.
K.I. Kim, "GaN wafer", KISTI MARKET REPORT 5 (2015) 7.
S.J. Kang, J.S. Moon, C.W. Kwak, J.I. Kim, H.D. Cho, J.W. Park, J.S. Jung, M.S. Jeon, S.M. Kim, B.Y. Jung, N.K. Kim, W. Bang, H.W. Kim, W.S. Seo, H.S. Shin, M.H. Lee, S.M. Lee, J.H. Jang, W.S. Cho, H.J. Kim, H.J. Kwon, Y.J. Park, B.G. Kwon and S.U. Shim, "A white paper on ceramic Technology in 2016" (KICET, Jinju, 2016) p. 130.
Yole developpement, "Bulk & Free-Standing GaN", 2013 ed. (Yole developpement, Villeurbanne, 2013) p. 15.
Pam-xiamen, "GaN (gallium nitride) Templates", http://www.powerwaywafer.com/GaN-Templates.html (accessed June 12, 2017).
Nanowin, "GaN Templates 2 & 4 inch", http://shop.nanowin.com.cn/product_center.php (accessed June 12, 2017).
Kyma technologies, "Gallium Nitride (GaN) Templates", http://www.kymatech.com/products/substrates-templates/36-templates/497-gan-templates (accessed June 12, 2017).
Kyma technologies, "C-Plane Bulk GaN substrates, 2" (Ga-face) GaN Specification Sheet", http://www.kymatech.com/products/substrates-templates/35-bulk-materials/490-bulk-gan-c-plane-substrates (accessed June 12, 2017).
Kipris, "Search", http://kportal.kipris.or.kr/kportal/search/total_search.do (accessed May 8, 2017).
Kyma technologies, "Kyma Technologies and Quora Technology Announce Partnership on Advanced GaN Substrate Materials", 2016, http://www.kymatech.com/news/269-kyma-technologies-and-quora-technology-announcepartnership-on-advanced-gan-substrate-materials (accessed June 12, 2017).
SPIE, "Scalable semipolar gallium nitride templates for high-speed LEDs", 2016, http://spie.org/newsroom/6482-scalable-semipolar-gallium-nitride-templates-for-high-speedleds?SSO1 (accessed June 3, 2017).
LEDinside, "Collaboration between Seren Photonics and Bluglass Leads to Successful Semipolar GaN Template Process Transfer", 2017, https://www.ledinside.com/press/2017/6/collaboration_between_seren_photonics_and_bluglass_leads_to_successful_semipolar_gan_template_process_transfer (accessed August 7, 2017).
Cree, "Cree Licenses GaN Substrate Technology to Mitsubishi Chemical Corporation", 2009, http://www.cree.com/news-media/news/article/cree-licenses-gan-substratetechnology-to-mitsubishi-chemical-corporation (accessed August 17, 2017).
Fuji Electric, "Fuji Electric and Furukawa Electric to Set Up a Technology Research Association for Next Generation Power Device", 2009, https://www.fujielectric.com/company/news/2009/09062201.html (accessed June 16, 2017).
CISION PR Newswire, "Soitec and Sumitomo Electric Sign Smart $Cut^{TM}$ Licensing Agreement", 2013, https://www.prnewswire.com/news-releases/soitec-and-sumitomoelectric-sign-smart-cut-licensing-agreement-192313131.html (accessed Jun 21, 2017).
Infineon, "Infineon and Panasonic Will Establish Dual Sourcing for Normally-Off 600V GaN Power Devices", 2015, https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/2015/INFPMM201503-041.html (accessed June 16, 2017).
NGK INSULATORS, LTD., "NGK Developed GaN Wafer for Ultra High Brightness LEDs", 2012, http://www.ngk.co.jp/english/news/2012/0425.html (accessed June 17, 2017).
Y. Mikawa, T. Ishinabe, S. Kawabata, T. Mochizuki, A. Kojima, Y. Kagamitani and H. Fujisawa, "Gallium Nitride Materials and Devices X", J.I. Chyi, Vol. 9363 (SPIE, Washington, 2015) p. 936302-1.
The Korea Economic Daily, "Pan-Crystal, Non-polar Gallium Nitride Substrate Production", 2012, http://news.hankyung.com/article/2012112981616?nvo (accessed August 29, 2017).
Newspim, "Wisepower, Development of high efficiency gallium nitride wafer", 2009, http://www.newspim.com/news/view/20090731000389 (accessed August 31, 2017).
Semiconductor-today, "Growing high-quality free-standing GaN-on-silicon substrates", 2013, http://www.semiconductor-today.com/news_items/2013/DEC/SAMSUNG_091213.shtml (accessed December 18, 2018).
Lumistal, "2inch GaN Wafer", http://www.lumistal.com/ (accessed June 26, 2017).
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.