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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.31 no.6, 2018년, pp.362 - 366
서지호 (광운대학교 전자재료공학과) , 조슬기 (광운대학교 전자재료공학과) , 이영재 (광운대학교 전자재료공학과) , 안재인 (광운대학교 전자재료공학과) , 민성지 (광운대학교 전자재료공학과) , 이대석 (광운대학교 전자재료공학과) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과) , 오종민 (광운대학교 전자재료공학과)
Silicon carbide is widely used in power semiconductor devices owing to its high energy gap. In particular, Schottky barrier diode (SBD) and PiN diodes fabricated on 4H-SiC wafers are being applied to various fields such as power devices. The characteristics of SBD and PiN diodes can be extracted fro...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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금속-반도체 접점은 어떤 소자에 많이 적용되는 구조인가? | 금속-반도체 접점은 전계 효과 트랜지스터(MESFET)의 게이트 전극, 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 source 및 drain contact, high voltage impact ionization을 이용한 전극과 같은 많은 소자에 적용이 되는 구조이다 [5]. | |
4H-SiC 위에 증착한 전력 반도체 소자 'SBD'와 "PiN"의 특성을 비교 분석한 결과 온도에 따라 전압이 어떻게 변하는가? | 37 eV으로 증가함을 확인하였으며, 온도가 증가함에 따라 문턱전압은 낮아지며, SBD의 ideality factor는 ‘1’에 점점 가까워진다. 즉 온도가 증가함에 따라 SBD와 PiN diode의 barrier height은 커지고 turn-on voltage는 낮아지는 결론을 도출하였다. | |
전력 소자는 어느 분야에서 사용되고 있는가? | 위에 언급된 이점을 기초하여, SiC를 이용한 전력 소자는 반도체 산업에서 많은 잠재력을 가지고 있다. 전력 소자는 신재생 에너지 시장, 스마트 그리드, 스마트 주택, 운송 전기, 하이브리드 전기 자동차(EV/HEV) 및기타 신흥 산업 및 의료 응용 분야 로 계속 확장되고 있으며, 엔지니어는 SiC 같은 WBG (wide bandgap) 물질을 이용한 전력 소자에 많은 관심이 있다. 4H-SiC에 의한 높은 전력 소자는 전력 반도체 산업에서 괄목할 만한 잠재력을 가지고 있다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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