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웨이퍼 레벨 진공 패키징 비냉각형 마이크로볼로미터 열화상 센서 개발
Uncooled Microbolometer FPA Sensor with Wafer-Level Vacuum Packaging 원문보기

Journal of sensor science and technology = 센서학회지, v.27 no.5, 2018년, pp.300 - 305  

안미숙 ((주)유우일렉트로닉스) ,  한용희 ((주)유우일렉트로닉스)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The uncooled microbolometer thermal sensor for low cost and mass volume was designed to target the new infrared market that includes smart device, automotive, energy management, and so on. The microbolometer sensor features 80x60 pixels low-resolution format and enables the use of wafer-level vacuum...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 새로운 시장에서 요구하는 성능, 합리적인 가격, 대량생산성, 패키징 기술을 갖추어 픽셀 크기 35 μm, 해상도 80×60의 웨이퍼 레벨 진공 패키징 마이크로볼로미터 열화상 센서를 개발하고 이를 활용한 열화상 카메라 제품을 개발하였다. 본 논문에서는 바나듐 텅스텐 옥사이드 감지 물질과 마이크로볼로미터 구조 설계와 제조, 웨이퍼 레벨 패키징, ROIC설계 등 열화상 센서 개발의 일련의 과정을 기술하고, 열화상 센서의 전기-광학적 특성, 웨이퍼 레벨 패키징의 열전도도를 이용한 평가 결과와 열화상 센서의 신뢰성 평가를 서술하였다. 마지막으로 열화상 카메라의 구성과 설계에 대하여 기술하였다.
  • 본 연구에서 개발한 웨이퍼 레벨 진공 패키징 열화상 센서를 기반으로 웨이퍼 레벨 진공 패키징 열화상 센서 모듈과 네트워크 기반 열화상 카메라를 개발하였다. Fig.
  • 마이크로볼로미터 열화상 센서는 금속 패키징, 세라믹 패키징, 웨이퍼레벨패키징등 다양한 형태의 패키지에 패키징되고 있다. 본 연구에서는 대량 생산과 패키징 비용 절감에 효과적인 웨이퍼레벨패키징 기술을 개발하여 마이크로볼로미터 열화상 센서에 적용하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
열화상 센서는 주로 어디에 사용되는가? 물체 표면의 방사 열에너지를 감지하는 열화상 센서는 전통적으로 의료, 군사, 검사 등 제한된 분야에서 주로 사용되었다. 적외선 센서는 동작 온도에 따라 냉각기가 필요한 냉각형과 상온에서 동작하여 별도의 냉각기가 필요없고 사용이 편리한 비냉각형으로 나뉜다.
감도가 높은 열화상 센서를 제조하기 위해서는 높은 온도 저항 계수와 낮은 잡음을 갖는 감지물질을 선택해야 하는 이유는? 응답도와 노이즈를 결정하는 요인인 온도 저항 계수와 노이즈는 감지물질의 특성으로 결정된다. 따라서 감도가 높은 열화상 센서를 제조하기 위해서는 높은 온도 저항 계수와 낮은 잡음을 갖는 감지물질을 선택해야 한다.
비냉각형 마이크로볼로미터란? 적외선 센서는 동작 온도에 따라 냉각기가 필요한 냉각형과 상온에서 동작하여 별도의 냉각기가 필요없고 사용이 편리한 비냉각형으로 나뉜다. 비냉각형 마이크로볼로미터는 적외선 에너지에 의한 감지물질의 저항 변화량을 전기신호로 변환하는 물리센서로써 높은 감도와 픽셀 크기의 소형화가 용이하기 때문에 주로 열화상 센서로 이용되고 있다. 마이크로볼로미터는 기존의 320×240 이상의 고가/고해상도 시장뿐만 아니라 픽셀 크기의 축소, 패키징 기술의 진보, 높아진 사용자 편리성과 함께 에너지 절전, 자동차, 보안, 화재 사전 감시, 스마트기기등과 같은 160×120이하의 저해상도, 저가격, 소형의 신시장으로 적용범주를 확대해 가고 있다[1].
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참고문헌 (7)

  1. S. Satomi Takasawa, "Uncooled LWIR Imaging: Applications and Market Analysis", Proc. of SPIE., Vol. 9481, pp. 948110H(1)-948110H(13), Baltimore, United States, 2015. 

  2. P. Eriksson and J. Y. Andersson, "Thermal characterization of surface-micromachined silicon nitride membranes for thermal infrared detectors", J. Mcroelectromech. Syst., Vol. 6, No. 1, pp. 55-61, 1997. 

  3. F. Genereux, F. Provencal, B. Tremblay, M. Boucher, C. Julien, and C. Alain, "Vanadium oxide thin film with improved sheet resistance uniformity", Proc. Of SPIE., Vol. 9070, pp. 90701R(1)-90701R(9), Baltimore, United States, 2014. 

  4. E. M. Smith, J. Nath, J. Ginn, R. E. Peale, and D. Shelton, "Responsivity improvements for a vanadium oxide microbolometer using subwavelength resonant absorbers", Proc. of SPIE., Vol. 9819, 98191Q(1)-98191Q(7), Baltimore, United States, 2016. 

  5. J. L. Tissot, A. Durand, S. Tinnes, E. Bercier, and A. Crastes, "Staus of uncooled Infrared Detector Technology at ULIS, France ", J. Def. Sci., Vol. 63, No. 6, pp. 545-549, 2013. 

  6. M. Y. Tanrikulu, C. Yildizak, A. K. Okyay, O. Akar, A. Sarac, and T. Akin, "Single layer microbolometer detector pixel using ZnO material", Proc. of SPIE., Vol. 10624, pp. 1062417(1)-1062417(8), Orlando, United States, 2018. 

  7. Y. H. Han, K. T. Kim, H. J. Shin, and S. Moon, "Enhanced characteristics of an uncooled microbolometer using vanadium-tungsten oxide as a thermometric material", Appl. Phys. Lett., Vol. 86, No. 25, pp. 254101(1)-254101(3), 2005. 

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