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NTIS 바로가기한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.25 no.5, 2018년, pp.395 - 401
윤혜원 (단국대학교 에너지공학과) , 김도연 (단국대학교 에너지공학과) , 한도형 (단국대학교 에너지공학과) , 김동완 ((주)제이쓰리) , 김우병 (단국대학교 에너지공학과)
The improvement of dispersion stability for the primary polishing slurry in a CMP process is achieved to prevent defects produced by agglomeration of the slurry. The dispersion properties are analyzed according to the physical characteristics of each silica sol sample. Further, the difference in the...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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CMP 공정에서 1차 연마 슬러리와 2차 연마 슬러리가 사용되는 곳은? | CMP 공정 중 연마 재료로 사용되는 슬러리는 화학첨가물을 포함한 수용액과 연마입자인 콜로이달 실리카로 구성되어 있으며, CMP 공정 단계에 따라 1차 연마 슬러리와 2차 연마 슬러리로 구분된다. 1차 연마 슬러리의 경우 1차 폴리싱 공정에서 웨이퍼 표면의 deep scratch 제거와 bare wafer 평탄화에 사용되며, 2차 연마 슬러리의 경우 미세한 micro scratch를 제거하여 mirror phase를 구현하는 2차 폴리싱 공정에 사용된다[4]. 결국 웨이퍼의 평탄화를 위해서는 각 공정에서 사용되는 연마 슬러리의 조성과 분산안정성이 중요하게 작용하지만 기존의 기술개발은 고가의 2차 연마 슬러리를 중심으로 이루어져 deep scratch 제거를 위한 1차 연마 슬러리에 대한 연구는 부족한 실정이다[5]. | |
평탄화 공정이 필수적인 이유는? | 매년 반도체 소자의 집적도가 증가하고 칩 사이즈가 감소함에 따라 고분해능의 리소그래피와 원자 레벨의 평탄화 기술이 요구되고 있다[1]. 미세하고 정교한 패턴을 형성하기 위해서는 리소그래피 공정에서의 초점 심도(DOF;Depth of Focus)를 만족하고 Step coverage로 인한 문제를 최소화하기 위한 평탄화 공정이 필수적이다. CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 가장 대표적인 평탄화 기술로써 최근 반도체 기술에 다양하게 적용되고 있다. | |
CMP란? | CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 가장 대표적인 평탄화 기술로써 최근 반도체 기술에 다양하게 적용되고 있다. CMP는 화학 반응과 물리적 에칭(etching) 반응을 통해 웨이퍼를 평탄화 시키는 폴리싱(polishing) 공정으로 화학액과 연마입자로 구성된 슬러리의 화학적 작용과 연마기의 기계적 작용에 의해 수행된다[2]. 평면상을 회전 운동하는 연마 테이블 표면에 연마 패드를 붙이고 연마제가 포함된 슬러리를 공급하여 웨이퍼를 마찰 시킴으로써 평탄화되며, 산화된 실리카 표면이 연마 슬러리에 접촉하면 CMP 공정 중 인가된 압력과 슬러리 내 알칼리의 작용으로 산화막 표면의 siloxane(Si-O-Si) 결합이 연마되기 쉬운 수화물 Si(OH)4로 변형되고, 이 수화물은 실리카 입자에 의해 연마된다[3]. |
G. B. Basim and B. M. Moudgil: J. Colloid Interface Sci., 256 (2002) 137.
F. I. and G. Ipate: Lubricants, 5 (2017) 15.
C. W. Liu, B. T. Dai, W. T. Tseng and C. F. Yeh: J. Electrochem. Soc., 143 (1996) 716.
Y. M. Ahn, J. Y. Yoon, C. W. Baek and Y. K. Kim: Wear, 257 (2004) 785
R. Dylla-Spears, L. Wong, P. E. Miller, M. D. Feit, W. Steele, and T. Suratwala: Colloids Surf., A, 447 (2014) 32.
J. M. Neirynck, G. R. Yang, S. P. Murarka and R. J. Gutmann: Thin Solid Films, 290-291 (1996) 447.
D. Ng, S. Kundu, M. Kulkarni and H. Liang: J. Electrochem. Soc., 155 (2008) H64.
B. P. Binks, J. A. Rodrigues and W. J. Frith: Langmuir, 23 (2007) 3626.
Z. Zhang, W. Liu and Z. Song: Appl. Opt., 49 (2010) 5480.
O. Goncharuk, V. M. Gunko, A. Ugnivenko, K. Terpilowski and E. Skwarek: Nano Res. Appl., 3 (2017) 29.
M. G. De Paola, V. Calabro and M. De Simone: IOP Conference Series: Mater. Sci. Eng., 251 (2017) 012122.
S. Y. Park, H. K. Jeong, M. S. Kim and K. D. Nam: J. Korean Ind. Eng. Chem., 13 (2002) 558.
J. Liu, X. F. Huang, L. J. Lu, M. X. Li, J. C. Xu and H. P. Deng: J. Hazard. Mater., 190 (2011) 214.
C. Celia, E. Trapasso, D. Cosco, D. Paolino and M. Fresta: Colloids Surf., B, 72 (2009) 155.
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