[논문]PDMS 기반 강성도 경사형 신축 전자패키지의 신축변형-저항 특성

박대웅; 오태성

doi:10.6117/kmeps.2019.26.4.047

PDMS 기반 강성도 경사형 신축 전자패키지의 신축변형-저항 특성
Stretchable Deformation-Resistance Characteristics of the Stiffness-Gradient Stretchable Electronic Packages Based on PDMS 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.26 no.4, 2019년, pp.47 - 53

박대웅 (홍익대학교 공과대학 신소재공학과) , 오태성 (홍익대학교 공과대학 신소재공학과)

초록
AI-Helper

Polydimethylsiloxane (PDMS)를 베이스 기판으로 사용하고 이보다 강성도가 높은 polytetrafluoroethylene(PTFE)를 island 기판으로 사용한 soft PDMS/hard PDMS/PTFE 구조의 강성도 경사형 신축 패키지를 형성하고, 이의 신축변형에 따른 저항특성을 분석하였다. PDMS/PTFE 기판패드에 50 ㎛ 직경의 칩 범프들을 anisotropic conductive paste를 사용하여 실장한 플립칩 접속부는 96 mΩ의 평균 접속저항을 나타내었다. Soft PDMS/hard PDMS/PTFE 구조의 신축 패키지를 30% 변형률로 인장시 PTFE의 변형률이 1%로 억제되었으며, PTFE 기판에 형성한 회로저항의 중가는 1%로 무시할 정도였다. 0~30% 범위의 신축변형 싸이클을 2,500회 반복시 회로저항이 1.7% 증가하였다.

Abstract ▼ AI-Helper

Stiffness-gradient stretchable electronic packages of the soft PDMS/hard PDMS/PTFE structure were processed using the polydimethylsiloxane (PDMS) as the base substrate and the more stiff polytetrafluoroethylene (PTFE) as the island substrate, and their stretchable deformation-resistance characteristics were characterized. The flip-chip joints, formed by bonding the chip bumps of 50 ㎛-diameter onto the PDMS/PTFE substrate pads, exhibited an average contact resistance of 96 mΩ. When the stretchable package of the soft PDMS/hard PDMS/PTFE structure was deformed to 30% elongation, the strain on the PTFE was restrained to 1%, resulting in a negligible resistance increase of 1% in the daisy-chain circuit formed on the PTFE island substrate. The circuit resistance increased for 1.7% after 2,500 cycles of 0~30% stretchable deformation.

주제어

표/그림 (10)

그림 Fig. 1. Optical image of the stiffness-gradient stretchable package with the soft PDMS/hard PDMS/PTFE structure.
그림 Fig. 2. Cross-sectional illustration of the stiffness-gradient stretchable package.
그림 Fig. 3. Schematic illustration of the process flow for a stiffness-gradient stretchable package consisting of soft PDMS, hard PDMS, and FPCB: (a) attach a PTFE sheet to a Petri dish, (b) pour Sylgard 184 into the Petri dish and cure to hard PDMS at 60℃ for 12 hr, (c) align a Cu handling substrate onto PDMS at the position above the PTFE sheet, pour Sylgard 184 and cure to hard PDMS at 60℃ for 12 hr, (d) form a PDMS/PTFE stretchable substrate containing a Cu handling substrate inside, (e) sputter Au lines onto the PTFE, (f) form the PDMS/PTFE substrate with Au lines by dicing after removing the Cu handling substrate.
그림 Fig. 4. Fabrication process of a Si chip: (a) sputtering of Ti/Cu metallization, (b) photoresist patterning, (c) Cu and Au electroplating, (d) photoresist patterning, (e) Ti/Cu electrode formation, and (f) dispensing ACA for flip-chip bonding.
그림 Fig. 5. (a) Optical micrograph of the PTFE substrate on top of which Au lines were sputtered and (b) scanning electron micrograph of the Au lines sputtered on the PTFE.
그림 Fig. 6. Cross-sectional (a) optical and (b) scanning electron micrographs of the flip-chip joints.
그림 Fig. 7. Cross-sectional scanning electron micrograph of the flipchip joints processed on the PDMS/FPCB substrate.
그림 Fig. 8. Optical Images of the soft PDMS/hard PDMS/PTFE stretchable package elongated for 30% strain.
그림 Fig. 9. Circuit resistance change ratio, ΔR/R_o, of the stretchable package during stretching up to 30% strain and releasing back to 0% strain.
그림 Fig. 10. Circuit resistance change ratio, ΔR/R_o, of the stretchable package measured with strain cycles ranging in 0~30% up to 2500 cycles.

AI 본문요약
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문제 정의

¹⁾ PTFE 기판의 신축변형시 전단응력에 의한 플립칩 접속부의 박리보다는 인장응력에 의한 Au 회로배선의 크랙킹이 심하게 발생하여 신축 패키지의 저항에 더 큰 영향을 미치게 된다. 또한 신축변형에 따른 패키지의 저항 변화를 플립칩 접속저항의 변화와 회로배선의 저항 변화로 분리하는 것이 어렵기 때문에, 본 연구에서는 신축변형에 따른 전기적 특성을 신축 패키지의 daisy chain 저항변화율을 사용하여 분석하였다.
본 연구에서는 강성도가 0.6 GPa로²⁴⁾ FPCB의 1.85 GPa에 비해 훨씬 낮은 polytetrafluoroethylene (PTFE)를 islandbridge 구조의 island 기판으로 사용할 수 있는 가능성을 분석하기 위해, PTFE와 PDMS를 사용하여 강성도가 3단계로 점차적으로 높아지는 soft PDMS/hard PDMS/PTFE 구조의 경사기능형 신축 패키지를 형성하고 신축변형에 따른 저항특성을 분석하였다.

제안 방법

(a)와 같이 Si 웨이퍼에 Ti와 Cu를 각기 100 nm와 2 µm 두께로 순차적으로 스퍼터링하였다.
(a)와 같이 두께 280 µm의 PTFE sheet를 가로 70 mm×세로 50 mm로 다이싱한 후, 양면 테이프를 사용하여 페트리디쉬 내에 PTFE 필름의 접착 층이 위로 향하도록 고정하였다.
그런 다음 Fig. 3(c) 와 같이 PTFE와 동일한 크기의 Cu 핸들링 기판을 PTFE 와 동일한 위치에 놓은 후, base와 curing agent를 10 : 1 로 혼합한 Sylgard 184를 다시 붓고 60^oC에서 12시간 유지하여 hard PDMS로 경화시켜 Cu 핸들링 기판이 PDMS 내에 위치하도록 하였다. 그런 다음 이들을 페트리디쉬에서 분리함으로써 Fig.
Four point probe를 사용하여 daisy chain 저항을 측정하여 플립칩 접속부의 평균 접속저항을 분석하였으며, 주사전자현미경과 광학현미경을 사용하여 플립칩 접속부의 단면미세구조를 관찰하였다. 각 인장변형률에서 신축 패키지의 저항변화를 측정하기 위해 길이 90 mm인 신축 패키지 시편의 각 끝단에서 10 mm 되는 부위를 미니 인장시험기에 장착하고 6 mm/min의 속도로 30% 변형률까지 인장 후 원래 크기로 복원하였다.
Four point probe를 사용하여 daisy chain 저항을 측정하여 플립칩 접속부의 평균 접속저항을 분석하였으며, 주사전자현미경과 광학현미경을 사용하여 플립칩 접속부의 단면미세구조를 관찰하였다. 각 인장변형률에서 신축 패키지의 저항변화를 측정하기 위해 길이 90 mm인 신축 패키지 시편의 각 끝단에서 10 mm 되는 부위를 미니 인장시험기에 장착하고 6 mm/min의 속도로 30% 변형률까지 인장 후 원래 크기로 복원하였다. 신축 패키지의 신축 변형 신뢰성을 신속히 분석하기 위해 변형률 속도를 600 mm/min로 높여 0~30% 변형률 범위로 신축변형 싸이클을 2,500회까지 반복하며 패키지의 저항변화를 측정하였다.
^1,25-27) 일반적으로 고분자 기판과 금속배선과의 접착력을 향상시키기 위해 5-10 nm 두께의 Cr이 접착층으로 사용된다. 그러나 신축성 패키지에서는 기판의 신축변형시 Cr 층이 쉽게 파단되며 이들 균열이 그 위에 형성된 Au 박막의 심한 파단을 유발시킨다고 보고되고 있어,²⁸⁾ 본 연구에서는 PTFE 기판에 Au 박막을 직접 스퍼터링 하여 Fig. 5와 같은 시편을 제작하였다.
본 연구에서는 island-bridge 구조의 신축 패키지로서, FPCB보다 강성도가 낮은 PTFE를 island 기판으로 사용하고 PDMS를 베이스 기판으로 사용한 soft PDMS/hard PDMS/PTFE 구조의 경사기능형 신축 패키지를 형성하였다. ACA를 사용하여 신축 기판에 실장한 플립칩 접속저항은 island 기판의 강성도 및 island 기판에 형성한 배선의 재질과 두께에 크게 의존하였다.
각 인장변형률에서 신축 패키지의 저항변화를 측정하기 위해 길이 90 mm인 신축 패키지 시편의 각 끝단에서 10 mm 되는 부위를 미니 인장시험기에 장착하고 6 mm/min의 속도로 30% 변형률까지 인장 후 원래 크기로 복원하였다. 신축 패키지의 신축 변형 신뢰성을 신속히 분석하기 위해 변형률 속도를 600 mm/min로 높여 0~30% 변형률 범위로 신축변형 싸이클을 2,500회까지 반복하며 패키지의 저항변화를 측정하였다.¹⁾
2의 모식도와 같이 플립칩 본딩된 시편의 저항을측정하기 위해 전도성 에폭시를 사용하여 Au 기판 배선에 구리선을 연결하였다. 이 시편을 양면테이프를 사용하여 페드리디쉬 내에 고정시키고 base와 curing agent를 10 : 1로 섞은 Sylgard 184를 붓고 60 ℃에서 12시간 경화시켜 hard PDMS 부위를 제작하였다. 이를 페트리디쉬에서 분리하여 가로 40 mm×세로 18 mm로 다이싱한 후, 다시 페트리디쉬 내에 양면테이프로 고정시키고 base와 curing agent를 20 : 1로 혼합한 Sylgard 184를 붓고 60^oC에서 12시간 경화시켜 soft PDMS 부위를 제작하여 가로 90 mm×세로 30 mm 크기로 다이싱 하였다.
3(b)와같이 base와 curing agent를 10 : 1로 섞은 Dow Corning Sylgard 184를 페트리디쉬에 붓고 60^oC에서 12시간 유지하여 hard PDMS로 경화시켰다. 이때 PTFE의 접착층에 Sylgard 184를 부어서 PDMS로 경화시킴으로써, PTFE와 PDMS 사이의 접착력을 확보하였다. 그런 다음 Fig.
이를 페트리디쉬에서 분리하여 가로 40 mm×세로 18 mm로 다이싱한 후, 다시 페트리디쉬 내에 양면테이프로 고정시키고 base와 curing agent를 20 : 1로 혼합한 Sylgard 184를 붓고 60oC에서 12시간 경화시켜 soft PDMS 부위를 제작하여 가로 90 mm×세로 30 mm 크기로 다이싱 하였다.

대상 데이터

이를 페트리디쉬에서 분리하여 가로 40 mm×세로 18 mm로 다이싱한 후, 다시 페트리디쉬 내에 양면테이프로 고정시키고 base와 curing agent를 20 : 1로 혼합한 Sylgard 184를 붓고 60^oC에서 12시간 경화시켜 soft PDMS 부위를 제작하여 가로 90 mm×세로 30 mm 크기로 다이싱 하였다. 이와 같은 공정을 통해 Fig. 1의 사진 및 Fig. 2의 모식도와 같은 soft PDMS/hard PDMS/PTFE 구조의 강성도 경사형 신축 패키지 시편을 제작하였다.¹⁾

성능/효과

30% 변형률까지 인장하는 동안 강성도가 낮은 soft PDMS부분에서 거의 모든 변형이 집중되었으며 강성도가 높은 PTFE 부분은 1%만 인장되어, PTFE 기판에 플립칩 본딩한 칩이 접속부의 파단없이 잘 실장되어 있는 것을 확인할 수 있었다.¹⁾ PTFE 기판의 신축변형시 전단응력에 의한 플립칩 접속부의 박리보다는 인장응력에 의한 Au 회로배선의 크랙킹이 심하게 발생하여 신축 패키지의 저항에 더 큰 영향을 미치게 된다. 또한 신축변형에 따른 패키지의 저항 변화를 플립칩 접속저항의 변화와 회로배선의 저항 변화로 분리하는 것이 어렵기 때문에, 본 연구에서는 신축변형에 따른 전기적 특성을 신축 패키지의 daisy chain 저항변화율을 사용하여 분석하였다.
1) Si 칩의 크기는 5 mm×5 mm이며, 범프의 개수는 총 72개로 범프의 직경은 50 μm, 피치는 350 μm 이다.
6에 플립칩 접속부의 단면 미세구조를 나타내었다.¹⁾ 칩범프와 기판 패드 사이에 트랩되어 타원 형상으로 변형된 ACA 전도성 입자들에 의해 칩과 기판 사이의 접속이 이루어지는 PCB나 FPCB 기판^21,22) 에서와는 달리 매우 소프트한 PTFE 기판에서는 ACA 전도성 입자가 거의 변형을 일으키지 않고 구 형상을 유지하며 PTFE 기판에 파묻혀 있으며, 다른 부위에서는 칩 범프와 기판 배선의직접 접촉이 이루어져 있는 것이 관찰되었다. Daisy chain 저항으로부터 Fig.
1) 신축변형 싸이클 횟수의 증가에 따라 0% 변형률과 30% 변형률에서 측정한 daisy chain의 저항들이 모두 미세하게 증가하였으며, 2500회의 신축변형 싸이클 후 0% 변형률에서의 저항변화율은 1.7%, 30% 변형률에서의 저항변화율은 첫 번째 인장변형 싸이클에서 나타낸 저항변화율 1.1%보다 1.4% 증가한 2.5%의 저항변화율을 나타내었다.
1) 응력 인가전 신축 패키지의 초기 저항은 26.9 Ω으로 측정되었으며, 5% 변형률까지 인장하는 동안에는 저항 변화가 거의 발생하지 않았다.
4배의 저항변화가 보고되었다.²⁸⁾ 이에 비해 Fig. 9과 같이 강성도 경사형 신축 패키지에서는 30% 변형률에서도 저항변화율이 1%로 매우 작았으며, 이와 같은 이유는 신축변형이 soft PDMS 부위에서 주로 발생하는 반면에 회로배선이 형성되어 있는 PTFE 기판의 변형률은 1%로 제한되었기 때문이다. 또한 Fig.
8에 soft PDMS/hard PDMS/PTFE 강성도 경사형 신축 패키지를 30% 변형률로 인장한 사진을 나타내었다. 30% 변형률까지 인장하는 동안 강성도가 낮은 soft PDMS부분에서 거의 모든 변형이 집중되었으며 강성도가 높은 PTFE 부분은 1%만 인장되어, PTFE 기판에 플립칩 본딩한 칩이 접속부의 파단없이 잘 실장되어 있는 것을 확인할 수 있었다.¹⁾ PTFE 기판의 신축변형시 전단응력에 의한 플립칩 접속부의 박리보다는 인장응력에 의한 Au 회로배선의 크랙킹이 심하게 발생하여 신축 패키지의 저항에 더 큰 영향을 미치게 된다.
2 mΩ으로 보고되었다.⁵⁾ 플립칩 접속저항은 침범프와 기판 패드 사이의 접촉 면적에 의존하기 때문에 동일한 본딩조건에서는 칩 범프의 단면적이 증가할수록 접속저항이 낮아지게 된다. 본 연구에서는 직경 50 μm인칩 범프를 사용하여 96 mΩ의 평균 접속저항을 얻었으며, 이를 PDMS/FPCB 신축성 기판에 대한 보고⁵⁾와 동일한 100 μm 직경 범프에서 얻을 수 있는 평균 접속저항으로 환산하면 25 mΩ 정도가 된다.
^21,22) 이에 반해 PDMS/FPCB 신축기판에서는 신축기판의 변형이 심하게 발생하는 것을 방지하기 위해 플립칩 본딩압력이 10 MPa로 제한된다고 보고되었다.^5,22) PTFE의 강성 도는 575 MPa로 FPCB 재료인 폴리이미드의 1.8 GPa에 비해 훨씬 낮기 때문에,^4,5,24) 더 낮은 본딩압력에서도 기판변형이 발생할 수 있다. 따라서 본 실험에서는 플립칩 본딩압력을 1 MPa로 설정하였으며, 그 결과 Fig.
본 연구에서는 직경 50 μm인칩 범프를 사용하여 96 mΩ의 평균 접속저항을 얻었으며, 이를 PDMS/FPCB 신축성 기판에 대한 보고⁵⁾와 동일한 100 μm 직경 범프에서 얻을 수 있는 평균 접속저항으로 환산하면 25 mΩ 정도가 된다. PDMS/FPCB 기판에 비해 본 연구에서 사용한 PDMS/PTFE 기판에서 더 낮은 접속저항이 가능할 수 있는 이유는 FPCB와 PTFE의 강성도 차이 및 각 기판 배선의 재질과 두께 차이에 기인한 것으로 판단된다. FPCB의 강성도 1.
플립칩 실장하는 island 기판이 PTFE와 같이 소프트하고 기판 패드의 두께가 400 nm 정도로 얇으면 플립칩 본딩시 ACA 전도성입자가 기판 패드와 함께 소프트한 기판내로 파묻히며 칩범프와 기판 패드 자체가 직접 컨택된 면적이 증가함으로써 플립칩 접속저항이 감소되었다. Soft PDMS/hard PDMS/PTFE 구조의 강성도 경사형 신축 패키지를 30% 변형률로 인장시 강성도가 낮은 soft PDMS 부분에 변형이 집중되고 강성도가 높은 PTFE 부분의 변형률은 1%로제한되었다. 이에 따라 PTFE 기판에 형성한 회로배선의크랙킹과 플립칩 접속부의 박리가 억제되어 전체 회로 저항의 증가가 1%로 거의 변하지 않았다.
8 GPa에 비해 훨씬 낮기 때문에,^4,5,24) 더 낮은 본딩압력에서도 기판변형이 발생할 수 있다. 따라서 본 실험에서는 플립칩 본딩압력을 1 MPa로 설정하였으며, 그 결과 Fig. 1과 같이 PDMS/PTFE 신축기판을 변형시키지 않으면서 플립칩 본딩이 가능하였다.¹⁾
9 Ω으로 측정되었으며, 5% 변형률까지 인장하는 동안에는 저항 변화가 거의 발생하지 않았다. 변형률이 5% 이상으로 증가 하면서 저항변화율이 거의 직선적으로 증가하여 30% 변형률에서 1%의 저항변화율을 나타내었다. 원래 크기로 되돌아오는 릴리즈 과정에서는 동일한 변형률에서 신축시보다 더 큰 저항변화율을 유지하면서 저항이 초기 값까지 감소하는 경향을 나타내었다.
본 연구에서는 직경 50 μm인칩 범프를 사용하여 96 mΩ의 평균 접속저항을 얻었으며, 이를 PDMS/FPCB 신축성 기판에 대한 보고5)와 동일한 100 μm 직경 범프에서 얻을 수 있는 평균 접속저항으로 환산하면 25 mΩ 정도가 된다.
이에 따라 PTFE 기판에 형성한 회로배선의크랙킹과 플립칩 접속부의 박리가 억제되어 전체 회로 저항의 증가가 1%로 거의 변하지 않았다. 신축변형 싸이클을 0~30% 변형률 범위에서 2,500회 반복시 회로저항이 1.7~2.5% 증가하였으며, 이로부터 soft PDMS/hard PDMS/ PTFE 구조의 강성도 경사형 신축 패키지의 반복 신축변형특성이 매우 우수하다고 판단할 수 있다. 본 연구의 결과를 바탕으로 island-bridge 구조의 신축 패키지용 island 기판으로 FPCB보다 강성도가 낮은 PTFE도 적용 가능할 것으로 판단된다.
Soft PDMS/hard PDMS/PTFE 구조의 강성도 경사형 신축 패키지를 30% 변형률로 인장시 강성도가 낮은 soft PDMS 부분에 변형이 집중되고 강성도가 높은 PTFE 부분의 변형률은 1%로제한되었다. 이에 따라 PTFE 기판에 형성한 회로배선의크랙킹과 플립칩 접속부의 박리가 억제되어 전체 회로 저항의 증가가 1%로 거의 변하지 않았다. 신축변형 싸이클을 0~30% 변형률 범위에서 2,500회 반복시 회로저항이 1.
ACA를 사용하여 신축 기판에 실장한 플립칩 접속저항은 island 기판의 강성도 및 island 기판에 형성한 배선의 재질과 두께에 크게 의존하였다. 플립칩 실장하는 island 기판이 PTFE와 같이 소프트하고 기판 패드의 두께가 400 nm 정도로 얇으면 플립칩 본딩시 ACA 전도성입자가 기판 패드와 함께 소프트한 기판내로 파묻히며 칩범프와 기판 패드 자체가 직접 컨택된 면적이 증가함으로써 플립칩 접속저항이 감소되었다. Soft PDMS/hard PDMS/PTFE 구조의 강성도 경사형 신축 패키지를 30% 변형률로 인장시 강성도가 낮은 soft PDMS 부분에 변형이 집중되고 강성도가 높은 PTFE 부분의 변형률은 1%로제한되었다.

후속연구

4,5,8) 이와 같이 PDMS와 FPCB의 강성도가 1000배 이상 크게 차이가 나기 때문에 신축변형시 PDMS 베이스 기판과 FPCB island 기판 계면이 박리되는 문제점이 발생할 수있으며, 이를 방지하기 위한 방안으로서 FPCB보다 강성도가 낮은 재료를 이용한 island-bridge 구조의 신축 패키지에 대한 연구개발이 요구된다.
5% 증가하였으며, 이로부터 soft PDMS/hard PDMS/ PTFE 구조의 강성도 경사형 신축 패키지의 반복 신축변형특성이 매우 우수하다고 판단할 수 있다. 본 연구의 결과를 바탕으로 island-bridge 구조의 신축 패키지용 island 기판으로 FPCB보다 강성도가 낮은 PTFE도 적용 가능할 것으로 판단된다.

질의응답

핵심어	질문	논문에서 추출한 답변
	신축 전자패키지의 용도에는 무엇이 있는가?	이에 따라 웨어러블 기기용 전자 패키지는 딱딱한 PCB 기판을 기반으로 한 패키지에서 굽힘이 가능한 flexible printed circuit board (FPCB) 기판을 기반으로 유연 패키지를 거쳐 궁극적으로는 유연성과 더불어 신축성을 지니고 있어 굽히고, 접고, 비틀고, 잡아당기고 누르는 동작과 함께 전기적으로 안정된 작동이 가능한 신축 전자패키지로 발전하고 있다. 1-15) 신축 전자패키지의 용도로는 스마트 헬스케어용 웨어러블 기기와 더불어, 인공 센싱피부, 스킨패치형 센서, 생의학 전극, 스마트 의류, 전자 눈 (electronic eyes)이나 벤딩 엑츄에이터와 같이 삼차원 굴곡 전자소자 등을 들 수 있다.4-16)
	(PCB)를 기반으로 한 기존의 전자 패키지의 단점은 무엇인가?	1-3) 스마트 헬스 케어용 웨어러블 기기의 경우 항상 몸에 착용해야 하기 때문에 착용성이 기기 주요 성능 중의 하나로 강조되고 있다. 현재 전자제품에서 일반적으로 사용되는 printed circuit board (PCB)를 기반으로 한 기존의 전자 패키지는 인체와의 정합성이 크게 떨어지기 때문에 착용이 불편하여 웨어러블 기기에 적용하기가 어렵다는 문제점이 크게 대두되었다. 이에 따라 웨어러블 기기용 전자 패키지는 딱딱한 PCB 기판을 기반으로 한 패키지에서 굽힘이 가능한 flexible printed circuit board (FPCB) 기판을 기반으로 유연 패키지를 거쳐 궁극적으로는 유연성과 더불어 신축성을 지니고 있어 굽히고, 접고, 비틀고, 잡아당기고 누르는 동작과 함께 전기적으로 안정된 작동이 가능한 신축 전자패키지로 발전하고 있다.
	island-bridge 구조의 신축 전자패키지는 어떠한 구조를 가지는가?	신축 전자패키지를 구현하기 위해서는 신축기판, 신축배선 및 신축성 반도체 기술이 요구되는데, 신축성을 갖는 유기물 반도체의 특성이 Si 반도체에 비해 매우 떨어져 이를 실제 신축 전자패키지 공정에 적용하는 것이 어렵기 때문에 이를 타개하기 위한 방안으로서 island-bridge 구조의 신축 전자패키지가 개발되고 있다. 4,5,17-23) Islandbridge 신축 전자패키지는 Si 반도체와 같이 신축성이 전혀 없는 기존 전자부품들을 강성도가 높고 신축성이 없는 island 기판에 실장한 후, island 기판들을 신축성 탄성 고분자 기판 내에 배열하고 이들 사이를 신축배선을 사용하여 서로 연결한 구조이다. 4,5,21,22) 이와 같은 islandbridge 구조의 신축 전자패키지에서 신축변형이 억제되는 island 기판으로는 신축성은 없으나 유연성을 지닌 FPCB가 주로 사용되며, 신축변형이 주로 발생하는 바다 역할을 하는 신축성 베이스 기판으로는 polydimethylsiloxane (PDMS)가 주로 사용되고 있다.

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저자의 다른 논문 :

표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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