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NTIS 바로가기韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.30 no.4, 2019년, pp.282 - 285
윤형섭 (한국전자통신연구원 ICT 소재부품연구소 RF) , 민병규 (한국전자통신연구원 ICT 소재부품연구소 RF) , 장성재 (한국전자통신연구원 ICT 소재부품연구소 RF) , 정현욱 (한국전자통신연구원 ICT 소재부품연구소 RF) , 이종민 (한국전자통신연구원 ICT 소재부품연구소 RF) , 김성일 (한국전자통신연구원 ICT 소재부품연구소 RF) , 장우진 (한국전자통신연구원 ICT 소재부품연구소 RF) , 강동민 (한국전자통신연구원 ICT 소재부품연구소 RF) , 임종원 (한국전자통신연구원 ICT 소재부품연구소 RF) , 김완식 (LIG 넥스원(주)) , 정주용 (LIG 넥스원(주)) , 김종필 (LIG 넥스원(주)) , 서미희 (국방과학연구소) , 김소수 (국방과학연구소)
A 100-nm gate-length metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT) with a T-shaped gate was fabricated using a two-step gate recess and characterized for DC and microwave performance. The mHEMT device exhibited DC output characteristics having drain current(
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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초고주파 소자 및 MMIC 제작에서 InP 기반의 HEMT의 단점은 무엇인가? | 그러나, InP 기반의 HEMT 소자는 기판이 고가이고, 상대적으로 깨어지기 쉬워 4-인치 이상의 InP wafer를 사용하기가 어렵다. 이러한 문제를 해결할 목적으로 GaAs 기판위에 metamorphic buffer층을 성장하고, InAlAs/InGaAs HEMT 구조(mHEMT)를 형성한 구조가 제안되었다[3],[4]. | |
InAlAs/InGaAs HEMT 소자가 가지고 있는 특징은 무엇인가? | 고속 데이터 전송, 광대역 멀티미디어 통신 서비스 및정밀 감시 시스템 등의 구현을 위해서는 밀리미터파 대역의 초고주파 소자 및 MMIC의 확보가 필요하다. InP 기반의 InAlAs/InGaAs HEMT 소자는 높은 차단주파수 특성(>500 GHz), 우수한 잡음특성 (<3 dB@ 95 GHz)을 보여W-대역의 초고주파 소자 및 MMIC 제작에 널리 사용되고 있다[1],[2]. | |
본 논문에서 제안한 GaAs 기반의 mHEMT 소자의 특성은 무엇인가? | 본 연구에서는 2단계 게이트 리세스 식각 공정을 개발하여 T-형 게이트 길이가 100 nm인 GaAs 기반의 mHEMT 소자를 제작하였으며 소자의 DC와 RF 특성을 조사 분석하였다. 게이트 길이가 100 nm인 mHEMT 소자는 65 mA의 Ids, 1,090 mS/mm의 gm, −0.65 V의 Vth 등의 DC 특성을보였다. 또한 차단주파수(fT) 190 GHz와 최대 공진주파수(fMAX) 260 GHz인 우수한 고주파 특성을 나타내었다. 본연구에서 제작한 mHEMT 소자는 향후에 W-대역의 MMIC 개발에 활용될 수 있을 것으로 기대된다. |
Y. Yamashita, A. Endoh, K. Sinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, and S. Hiyamizu, et al., "Pseudomorphic $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.7}Ga_{0.3}As$ HEMTs with an ultrahigh $f_T$ of 562 GHz," IEEE Electron Device Letters, vol. 23, no. 10, pp. 573-575, Oct. 2002.
W. R. Deal, K. Leong, V. Radisic, S. Sarkozy, B. Gorospe, and J. Lee, et al., "Low noise amplification at 0.67 THz using 30 nm InP HEMTs," IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol. 21, no. 7, pp. 368-370, Jul. 2011.
A. Leuther, A. Tessmann, M. Dammann, W. Reinert, M. Schlechtweg, and M. Mikulla, et al., "70 nm low-noise metamorphic HEMT technology on 4 inch GaAs wafers," in International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Santa Barbara, 2003, pp. 215-218.
H. S. Yoon, J. Y. Shim, D. M. Kang, J. Y. Hong, and K. H. Lee, "Characteristics of 80 nm T-gate metamorphic HEMTs with 60% indium channel," in 2007 IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials, Matsue, 2007, pp. 110-113.
H. Fourre, F. Diette, and A. Cappy, "Selective wet etching of lattice-matched InGaAs/InAlAs and metamorphic InGaAs/InAlAs on GaAs substrate using succinic Aic/Hydrogen peroxide solution," Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena, vol. 14, no. 5, pp. 3400-3402, Sep./Oct. 1996.
K. Yaohui, W. Weibo, G. Jianfeng, and C. Chen, "100 nm MHEMT transistor technology for W-band amplifier," in Proceedings of 2014 3rd Asia-Pacific Conference on Antennas and Propagation, Harbin, 2014, pp. 1339-1341.
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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