[논문]High-performance normally off AlGaN/GaN-on-Si HEMTs with partially recessed SiNx MIS structure : High-performance normally off AlGaN/GaN-on-Si HEMTs

Kang, Myoung-Jin; Lee, Min-Seong; Choi, Gwang-Ho; Hwang, Il-Hwan; Cha, Ho-Young; Seo, Kwang-Seok

doi:10.1002/pssa.201600726

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High-performance normally off AlGaN/GaN-on-Si HEMTs with partially recessed SiNx MIS structure : High-performance normally off AlGaN/GaN-on-Si HEMTs

Physica status solidi. PSS. A, Applications and materials science, v.214 no.8, 2017년, pp.1600726 -

Kang, Myoung-Jin (Department of Electrical and Computer Engineering, and Inter-University Semiconductor Research Center) , Lee, Min-Seong (Seoul National University) , Choi, Gwang-Ho (Seoul 151-744 Korea) , Hwang, Il-Hwan (Department of Electrical and Computer Engineering, and Inter-University Semiconductor Research Center) , Cha, Ho-Young (Seoul National University) , Seo, Kwang-Seok (Seoul 151-744 Korea)

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참고문헌 (23)

Oka IEEE Electron Device Lett 29.7 668 2008 10.1109/LED.2008.2000607

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Tang IEEE Electron Device Lett 34.11 1373 2013 10.1109/LED.2013.2279846

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Huang Solid-State Electron 114 148154 2015 10.1016/j.sse.2015.09.006

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Landford Electron. Lett 41.7 449 2005 10.1049/el:20050161

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Saito IEEE Trans. Electron Devices 53.2 356 2006 10.1109/TED.2005.862708

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Cai IEEE Trans. Electron Devices 53.9 2207 2006 10.1109/TED.2006.881054

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Hu Electron. Lett 36.8 753 2000 10.1049/el:20000557

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Zhou IEEE Trans. Electron Devices 62.3 776 2015 10.1109/TED.2014.2385062

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T. Wu D Marcon B. De Jaeger M. Van Hove B. Bakeroot D. Lin S. Stoffels X. Kang R. Roelofs G. Groeseneken S. Decoutere 2015
Huang IEEE Electron Device Lett 35.5 569 2014 10.1109/LED.2014.2310851

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Choi IEEE Electron Device Lett 35.1 30 2014 10.1109/LED.2013.2291551

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Lee IEEE Electron Device Lett 35.10 995 2014 10.1109/LED.2014.2343233

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Loewenstein J. Electrochem. Soc 138.5 1389 1991 10.1149/1.2085792

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Chen Appl. Phys. Lett 92.25 253501 2008 10.1063/1.2951615

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Tang IEEE Electron Device Lett 34.11 1373 2013 10.1109/LED.2013.2279846

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Medjdoub IEEE Electron Device Lett 31.2 111 2010 10.1109/LED.2009.2037719

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Lu IEEE Electron Device Lett 33.3 360 2012 10.1109/LED.2011.2179971

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Chu IEEE Electron Device Lett 32.5 632634 2011
Lee IEEE Electron Device Lett 34.2 214 2013 10.1109/LED.2012.2235403

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Lian IEEE Electron Device Lett 34.8 981 2013 10.1109/LED.2013.2269475

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Wang IEEE Electron Device Lett 34.11 1370 2013 10.1109/LED.2013.2279844

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Wang IEEE Electron Device Lett 31.2 1383 2010 10.1109/LED.2010.2072771

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Engel-Herbert J. Appl. Phys 108.12 124101 2010 10.1063/1.3520431

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