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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.29 no.3, 2019년, pp.83 - 90
이강석 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 김경화 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 김상우 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 전인준 (부산대학교 나노에너지공학과 나노융합기술과) , 안형수 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 양민 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 이삼녕 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 조채용 (부산대학교 나노에너지공학과 나노융합기술과) , 김석환 (안동대학교 물리학과)
In this paper, Mg-doped AlN epilayers for power semiconductor devices are grown by mixed-source hydride vapor phase epitaxy. Magnesium is used as p-type dopant material in the grown AlN epilayer. The AlN epilayers on the GaN-templated sapphire substrate and GaN-templated-patterned sapphire substrate...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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수소화물 기상 에피택시의 단점은? | 일반적인 HVPE 방법은 AlN 에피층 성장과 Mg을 도핑 하기 위하여 Al 소스 영역과 Mg 소스 영역을 따로 만들어야 하기 때문에 장비가 복잡하고, 에피층의 종류에 따라 소스 영역을 여러 영역으로 만들어야 하는 단점이 있다. 본 논문에서 사용하는 혼합소스 HVPE 방법은 성장하고자 하는 재료를 흑연 보트에 혼합하여 사용하므로, 성장하는 물질의 재료 종류와 무관하게 간단한 구조의 장비로 공정이 가능하다. | |
MOCVD방법에서 도핑 소스로 사용하고 있는 것은? | 그러나 수소화물 기상 에피택시(hydride vapor phase epitaxy, HVPE)에서는 Zn 소스를 공급하기 위한 장치가 필요하고 금속 Zn 소스를 바로 사용할 경우 고온에서 도핑 전에 기화하는 현상과 반응관 내의 잔류 문제 등에 의해 도핑 재료로는 사용되기 어려운 실정이다. 따라서 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 방법에서는 DEZ(diethylzinc: Zn(C2H5)2)와 DMZ(dimethylzinc:Zn(CH3)2) 등을 주로 도핑 소스로 사용하고 있다. 이러한 화합물들은 일정한 온도에서 원자간의 결합 에너지 보다 더 큰 열 에너지를 얻기 때문에 쉽게 분해되어 도펀트로 역할을 하게 되며 p형 도펀트의 소스로는 Cp2Mg(bis-cyclopentadienyl magnesium: Mg(C5H5)2)을 이용하고 있다[10-12]. | |
수소화물 기상 에피택시에서 Zn이 도핑 재료로는 사용되기 어려운 이유는? | Zn를 사용할 경우 AlN 에피층에 대하여 Al 부분을 치환하여 점유하고 활성화 에너지가 비교적 낯아 홀의 캐리어 농도를 높일 수 있어 p형 AlN 에피층을 형성하는데 많이 사용되고 있다. 그러나 수소화물 기상 에피택시(hydride vapor phase epitaxy, HVPE)에서는 Zn 소스를 공급하기 위한 장치가 필요하고 금속 Zn 소스를 바로 사용할 경우 고온에서 도핑 전에 기화하는 현상과 반응관 내의 잔류 문제 등에 의해 도핑 재료로는 사용되기 어려운 실정이다. 따라서 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 방법에서는 DEZ(diethylzinc: Zn(C2H5)2)와 DMZ(dimethylzinc:Zn(CH3)2) 등을 주로 도핑 소스로 사용하고 있다. |
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