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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.29 no.7, 2019년, pp.408 - 411
ZTO/n-Si thin film is produced to investigate tunneling phenomena by interface characteristics by the depletion layer. For diversity of the depletion layer, the thin film of ZTO is heat treated after deposition, and the gpolarization is found to change depending on the heat treatment temperature and...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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반도체소자의 전도메카니즘에는 어떠한 것이 있는가? | 낮은 영역에서 흐르는 누설전류와 신호전류사이의 구분이 모호해지면서 전자와 양자의 효율을 개선시키기 위해서 전류에 대한 전도메카니즘과 관련하여 많은 연구가 이루어지고 있다.1-4) 반도체소자의 전도메카니즘의 기본은 오믹접합과 쇼키접합이 있다. 반도체의 전도는 불순물에 의한 전하들의 농도에 비례하여 전도도가 증가하는 경향이 있으며, n형의 불순물을 이용하는 것이 반도체소자에 유리한 이유도 (–) 전하인 전자를 이용하는 것이 전도성 향상에 유리하기 때문이다. | |
반도체의 전도에서 불순물이 전도도에 어떠한 영향을 미치는가? | 1-4) 반도체소자의 전도메카니즘의 기본은 오믹접합과 쇼키접합이 있다. 반도체의 전도는 불순물에 의한 전하들의 농도에 비례하여 전도도가 증가하는 경향이 있으며, n형의 불순물을 이용하는 것이 반도체소자에 유리한 이유도 (–) 전하인 전자를 이용하는 것이 전도성 향상에 유리하기 때문이다.5-7) 전통적으로 이동도향상을 보여주는 제너다이오드 혹은 에사키 다이오드도 마찬가지로 고농도 불순물도핑효과에 의해서 고속스위칭특성을 이용하는 반도체소자이다. | |
오믹저항에서 터널링 현상을 구현하기 어려운 이유는? | 그러나 부성저항의 터널링현상은 오믹저항을 나타내며 고농도 도핑 물질에 의한 다수케리어에 의하여 단방향성 전도메카니즘을 형성하게 된다.8-12) 오믹저항의 특성상 고농도로 도핑하게 되면 고속 스위칭이 가능하나 온도가 올라가면 소자가 파괴되는 단점이 있다. ~nm 수준의 얇은 박막에서는 고농도 도핑이 거의 불가능하다. 그래서 터널링 현상을 구현하기는 쉽지 않다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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