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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.32 no.6, 2019년, pp.516 - 521
하민탄 (한국세라믹기술원 에너지환경본부 에너지효율소재센터) , 신윤지 (한국세라믹기술원 에너지환경본부 에너지효율소재센터) , 배시영 (한국세라믹기술원 에너지환경본부 에너지효율소재센터) , 유용재 (한국세라믹기술원 에너지환경본부 에너지효율소재센터) , 정성민 (한국세라믹기술원 에너지환경본부 에너지효율소재센터)
The top seeded solution growth (TSSG) method is an alternative technique to grow high-quality SiC crystals that has been actively studied for the last two decades. However, the TSSG method has different issues that need to be resolved when compared to the commercial SiC crystal growing method, i.e.,...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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TSSG법의 장점은? | 이러한 PVT법의 어려움을 극복하는 차원에서 HTCVD법과 TSSG법 등의 신개념 SiC 성장공정이 제안되었다. 그중 특히 TSSG법은 Si이나 사파이어에서 널리 사용되는 액상성장법과 유사한 방법으로 C을 용융시킨 Si 융액상부에 배치한 SiC 종자결정상에 단결정 SiC를 성장시키는 방법으로서 낮은 전위밀도를 갖는 고품질 단결정을 성장시키기 용이하여 최근 높은 관심을 끌고 있다 [5-7]. | |
탄화규소(silicon carbide, SiC)는 무엇인가? | 탄화규소(silicon carbide, SiC)는 전력 변환 효율을 극대화할 수 있는 차세대 고효율⋅고성능 전력소자용 단결정기판으로 최근 상용화되고 있다. SiC 기판은 물리적 기상수송법(physical vapor transport, PVT법)을 [1,2] 비롯하여 고온화학기상증착법(high temperature chemical vapor deposition, HTCVD법) [3,4], 상부종자 용액 성장법(top seeded solution growth, TSSG법) [5-7] 등 여러 가지 방법이 제안되어 있다. | |
고체와 기체의 계면상에서 단결정이 성장하는 PVT의 단점은? | SiC 기판은 물리적 기상수송법(physical vapor transport, PVT법)을 [1,2] 비롯하여 고온화학기상증착법(high temperature chemical vapor deposition, HTCVD법) [3,4], 상부종자 용액 성장법(top seeded solution growth, TSSG법) [5-7] 등 여러 가지 방법이 제안되어 있다. 그중 현재까지 대량생산공정으로 상용화된 유일한 공정인 PVT 법의 경우 기판에 존재하는 결함을 줄이는 데 장기간에 걸친 품질 향상과 연구 개발에 대한 노력이 필요하므로 SiC 기판의 대중화와 시장 적용에는 큰 어려움이 존재한다. 이러한 PVT법의 어려움을 극복하는 차원에서 HTCVD법과 TSSG법 등의 신개념 SiC 성장공정이 제안되었다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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