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NTIS 바로가기한국윤활학회지 = Tribology and lubricants, v.35 no.5, 2019년, pp.274 - 285
이현섭 (동명대학교 기계공학부) , 성인하 (한남대학교 기계공학과)
Chemical mechanical polishing (CMP), which is a material removal process involving chemical surface reactions and mechanical abrasive action, is an essential manufacturing process for obtaining high-quality semiconductor surfaces with ultrahigh precision features. Recent rapid growth in the industri...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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매크로 및 마이크로 스케일에서 재료 제거 메커니즘 분석을 위해 동역학적 모델에 의한 수치해석 혹은 유한요소해석을 이용할 때의 장단점은 무엇인가? | 매크로 및 마이크로 스케일에서는 주로 동역학적 모델(kinematics model)에 의한 수치해석이나 유한요소해석을 이용하여 재료 제거 메커니즘을 분석하여 제시하고 있다. 이러한 수치해석 또는 유한요소해석은 전체적인 CMP 공정의 패드, 웨이퍼의 변형과 연마 불균일성 등을 이해하는데 도움이 되지만, 연속체 모델에 대한 해석, 해석모델 및 조건에 미세 입자 고려나 슬러리 유동 반영의 어려움 등의 제한성으로 인해 미세 스크래치 발생 등의현상을 설명하는 데에 한계를 지닌다. | |
화학기계적 연마 또는 화학기계적 평탄화(chemical-mechanical polishing/planarization, CMP) 공정은 무엇인가? | 화학기계적 연마 또는 화학기계적 평탄화(chemical-mechanical polishing/planarization, CMP) 공정은 연마입자(abrasive particle)를 포함한 슬러리(slurry)에 의한 화학적 반응과 기계적인 가공에 의해, 더 빠르고 더 집적화된 대용량의 반도체 소자 제조에 필수적인 무결점의 평탄한 웨이퍼 표면을 만드는 중요한 공정 기술이다. CMP 공정의 기본적인 메커니즘은 재료 표면을 슬러리에 의한 화학 반응으로 연화시키고, 연화된 재료층의 제거와 패턴의 단차 감소를 연마 입자에 의한 기계적 가공을 통해 달성하는 것이다. | |
CMP을 연구하기 위해 필요한 지식은 어떤 것이 있는가? | CMP는 다학제적인 기술이 복합적으로 집약된 공정으로서, 기판, 입자, 슬러리 등의 재료 및 조성, 기계 역학적 및 화학적 반응 메커니즘, 유체 유동 등의 영향에 대한 종합적이며 포괄적인 이해를 필요로 한다. 본 연구에서는 트라이볼로지 관점에서 CMP공정을 통한 반도체 소자 및 연마 기술의 최근 연구 개발 동향을 살펴보았다. |
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