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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.29 no.11, 2019년, pp.715 - 719
임태완 (충남대학교 에너지기술과학 대학원) , 장효식 (충남대학교 에너지기술과학 대학원)
Molybdenum is a low-resistivity transition metal that can be applied to silicon devices using Si-metal electrode structures and thin film solar cell electrodes. We investigate the deposition of metal Mo thin film by plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD).
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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Mo 금속은 반도산업에서 어떠한 용도로 사용할 수 있는가? | 그러나 플라즈마의 유입으로 인하여 박막을 증착하기 위해 전구체와 플라즈마의 충분한 반응 시간과 박막이 플라즈마에 의해 받는 손상을 최소화 하기 위해 적절한 플라즈마 power를 조절해야 한다. Mo 금속은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET) 에서 gate electrode및 전극으로 사용 할 수 있다. 화학 기상 증착법(CVD)7) 및 물리기상증착법(PVD)으로 증착한 Mo 금속에 대한 연구가 많이 진행 되어 졌다. | |
플라즈마 원자층 증착법은 무엇인가? | 4) 그러나 ALD에서 반응성이 약해 전구체에 포함되어 있는 리간드가 필름에 유입되어 오염시킬 수 있다는 단점이 있다. 플라즈마 원자층 증착법(PE-ALD)은 반응 기체에 플라즈마를 이용하여 라디칼을 만들어 반응성을 높인 증착 기술이다.5) 이로 인해 더욱 낮은 온도에서의 증착이 가능하고 반응성의 증가로 인해 박막의 품질을 향상 시킬 수 있다. | |
원자층 증착법으로 정확한 박막 두께 조절이 가능한 이유는 무엇인가? | 1,6) 원자층 증착법(ALD)은 소형화 되는 반도체와 다양한 박막의 증착으로 인하여 높은 온도에 민감한 고효율 Si 태양전지 산업에 적합한 증착 기술이다. 표면에서의 화학 흡착에 의해 self-limited reaction이 일어나게 되고 이로 인해 Å단위의 얇은 두께의 박막이 한 층씩 증착 되기 때문에 정확한 두께 조절이 가능하다.2,3)또한 표면에서의 반응으로 인해 매우 좋은 균일도를 가지고 비교적 낮은 증착 온도로 인해 금속을 증착 할때 온도에 의한 박막의 손상을 줄일 수 있다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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