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에어로졸 데포지션 공정으로 제작된 BaTiO3 필름 성장에 출발 원료가 미치는 영향
Effect of Starting Powder on the Growth of BaTiO3 Film Prepared by Aerosol Deposition Process 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33 no.3, 2020년, pp.208 - 213  

조명연 (광운대학교 전자재료공학과) ,  김익수 (광운대학교 전자재료공학과) ,  이동원 (광운대학교 전자재료공학과) ,  구상모 (광운대학교 전자재료공학과) ,  오종민 (광운대학교 전자재료공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Four types of BaTiO3 powders are prepared and successfully deposited on glass and Pt/Si substrates using the aerosol deposition process. Particles with sizes of 0.45 ㎛ and 0.3 ㎛ are selected as the starting powder, while those powders are treated using a different milling method. The j...

주제어

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문제 정의

  • 따라서 본 연구에서는 BaTiO3 출발 원료의 형상 및 사이즈에 따른 성막 특성을 분석하기 위해, 입자사이즈 및 응집도가 다른 BaTiO3 분말을 사용하였으며, 이를 이용하여 성막한 BaTiO3 코팅층의 성막 특성, 전기적 특성, 표면 미세구조 등을 분석하여 원료 분말이 코팅층 형성에 주는 요인들을 모색하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
AD 공정은 무엇인가? AD 공정은 원료 분말을 운송 가스에 실어 수백 m/s의 분사속도로 기판에 충돌시킴으로써, 수백 나노미터에서 수 마이크로미터의 입자들의 분쇄 또는 소성 변형에 의해 발생된 운동에너지가 열에너지로 소산되어 코팅층을 형성하는 방법이다. 따라서 출발 원료 입자의 크기 및 형상은 기판과의 물리적 충돌에 기반한 성막 특성에 크게 기여할 수 있으며, 표면 특성과 전기적 성능에 또한 영향을 끼친다.
에어로졸 데포지션 공정이 압전체, 내장형 수동소자, 광학소자, 리튬이온배터리, 초소수성 코팅 등과 같은 광범위한 범위에 응용되는 이유는 무엇인가? 최근 상온 및 저진공에서 치밀한 세라믹 필름 성막이 가능한 에어로졸 데포지션(aerosol deposition, AD) 공정 기술에 대한 관심이 급증하고 있다 [1,2]. AD 공정은 분말 원료의 종류 및 기판의 제약 없이 수십 나노미터부터 수백 마이크로의 두께를 가진 필름의 성막이 가능하며, 성막층의 조성 및 화학양론비의 제어가 용이하기 때문에, 압전체, 내장형 수동소자, 광학소자, 리튬이온배터리, 초소수성 코팅 등과 같은 광범위한 범위에 응용되어 왔으며, 최근에는 전도성 브릿징 디바이스, 양극성 트랜지스터, 습도 센서, 에너지 하베스터와 같은 전기·전자 디바이스 분야에서도 우수한 성능이 보고되고있다 [3-7].
AD 공정에서 출발 원료 입자의 크기 및 형상은 어떠한 특성에 크게 기여할 수 있는가? AD 공정은 원료 분말을 운송 가스에 실어 수백 m/s의 분사속도로 기판에 충돌시킴으로써, 수백 나노미터에서 수 마이크로미터의 입자들의 분쇄 또는 소성 변형에 의해 발생된 운동에너지가 열에너지로 소산되어 코팅층을 형성하는 방법이다. 따라서 출발 원료 입자의 크기 및 형상은 기판과의 물리적 충돌에 기반한 성막 특성에 크게 기여할 수 있으며, 표면 특성과 전기적 성능에 또한 영향을 끼친다. 일례로, 광학 소자에서의 거친 표면을 가진 코팅막은 반사율과 투과율을 저하시키는 가장 주요한 원인 중의 하나이며, 근래 활발히 연구되고 있는 수동소자 내에서는 누설 전류를 발생시키거나 유전 특성을 저하시키는 등 기능성 소자에서도 심각한 문제를 초래하기도 한다 [8,9].
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참고문헌 (17)

  1. J. Akedo, J. Am. Ceram. Soc., 89, 1834 (2006). [DOI: http://doi.org/10.1111/j.1551-2916.2006.01030.x] 

  2. J. Akedo, J. Therm. Spray Technol., 17, 181 (2008). [DOI: http://doi.org/10.1007/s11666-008-9163-7] 

  3. Y. Imanaka, N. Hayashi, M. Takenouchi, and J. Akedo, J. Eur. Ceram. Soc., 27, 2789 (2007). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2006.11.055] 

  4. J. M. Oh and S. M. Nam, Jpn. J. Appl. Phys., 48, 09KA07 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1143/jjap.48.09ka07] 

  5. J. Ryu, D. S. Park, B. D. Hahn, J. J. Choi, W. H. Yoon, K. Y. Kim, and H. S. Yun, Appl. Catal., B, 83, 1 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2008.01.020] 

  6. T. Fujihara, M. Tsukamoto, N. Abe, S. Miyake, T. Ohji, and J. Akedo, Vacuum, 73, 629 (2004). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2003.12.082] 

  7. M. Y. Cho, D. W. Lee, P. J. Ko, S. M. Koo, J. S. Kim, Y. K. Choi, and J. M. Oh, Electron. Mater. Lett., 15, 227 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1007/s13391-018-00111-w] 

  8. M. Y. Cho, S. J. Park, S. M. Kim, D. W. Lee, H. K. Kim, S. M. Koo, K. S. Moon, and J. M. Oh, Ceram. Int., 44, 16548 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2018.06.076] 

  9. J. J. Park, D. Y. Kim, J. G. Lee, D. Kim, J. H. Oh, T. Y. Seong, M.F.A.M. Van Hest, and S. S. Yoon, J. Am. Ceram. Soc., 96, 1596 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1111/jace.12164] 

  10. I. S. Kim, P. J. Ko, M. Y. Cho, H. K. Kim, D. W. Lee, S. M. Koo, D. Lee, C. Park, and J. M. Oh, Ceram. Int., 45, 20634 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2019.07.046] 

  11. M. Y. Cho, D. W. Lee, I. S. Kim, W. J. Kim, S. M. Koo, D. Lee, Y. H. Kim, and J. M. Oh, Ceram. Int., 45, 6702 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2018.12.159] 

  12. D. W. Lee, M. C. Shin, Y. N. Kim, and J. M. Oh, Ceram. Int., 43, 1044 (2017). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2016.10.037] 

  13. J. G. Liang, E. S. Kim, C. Wang, M. Y. Cho, J. M. Oh, and N. Y. Kim, Sens. Actuators, B, 265, 632 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.snb.2018.03.093] 

  14. M. Y. Cho, S. Kim, I. K. Kim, E. S. Kim, Z. J. Wang, N. Y. Kim, S. W. Kim, and J. M. Oh, Adv. Funct. Mater., 30, 1907449 (2020). [DOI: https://doi.org/10.1002/adfm.201907449] 

  15. D. W. Lee, H. J. Kim, and S. M. Nam, J. Korean Phys. Soc., 57, 1115 (2010). [DOI: https://doi.org/10.3938/jkps.57.1115] 

  16. M. Y. Cho, D. W. Lee, I. K. Kim, W. H. Lee, J. W. Yoo, P. J. Ko, S. M. Koo, Y. K. Choi, and J. M. Oh, Jpn. J. Appl. Phys., 57, 11UF05 (2018). [DOI: https://doi.org/10.7567/JJAP.57.11UF05] 

  17. J. M. Oh, N. H. Kim, S. C. Choi, and S. M. Nam, Mater. Sci. Eng. B, 161, 80 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2009.01.028] 

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