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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33 no.3, 2020년, pp.245 - 248
박진용 (동의대학교 신소재공학과) , 김정곤 , 김대성 (동의대학교 신소재공학과) , 유우식 , 이원재 (동의대학교 신소재공학과)
The wettability of silicon carbide (SiC) crystal, which has 6H-SiC and 4H-SiC regions prepared using the physical vapor transport (PVT) method, is quantitatively analyzed using dispensed deionized (DI) water droplets. Regardless of the polytypes in SiC, the average of five contact angle measurements...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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성장된 SiC 단결정은 무엇으로 재사용될 수 있는가? | 각 Si면과 C면인 극성면의 표면에너지는 서로 다른 값을 가지므로 극성면에 따른 물성 또한 다르게 나타나 게 된다 [6,7]. 성장된 SiC 단결정은 종자정으로 재사용될 수 있으며 디바이스 제작을 위한 epitaxy layer 증착 등의 후공정을 실시할 수도 있다. SiC 결정의 극 성 판별은 고온건식/습식산화 공정(Si면과 C면의 표면 산화속도 차이)을 이용하는 것이 일반적인 식별방법이 지만 추가적인 공정과 시간이 소요되게 된다 [8,9]. | |
SiC는 무엇인가? | SiC는 원소 주기율표상의 4족 원소인 Si와 C로 구성된 화합물 반도체이다. Si에 비해 10배 높은 절연 파괴 및 전계 강도를 가지며 3배 정도 높은 밴드갭을 가지므로 고온에서 우수한 기계적 강도와 산화 저항성 을 나타낸다. | |
SiC는 Si에 비해 어떠한 특징이 있는가? | SiC는 원소 주기율표상의 4족 원소인 Si와 C로 구성된 화합물 반도체이다. Si에 비해 10배 높은 절연 파괴 및 전계 강도를 가지며 3배 정도 높은 밴드갭을 가지므로 고온에서 우수한 기계적 강도와 산화 저항성 을 나타낸다. 이러한 물성으로 종래의 Si 기반 반도체소재의 한계를 뛰어넘는 차세대 Widebandgap 반도체 소재로써 활용되고 있다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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