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반도체 및 디스플레이 공정용 산화이트륨 연구 동향 원문보기

E<SUP>2</SUP>M : Electrical & Electronic materials = 전기 전자와 첨단 소재, v.33 no.3, 2020년, pp.31 - 41  

이연숙 (한국산업기술시험원)

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문제 정의

  • 또한 국내 반도체 부품/장비 관련 수요업체에서는 내플라즈마 특성 향상을 통해 생산 수율을 높이기 위해 고순도 산화이트륨을 요구하고 있어 관련 산업에서의 경쟁력 제고를 위해서는 고순도 산화이트륨 소재의 개발 및 국산화가 반드시 필요하다. 따라서 본 기고문에서는 산화이트륨의 상용화를 위한 기술 소개와 표준화된 분체 특성 평가기술을 소개하였다. 최근 전자세라믹스 제조용 세라믹 원료의 특징은 미세한 분말, 제어된 입자의 형상, 고순도화를 들 수 있다.
  • 본고에서는 산화이트륨의 특성 및 상용화 기술, 산화이트륨 상용화(국산화)를 위한 표준화된 분체 특성평가를 소개한다. 또한 반도체/디스를레이 장비용 부품에 적용하는 방법으로 산화이트륨 코팅기술에 대해 서술하고자 한다.
  • 따라서 표준화된 시험방법을 활용하여 산화이트륨 분말에 대한 정밀·정확 한 특성평가가 이루어져야 하며, 산화이트륨의 국산화를 위해서는 국내 업계 스스로 산화 이트륨 분체특성 관련 호환성 있는 데이터 축 적이 필요하다. 본 장에서는 반도체/디스플레이 부품에 사용되는 고순도(99.99% 이상) 산화 이트륨 분말에 대한 분체특성평가 방법에 대해 서술하였다 (그림 3).
  • 본고에서는 산화이트륨의 특성 및 상용화 기술, 산화이트륨 상용화(국산화)를 위한 표준화된 분체 특성평가를 소개한다. 또한 반도체/디스를레이 장비용 부품에 적용하는 방법으로 산화이트륨 코팅기술에 대해 서술하고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
반도체/디스플레이 장비에 사용되는 부품들의 내플라즈마성이 우수해야하는 이유는? 반도체/디스플레이 산업에서 경쟁력 제고를 위해 선폭의 미세화, 고집적화 등을 지속적으로 진행하고 있으며, 이를 구현하기 위해 박막 증착 기술(CVD 등), 식각(에칭)기술 등 제조공정장비의 기술 향상과 함께 공정장비에 사용되는 소재의 뒷받침이 반드시 필요하다. 반도체/디스플레이 장비에 사용되는 부품들은 다양한 플라즈마를 활용하기 때문에 이들 장비에 사용되는 부품들은 내플라즈마성이 우수한 재료들을 사용해야 한다. 내플라즈마성이 우수한 재료로 현재 반도체/디스플레이 공정장비용 산화알루미늄(Al2O3), 산화이트륨(Y2O3), 산불화이트륨(YOF) 순으로 소재가 발전하고 있으나, 현재는 고순도 산화이트륨이 가장 많이 사용되고 있다 [1-3].
산화이트륨은 어떠한 분야에서 사용되고 있는가? 특히 산화이트륨은 2,325℃ 온도까지 단사정 구조로서 상전이가 없기 때문에 1,800℃ 이상의 고온까지 매우 우수한 화학적 안정성과 내열성을 가지고 있는 대표적인 세라믹 소재로 알려져 있다 [4-8]. 산화이트륨은 이러한 특성으로 고온용 내식성 기판 재료, 용융금속의 네트 캐스팅을 위한 노즐재 료, 반응성이 매우 높은 금속의 용융을 위한 용기재료 등 다양한 분야에 널리 사용되어 왔다.
AlN에 산화이트륨을 첨가할 시 얻을 수 있는 이점은? 현재 산화이트륨은 AlN, SiC 등의 액상소결 조제, ZrO2 안정화 물질 및 내플라즈마성이 요구되는 반도체/디스플레이 장비 등에 주로 사용되고 있다. 액상소결제조로 많이 사용되는 산화이트륨은 Al2O3와 AlN에 첨가 시 yttrium aluminates 액상을 형성하여 소결온도를 낮추고 고밀도의 소결체를 얻게 한다. 특히 AlN에 첨가시 제 2상의 생성으로 AlN 내의 산소 원자가 제거되기 때문에 열전도도를 향상시키는 것으로 보고되고 있다 [9,10].
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참고문헌 (30)

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  2. H. K. Lee, K. S. Cho, and M. Y. Kim, J. Kor. Ceram. Soc., 46, 385 (2009). 

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  4. J. He, X. D. Li, J. G. Li, and X. D. Sun, Int. J. Mater. Sci. Eng., 1, 28 (2013). 

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  9. J. S. Choi, T. Nakayama, and W. T. Bae, J. Kor. Ceram. Soc., 50, 348 (2013). 

  10. J. H. Chae, J. S. Park, J. P. Ahn, K. H. Kim, and B. H. Lee, J. Kor. Ceram. Soc., 45, 827 (2008). 

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  12. J. S. Choi, T. Nakayama, and W. T. Bae, J. Kor. Ceram. Soc., 50, 348 (2013). 

  13. M, J. Park, S. K. Yang, and J. B. Kang, J. Kor. Ceram. Soc., 43, 640 (2006). 

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  17. M. Kodo, K. Soga, H. Yoshida, and T. Yamamoto, J. Ceram. Soc. Jpn., 117, 765 (2009). 

  18. C. H Jung, J. S. Jang, and S. J. Lee, Met. Mater. Int. , 17, 451 (2011). 

  19. S. J. Lee and C. H. Jung, J. Nanoscien. Nano Technol. , 12, 800 (2012). 

  20. J. H. Nan, J. Kor. Ceram. Soc., 34, 1247 (1997). 

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  23. J. Iwasawa, R. Nishimizu, M. Tokita, M. Kiyohara and K. Uematsu, J Am. Ceram. Soc., 90, 2327 (2007). 

  24. S. J. Kim, J. K. Lee, Y. S. Oh, S. Kim, and S. M. Lee, J. Korean Ceram. Soc., 52, 395 (2015). 

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  26. D. R. Mumm and A.G.Evans, Acta Mater. , 48, 1815 (2000). 

  27. D. R.Clarke and C. G. Levi, Annu. Rev. Mater. Res., 33, 383 (2003). 

  28. D. M. Kim, S. Y. Yoon, K. B. Kim, H. S. Kim, Y.S. Oh, and S. M. Lee, J. Korean Ceram. Soc., 45, 7075 (2008). 

  29. B. K. Lee, D. S. Park, W. H. Yoon, J. Ryu, B. D. Hahn, and J. J. Choi, J. Korean Ceram. Soc., 46, 441 (2009). 

  30. J. Akedo, J Am. Ceram. Soc., 89, 1834 (2006). 

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