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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33 no.6, 2020년, pp.433 - 438
배수현 (경희대학교 정보전자신소재공학과) , 윤소정 (경희대학교 정보전자신소재공학과) , 민대홍 (경희대학교 정보전자신소재공학과) , 윤성민 (경희대학교 정보전자신소재공학과)
To enhance the tunneling electroresistance (TER) ratio of a ferroelectric tunnel junction (FTJ) device using Al-doped HfO2 thin films, a thin insulating layer was prepared on a TiN bottom electrode, for which TiN was preliminarily treated at various temperatures in O2 ambient. The composition and th...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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MFM 구조를 갖는 FTJ소자의 on/off비가 낮은 이유는 무엇인가? | 하지만 MFM 구조를 가지는 FTJ 소자의 경우 on/off 비가 10 이하로 매우 낮다. on/off 비가 낮은 이유는 분극 방향에 따른 유효 전위장벽의 변화가 작기 때문이다. 따라서 유효 전위장벽의 변화를 크게 하기 위한 방법으로서 추가적인 방법의 도입이 필요하다. | |
FTJ는 무엇인가? | FTJ는 판독 작업 동안 저장된 정보가 사라지는 파괴적 판독을 하는 FeRAM과는 달리 비파괴적 판독이 가능하다 [6-8]. FTJ는 두 개의 전극 사이에 얇은 강유전체 박막이 삽입됨으로써 전자가 터널링 되는 현상을 이용하는 2단자 저항변화형 메모리 소자이다 [9]. 두 개의 전극 사이에 존재하는 강유전체 장벽의 두께가 수나노미터 정도로 감소하면 전자는 양자역학적 터널링 효과로 인해 강유전체 장벽을 통과할 수 있다. | |
FTJ는 FeRAM과 비교해 어떤 장점이 있는가? | 최근 HfO2 기반 전자소자의 새로운 응용 분야로서 강유전체 터널접합(ferroelectric tunnel junction, FTJ) 구조의 메모리 소자 기술이 활발하게 연구되고 있다. FTJ는 판독 작업 동안 저장된 정보가 사라지는 파괴적 판독을 하는 FeRAM과는 달리 비파괴적 판독이 가능하다 [6-8]. FTJ는 두 개의 전극 사이에 얇은 강유전체 박막이 삽입됨으로써 전자가 터널링 되는 현상을 이용하는 2단자 저항변화형 메모리 소자이다 [9]. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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