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낸드 플래시 메모리와 PSRAM을 이용한 비동기용 불휘발성 메모리 모듈 설계
Design of Asynchronous Non-Volatile Memory Module Using NAND Flash Memory and PSRAM 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.19 no.3, 2020년, pp.118 - 123  

김태현 (청주대학교 반도체공학과) ,  양오 (청주대학교 반도체공학과) ,  연준상 (우진산전(주))

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, the design method of asynchronous nonvolatile memory module that can efficiently process and store large amounts of data without loss when the power turned off is proposed and implemented. PSRAM, which takes advantage of DRAM and SRAM, was used for data processing, and NAND flash memo...

주제어

#NVSRAM   #PSRAM   #DRAM   #NAND Flash Memory   #Asynchronous Memory Module  

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 PSRAM(Pseudo Static Random Access Memory) 과 낸드 플래시 메모리를 이용한 비동기용 불휘발성 메모리 모듈의 설계 방법을 제안 및 구현하였다. 이를 통해 데이터의 손실 문제를 해결하고 다양한 산업현장에서 사용되는 시스템의 메모리를 개선하여 상용화 가능성을 제시하고자 한다.
  • 본 논문에서는 대용량의 데이터를 전원 OFF시에도 손실없이 효율적으로 처리와 저장할 수 있는 비동기용 불휘발성 메모리 모듈의 설계 방법에 대해 제시하고 구현하였다. 데이터 처리를 위해 DRAM과 SRAM의 장점을 이용한 PSRAM을 사용하였고 데이터의 저장과 백업을 위해 낸드 플래시 메모리를 사용하였다.
  • 결과적으로 신뢰성과 안정성이 보장되고 약 10년간 데이터의 보존이 가능한 반영구적인 비동기용 불휘발성 메모리 모듈을 설계 및 구현하였다. 이것으로 산업현장에서 빈번한 데이터 손실 문제를 해결하고 사용자 및 관리자에게 편의성을 제공하여 상용화 가능성을 제시하였다.
  • 본 논문에서는 PSRAM(Pseudo Static Random Access Memory) 과 낸드 플래시 메모리를 이용한 비동기용 불휘발성 메모리 모듈의 설계 방법을 제안 및 구현하였다. 이를 통해 데이터의 손실 문제를 해결하고 다양한 산업현장에서 사용되는 시스템의 메모리를 개선하여 상용화 가능성을 제시하고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
NVSRAM은 무엇을 결합했는가? 기본적으로 NVSRAM은 하나의 디바이스에 비동기용 SRAM(Static Random Access Memory)과 불휘발성 메모리 기술을 결합한 것이다. 전원이 인가된 시스템의 조건에서 NVSRAM은 SRAM과 동일하게 작동한다.
SRAM의 장점은? 임베디드 시스템의 환경에서 RAM(Random Access Memory)은 시스템 동작 중에 데이터를 처리하는 필수적인 메모리이다[10]. RAM의 한 종류인 SRAM의 경우 가격이 비싸지만 내부 구조상 비트 당 내장 면적이 성능대비 월등히 높고 데이터 유지를 위한 추가적인 리프래시(Refresh) 과정을 수행하지 않아도 되기 때문에 사용하기 편한 장점을 가지고 있다[11].
PSRAM의 외부의 구조는? 따라서 DRAM의 가격적인 장점을 그대로 가져오면서 하드웨어적으로 리프래시(refresh) 절차를 진행하기 때문에 SRAM처럼 사용 가능하다[12]. 즉, 외부의 구조는 비동기용 SRAM이고 내부는 하드웨어적으로 DRAM 구조를 가진다.
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참고문헌 (13)

  1. Tae Hyun Kim, Oh Yang, "Design and Implementation of Multi-monitoring System for Motor Pump", Journal of the Semiconductor & Display Technology, Vol.18, No.4, pp.81-86, 2019.12. 

  2. Seok Man Kim, Min Seok Oh, Kyoung Rok Cho, "Efficient Policy ECC Parity Storing of NAND Flash Memory", The Journal of the Korea Contents Association, Vol.16, No.10, pp.477-482, 2016.09. 

    원문보기 상세보기 crossref

  3. Dong Hyuk Park, Jae Jin Lee, Gi Ju Yang, "Modulation Code for Removing Error Patterns on 4-Level NAND Flash Memory", The Journal of Korea Information and Communications Society, Vol.35, No.12, pp.965-970, 2010.12. 

  4. Po Yuan Chen, Chin Lung Su, Chao Hsun Chen, Cheng Wen Wu, "Generalization of an Enhanced ECC Methodology for Low Power PSRAM", IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTERS, Vol.62, No.7 pp.1318-1331, 2013.7. 

    상세보기 crossref

  5. Won Taek Lee, Jin Woo Jang, Joon Il Kim, Soon Shin Choi, Yong Jee, "Analysis of Characteristic Impedance for FBGA Memory Module Package", Proceedings of autumn Symposium The Institute of Electronics Engineers, Vol.29, No.2, pp.482-485, 2006. 

  6. Hyun Wook Park, Sang Won Shim, Yeon Bae Chung, "A current sense amplifier for low-voltage and highspeed SRAM", Proceedings of autumn Symposium The Institute of Electronics Engineers, Vol.28, No.2, pp.727-730, 2005. 

  7. Jun Sang Yeon, Oh Yang "Implementation of Communication to Flexibly Configure the Number of Railway Cars", Journal of the Semiconductor & Display Technology, Vol.15, No.4, pp.61-66, 2016.12. 

  8. Heon Guk Lee, Oh Yang, "Implementtation of Monitoring and Control System for Fire Engine Pump using the AJAX", Journal of the Semiconductor & Display Technology, Vol.15, No.3, pp.40-45, 2016.09. 

  9. CYPRESS, "CY14B116L - ZS25XI Datasheet 16-Mbit (2048K $\times$ 8/1024K $\times$ 16/512K $\times$ 32) nvSRAM", pp.01-39, 2019. 

  10. Jung Won Kim, Seung Kyun Kim, Jae Jin Lee, Chang Hee Jung, Duk Kyun Woo, "Memory Hierarchy Optimization in Embedded Systems using On-Chip SRAM", Journal of the Korea Information Science Society (a) : computer systems and theory, Vol.36, No.2, pp.102-110, 2009.4. 

  11. In Sung Gook, Jae Min Lee, "A Parallel Structure of SRAMs in embedded DRAMs for Testability", Journal of Korea institute of information, electronics, and communication technology, Vol.3, No.3, pp.3-7, 2010. 

  12. Integrated Silicon Solution Inc, "IS66WV51216EBL - 70BLI Datasheet 64Mb Async/Page PSRAM", pp.01-34, 2018.8. 

  13. Ji Eun Oh, Seok Ju Han, "Performance Comparison of Multi-level Coding Schemes for NAND Flash Memory", IEIE Transactions on Smart Processing and Computing, Vol.7, No.6, pp.496-504, 2018.12. 

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