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NTIS 바로가기한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.53 no.5, 2020년, pp.201 - 206
김기택 (한밭대학교 신소재공학과) , 김윤기 (한밭대학교 신소재공학과)
A SiOxCy(-H) thin film was synthesized by atmospheric pressure dielectric barrier discharge(APDBD), and a SiO2-like layer was formed on the surface of the film by oxidation treatment using oxygen plasma. Hexamethylcyclotrisiloxane was used as a precursor for the SiOxCy(-H) synthesis, and He gas was ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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실란가스가 챔버없이 코팅하는 시스템에서는 사용이 불가능한 이유는? | PECVD 법으로 실리콘산화막을 증착하기 위한 반응물질로 실란가스 및 실록산계열의 단량체 (monomer)를 사용한 연구는 오래 전부터 진행되어왔다. 실란가스는 반응성이 매우 높아 대기중에서 자연발화의 위험이 있고 유독성 물질로서 취급이 매우 어렵기 때문에 챔버없이 코팅하는 시스템에서는 사용이 불가능하다. 따라서 대기압 플라즈마를 이용한 실리콘산화막 코팅에서는 실록산계열의 단량체가 사용되며, 주로 많이 사용되고 있는 실록산으로는 hexamethyldisiloxane(HMDSO), tetraethylorthosilicate(TEOS) 등이 있다. | |
plasma-enhanced chemical vapor deposition법의 단점은? | 반면 plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)법은 낮은 온도에서 우수한 균일도와 기판과의 밀착도가 높은 고품질 실리콘산화막을 형성할 수 있다. [1-4] 그러나 일반적인 PECVD 법은 저압의 반응기내에서 진행되기 때문에 고가의 진공시스템을 필요로 하고 연속생산이 불가능하여 양산성이 낮은 단점이 있다. 또한 일반적인 PECVD 법의 공정온도는 포장재로 사용되는 폴리에틸렌테레프탈 라이트(PET)와 같은 폴리머소재의 연화온도보다 매우 높아 폴리머소재의 가스배리어 박막 합성공정에는 적용하기 곤란하다. 반면, 대기압 유전체배리어 방전(Dielectric Barrier Discharge)을 이용한 CVD법은 수십도의 낮은 온도에서 박막의 합성이 가능하며, 대기압에서 주위와 격리되지 않은 분위기 속에서 연속적인 방식으로 실리콘산화막의 코팅이 가능하다. | |
대기압 유전체배리어 방전을 이용한 CVD법의 장점은? | 또한 일반적인 PECVD 법의 공정온도는 포장재로 사용되는 폴리에틸렌테레프탈 라이트(PET)와 같은 폴리머소재의 연화온도보다 매우 높아 폴리머소재의 가스배리어 박막 합성공정에는 적용하기 곤란하다. 반면, 대기압 유전체배리어 방전(Dielectric Barrier Discharge)을 이용한 CVD법은 수십도의 낮은 온도에서 박막의 합성이 가능하며, 대기압에서 주위와 격리되지 않은 분위기 속에서 연속적인 방식으로 실리콘산화막의 코팅이 가능하다. [5-7]. |
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