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[국내논문] 원자층 증착에 있어서 아르곤 펄스 시간이 Al2O3 박막에 미치는 효과
Effects on the Al2O3 Thin Film by the Ar Pulse Time in the Atomic Layer Deposition 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.20 no.4, 2021년, pp.157 - 160  

김기락 (가천대학교 전자공학과) ,  조의식 (가천대학교 전자공학과) ,  권상직 (가천대학교 전자공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

As an insulator for a thin film transistor(TFT) and an encapsulation material of organic light emitting diode(OLED), aluminum oxide (Al2O3) has been widely studied using several technologies. Especially, in spite of low deposition rate, atomic layer deposition (ALD) has been used as a process method...

주제어

#aluminum oxide (Al2O3)   #atomic layer deposition (ALD)   #Ar purge gas   #growth rate   #surface roughness  

참고문헌 (11)

  1. S. Hu, K. Lu, H. Ning, Z. Zheng, H. Zhang, Z. Fang, R. Yao, M. Xu, L. Wang, L. Lan, J. Peng, and X. Lu, "High Mobility Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor by Aluminum Oxide Passivation Layer", IEEE Electron Device Letters, Vol. 38, pp. 879-882, 2017. 

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  3. H. Park, Y. Nam, J. Jin, and B.-S. Bae, "Space Charge-Induced Unusually-High Mobility of Solution Processed Indium Oxide Thin Film Transistor with Ethylene Glycol Incorporated Aluminum Oxide Gate Dielectric", RSC Advances, Vol. 00, pp. 1-3, 2015. 

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  9. S. K. Kim, S. W. Lee, C. S. Hwang, Y.-S. Min, J. Y. Won, and J. Jeong, "Low Temperature (<100°C) Deposition of Aluminum Oxide Thin Films by ALD with O3 as Oxidant", J. Electrochemical Society, Vol. 153, pp. F69-F76, 2006. 

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  11. C. W. Jeong, J. S. Lee, and S. K. Joo, "Growth and Characterization of Aluminum Oxide(Al 2 O 3 ) Thin Films by Plasma-Assisted Atomic Layer Controlled Deposition", J. Kor. Inst. Met. & Mater. Vol.38, No.10, 2000. 

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