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NTIS 바로가기한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, v.16 no.3, 2021년, pp.451 - 456
정윤근 (전남대학교 기계설계공학부) , 강성준 (전남대학교 전기및반도체공학과) , 정양희 (전남대학교 전기및반도체공학과)
In order to improve the cell capacitance and scale down in capacitors of semiconductor memory devices, a stacked ONO structure has been introduced as a dielectric layer and thinning of these layers has been attempted continuously. However, many problems have emerged in the manufacturing process. In ...
S. Mori, E. Sakagami, H. Araki, Y. Kaneko, K. Narita, Y. Ohshima, N. Aria, and K. Yoshikawa, "ONO inter-poly dielectric scaling for nonvolatile memory applications," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 38, no. 2, Feb. 1991, pp. 386-391.
K. Wu, C. S. Pan, J. J. Shaw, P. Freiberger, and G. Sery "A model for EPROM intrinsic charge loss through ONO interpoly dielectric," IEEE Reliability Physics Symposium, 28th Annual Proceedings, Yokohama, Japan, Mar. 1990, pp. 145-149.
C. S. Pan, K. J. Wu, P. P. Freiberger, and G. Sery, "A scaling methodology for oxide-nitride-oxide interpoly dielectric for EPROM applications," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 37, no. 6, June 1990, pp. 1439-1443.
Y. Ohji, T. Kusaka, I. Yoshida, A. Hiraiwa, K. Yagi, K. Mukai, and O. Kasahara, " Reliability of nano-meter thick multi-layer dielectric films on polycrystallline silicon," IEEE Physics Symposium, 25th Annual, Sandiego, CA, USA, Apr. 1987, pp. 55-59.
H. Kotaki, M. Nakano, Y. Takegawa, S. Kakimoto, Y. Mori, K. Mitsuhashi, J. Takagi, S. Tsuchimoto and Y. Akagi, "Novel Elevated Silicide Source / Drain by Load Lock LPCVD-Si and Advanced Silidation Processing," IEEE International Electron Device Meeting 93, Tokyo, Japan, Dec. 1993, pp. 839-842.
S. M. Sze, VLSI Technology. Singapore: McGraw-Hill, 2002.
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