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어닐링 조건에 의한 SiC 소자에서 콘택저항의 변화
Dependence of contact resistance in SiC device by annealing conditions
원문보기
전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.25 no.3, 2021년, pp.467 - 472
초록
고온에서도 반도체 소자의 안정적인 동작이 필요하다. 반도체 소자의 구조중에서 고온에서 불안정한 전기적 응답을 야기할 수 있는 영역은 금속과 반도체가 접합하는 콘택층이다. 본 연구에서는 p형 SiC 층위에 니켈-실리사이드(NiSix)의 콘택층을 형성하는 공정과정에 포함되는 어닐링 공정 조건이 콘택 저항의 비저항과 전체 저항에 미치는 효과를 고찰하였다. 이를 위해, 4인치 p형 SiC층 위에 전송길이 이론(transfer length method: TLM) 측정을 위한 알련의 전극 패턴들을 형성하였고, 어닐링 온도(1700와 1800℃)와 어닐링 시간(30와 60분)을 달리하여 4종의 시료를 제조하였으며, TLM을 이용한 저항을 측정하였다. 그 결과, 어닐링 조건이 콘택층의 저항과 소자의 전기적 안정성에 영향을 미치는 사실을 확인하였다.
Abstract
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Stable operation of semiconductor devices is needed even at high temperatures. Among the structures of semiconductor devices, the area that can cause unstable electrical responses at high temperatures is the contact layer between the metal and the semiconductor. In this study, the effect of annealin...
주제어
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참고문헌 (11)
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저자의 다른 논문 :
- [본원] 대전광역시 유성구 대학로 245 한국과학기술정보연구원
- [분원] 서울시 동대문구 회기로 66 한국과학기술정보연구원
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