[논문]고밀도 식각 플라즈마에서 비정질 탄소 하드 마스크의 형상 변형 해석을 위한 다각형 모델 개발

송재민; 배남재; 박지훈; 유상원; 권지원; 박태준; 이인규; 김대철; 김종식; 김곤호

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고밀도 식각 플라즈마에서 비정질 탄소 하드 마스크의 형상 변형 해석을 위한 다각형 모델 개발
Development of Polygonal Model for Shape-Deformation Analysis of Amorphous Carbon Hard Mask in High-Density Etching Plasma 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.21 no.4, 2022년, pp.53 - 58

송재민 (서울대학교 에너지시스템공학부) , 배남재 (서울대학교 에너지시스템공학부) , 박지훈 (서울대학교 에너지시스템공학부) , 유상원 (서울대학교 에너지시스템공학부) , 권지원 (서울대학교 에너지시스템공학부) , 박태준 (서울대학교 에너지시스템공학부) , 이인규 (서울대학교 에너지시스템공학부) , 김대철 (한국핵융합에너지연구원 플라즈마 장비 지능화연구단) , 김종식 (한국핵융합에너지연구원 플라즈마 장비 지능화연구단) , 김곤호 (서울대학교 에너지시스템공학부)

Abstract ▼ AI-Helper

Shape changes of hard mask play a key role in the aspect ratio dependent etch (ARDE). For etch process using high density and energy ions, deformation of hard mask shape becomes more severe, and high aspect ratio (HAR) etch profile is distorted. In this study, polygonal geometric model for shape-deformation of amorphous carbon layered hard mask is suggested to control etch profile during the process. Mask shape is modeled with polygonal geometry consisting of trapezoids and rectangles, and it provides dynamic information about angles of facets and etched width and height of remained mask shape, providing important features for real-time HAR etch profiling.

주제어

참고문헌 (7)

Ryu, S., 2022, 'Development of Plasma Information Based Advanced Process Controller (PI-APC) for Plasma Etch Processes', PhD thesis, Seoul National University, Seoul.
Park, S., et al., "Enhancement of the Virtual Metrology Performance for Plasma-Assisted Oxide Etching Processes by Using Plasma Information (PI) Parameters", IEEE Trans. On Semicond. Manuf., Vol. 28, pp. 241-246, 2015.

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Jang, Y., et al., "Characteristics of a plasma information variable in phenomenology-based, statistically-tuned virtual metrology to predict silicon dioxide etching depth", Current Applied Physics, Vol. 19, pp. 1068-1075, 2019.

상세보기
Kim, K. P., et al., "Surface Properties of ACL Thin Films Depending on Process Conditions", Journal of the Semiconductor & Display Technology, Vol. 18, No. 2, 2019.
Miyake, M., et al., "Effects of Mask and Necking Deformation on Bowing and Twisting in High-Aspect-Ratio Contact Hole Etching", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 48, 08HE01, 2009.

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Kim, D., et al., "Profile simulation of high aspect ratio contact etch", Thin Solid Films, Vol. 515, pp. 4874-4878, 2007.

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Ishikawa, T., et al., "Cooperative simulation of lithography and topography for three-dimensional high-aspect-ratio etching", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 57, 06JC01, 2018.

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저자의 다른 논문 :

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