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[국내논문] 고체 전해질 층의 어닐링 온도가 고분자 멤리스터의 전기적 특성에 미치는 영향
Effect of annealing temperature of solid electrolyte layer on the electrical characteristics of polymer memristor 원문보기

전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.26 no.4, 2022년, pp.705 - 709  

김우석 (Dept. of Creative Convergence Engineering, Hanbat National University) ,  노은경 (Dept. of Creative Convergence Engineering, Hanbat National University) ,  권진혁 (Research Institute of Printed Electronics & 3D Printing, Industry University Cooperation Foundation, Hanbat National University) ,  김민회 (Dept. of Creative Convergence Engineering, Hanbat National University)

초록
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Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)(P(VDF-TrFE)) 고체 전해질 층의 어닐링 온도가 고분자 멤리스터의 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 형태적 분석에서 100℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (100P(VDF-TrFE)) 박막 대비 200℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (200P(VDF-TrFE)) 박막의 표면 거칠기가 약 5배 크고 두께는 약 20% 작은 것으로 나타났다. 100P(VDF-TrFE)를 갖는 멤리스터 (M100) 대비 200P(VDF-TrFE) 멤리스터 (M200)의 set voltage는 약 50% 감소하였고, reset voltage의 크기는 약 30% 증가하였다. 또한, M200이 M100보다 더 나은 메모리 유지 특성을 갖는 것으로 나타났다. 이러한 차이는 M100 대비 M200 내부의 강한 국소 전기장 때문인 것으로 판단된다. 본 연구는 고분자 멤리스터의 어닐링 온도의 중요성을 제시함에 의의가 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

The effect of the annealing temperature of the poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)(P(VDF-TrFE)) solid electrolyte layer on the electrical properties of the P(VDF-TrFE)-based memristor was analyzed. In morphological analyses, the P(VDF-TrFE) thin film with 200℃ annealing temperature (2...

Keyword

#annealing temperature   #memristor   #surface roughness   #local electric field  

표/그림 (3)

참고문헌 (12)

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